廣東
12月3日消息，根據(jù)韓國媒體hankyung報導(dǎo)，三星電子已成功取得英偉達明年第二代SOCAMM（System on CAMM，SOCAMM 2）的超過50%的供應(yīng)訂單。
報道稱，英偉達向DRAM 廠提出的 SOCAMM 年度需求規(guī)模約為200億Gb，三星正洽談承接其中100億Gb 的產(chǎn)量，相當于約8.3億顆24Gb LPDDR DRAM，預(yù)計需要動用每月3至4萬片DRAM晶圓的生產(chǎn)能力，約占三星整體DRAM產(chǎn)能的5%。此外，SK海力士將接下其余多數(shù)需求，美光則僅拿到了少量供應(yīng)訂單。
三星之所以能在SOCAMM 2 的導(dǎo)入階段搶下英偉達超過50%訂單，可能在于其10nm級第6代（1c）DRAM在良率與性能表現(xiàn)較為出色，使得SOCAMM 供應(yīng)鏈格局出現(xiàn)明顯調(diào)整，領(lǐng)先了本來占優(yōu)勢的美光。
資料顯示，SOCAMM 是近年英偉達推動的高性能內(nèi)存模塊，采用壓縮連接式CAMM（Compression Attached Memory Module）設(shè)計，能在更薄的基板上整合多顆低功耗DRAM，較傳統(tǒng)DDR5 RDIMM 在空間效率與能耗上更具優(yōu)勢。
與專為GPU設(shè)計的HBM不同，SOCAMM 主要支持CPU，在大型AI 推理與數(shù)據(jù)遷移中扮演關(guān)鍵角色。其通過高速銅互連整合DRAM，具備良好散熱與信號完整性，且模塊可拆卸，使服務(wù)器維護與升級更具彈性。
隨著AI 服務(wù)器對高密度、低功耗內(nèi)存的需求持續(xù)攀升，SOCAMM 被視為繼HBM 之后的另一項重要構(gòu)架演進。其模塊化設(shè)計正讓服務(wù)器內(nèi)存從傳統(tǒng)固定焊接，逐步走向更易維護、更具彈性的方向。
三星、SK海力士、美光都曾于今年的英偉達GTC 2025 大會上展示SOCAMM 原型，但因性能與穩(wěn)定性仍待調(diào)整而延后導(dǎo)入。英偉達隨后啟動了SOCAMM 2 的共同開發(fā)，并預(yù)計搭配明年推出的Vera CPU 使用。而SOCAMM 2 傳輸速度提升至9,600MT/s，較SOCAMM 1 的8,533MT/s 更快。
編輯：芯智訊-浪客劍
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