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11月28日消息，據報道，三星電子先進技術研究院（SAIT）的研究人員率先在全球范圍內發現了一種機制，可將現有NAND閃存的功耗降低高達96%，有望為解決人工智能（AI）時代的電力危機做出貢獻。
三星電子宣布，由SAIT和半導體研究所的34位研究人員共同撰寫的題為“用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管”的論文已發表在著名學術期刊《自然》上。
這項研究代表了一項基礎性技術，它首次在全球范圍內發現一種核心機制，與現有技術相比，利用鐵電材料可將功耗降低高達96%。
這項研究是SAIT和半導體研究所34位研究人員的獨立研發成果，他們共同撰寫了該論文。SAIT公布的研究證實，通過結合鐵電材料和氧化物半導體材料的NAND閃存結構，與現有技術相比，在單元串操作（NAND閃存中單元串聯的結構）中，功耗最多可降低96%。
現有的NAND閃存通過向單元注入電子來存儲數據，為了增加存儲容量，必須增加單元（堆疊層）的數量。然而，由于NAND閃存的結構特性，信號需要依次通過串聯的單元進行傳輸，因此隨著堆疊層的增加，所需的電壓也會升高，從而導致讀寫功耗增加。
因此，下一代NAND閃存的研究利用了鐵電材料的特性，這種材料可以通過自發改變極化來存儲信息，而無需向單元注入電子。然而，容量增加和功耗降低之間的權衡關系仍然沒有得到解決。
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