英飛凌10顆氮化鎵器件可批量應(yīng)用在工業(yè)惡劣環(huán)境

前言

充電頭網(wǎng)了解到，英飛凌推出了共10款工業(yè)級CoolGaN??，全部通過JEDEC工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)驗證。新產(chǎn)品涵蓋低壓與高壓GaN，兼具高速開關(guān)、極低電荷參數(shù)、零反向恢復(fù)電荷、緊湊封裝及優(yōu)異散熱性能，可顯著提升系統(tǒng)效率、減少體積并降低BOM成本，為新一代高性能電源系統(tǒng)提供更高可靠性與更廣設(shè)計自由度。

據(jù)了解，JEDEC工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)是由固態(tài)技術(shù)協(xié)會制定的一系列規(guī)范，用于確保半導(dǎo)體器件在工業(yè)環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。它涵蓋器件的環(huán)境應(yīng)力測試，例如如高低溫循環(huán)、濕熱老化、熱沖擊、封裝與防潮等級規(guī)范、以及擴展溫度范圍內(nèi)的電氣性能要求。通過統(tǒng)一的測試和規(guī)范，JEDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)保證器件在苛刻工業(yè)條件下長期穩(wěn)定運行。而英飛凌本次推出符合JEDEC工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵器件可有效確保在惡劣環(huán)境工作穩(wěn)定性。

英飛凌氮化鎵器件

英飛凌推出10款工業(yè)級氮化鎵，其中3款CoolGaN? G3低壓氮化鎵，耐壓覆蓋100~120V，導(dǎo)阻覆蓋2.7~9.4mΩ；7款CoolGaN? G5高壓氮化鎵耐壓覆蓋600~700V，導(dǎo)阻覆蓋66~330mΩ。

如您需要英飛凌氮化鎵功率器件產(chǎn)品詳盡規(guī)格書，可掃描下方海報二維碼，即刻獲取最新資料！

獲取英飛凌氮化鎵規(guī)格書

簡單看過英飛凌氮化鎵功率器件產(chǎn)品規(guī)格書獲取方式，充電頭網(wǎng)繼續(xù)為您介紹這10款器件的參數(shù)信息。

低壓器件

英飛凌CoolGaN? G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關(guān)（BDS）器件，主要面向電機驅(qū)動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應(yīng)用。

英飛凌IGB110S101

IGB110S101是一款100 V常關(guān)型emode功率晶體管，采用小型PQFN 3x3封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其導(dǎo)通電阻低，它是要求高電壓和大電流應(yīng)用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC033S101

IGC033S101是一款 100V常關(guān)型 emode 功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其導(dǎo)通電阻低，它是要求高電壓和大電流應(yīng)用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC037S12S1

IGC037S12S1 是一款120 V常關(guān)型 emode 功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其導(dǎo)通電阻非常低，它是要求高電壓和大電流應(yīng)用中可靠性能的理想選擇。

高壓器件

英飛凌CoolGaN? G5氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計，該系列GaN氮化鎵晶體專為各種工業(yè)與消費類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計。

英飛凌IGI60L2727B1M

IGI60L2727B1M 結(jié)合了一個半橋功率級，該功率級由兩個 270 mΩ（典型 Rdson）/ 600 V 增強型 CoolGaN? 開關(guān)組成，帶有集成柵極驅(qū)動器，封裝為小型 6 x 8 mm TFLGA-27。在低至中功率領(lǐng)域（圖 1 中的示例配置），因此非常適合支持利用 CoolGaN? 功率開關(guān)優(yōu)越開關(guān)特性設(shè)計高密度電機驅(qū)動器和開關(guān)電源（SMPS）。

英飛凌的 CoolGaN? 及相關(guān)功率開關(guān)提供了非常穩(wěn)健的柵極結(jié)構(gòu)。當(dāng)在“導(dǎo)通”狀態(tài)下由幾毫安的連續(xù)柵極電流驅(qū)動時，始終保證最小導(dǎo)通電阻 Rdson。

英飛凌IGLT65R055D2

在產(chǎn)品特點層面，IGLT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

英飛凌IGOT65R055D2

在產(chǎn)品特點層面，IGOT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

英飛凌IGT65R055D2

在產(chǎn)品特點層面，IGT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

英飛凌IGLD65R110D2

該器件在產(chǎn)品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、140mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

英飛凌IGLR65R270D2

在產(chǎn)品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

英飛凌IGD70R140D2S

該器件在產(chǎn)品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關(guān)、無反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、170mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜陔娦呕A(chǔ)設(shè)施的AC-DC電源轉(zhuǎn)換、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉(zhuǎn)換。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

英飛凌此次推出的10款工業(yè)級CoolGaN??產(chǎn)品實現(xiàn)了從100V到700V的全耐壓覆蓋，提供多種適用于同步整流、LLC/圖騰柱PFC、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、機器人、電動交通、電信服務(wù)器電源及儲能系統(tǒng)的解決方案。低壓系列強調(diào)超低導(dǎo)阻與高速開關(guān)，高壓系列則進一步強化了反向?qū)芰Α⒐I(yè)級魯棒性與適用于高密度拓?fù)涞男阅堋Ｋ衅骷螶EDEC工業(yè)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)，能夠在高溫、濕熱、沖擊等苛刻環(huán)境中穩(wěn)定運行，為高效率、小型化與高功率密度電源設(shè)計提供更全面、更可靠的選擇，加速高性能電源系統(tǒng)向全氮化鎵時代邁進。