ISSCC 2026前瞻：兩巨頭的內存對決

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

內存競賽日趨激烈，韓國芯片巨頭正積極研發新技術以滿足人工智能領域日益增長的需求。

據報道，三星電子和SK海力士將在2026年國際固態電路大會（ISSCC）上展示一系列新一代DRAM解決方案。SK海力士將推出其最新的GDDR7和LPDDR6，用于圖形和移動應用；而三星電子則將發布HBM4。

SK海力士發布新一代GDDR7和LPDDR6內存

報告指出，SK海力士推出了單引腳帶寬為48 Gb/s、容量為24 Gb的GDDR7顯存。該芯片采用對稱雙通道設計，面向GPU、AI邊緣推理和游戲等高帶寬應用。

此次SK海力士計劃推出的GDDR7 DRAM的非標準規格是其關注的焦點。盡管業界此前預期下一代GDDR7的峰值速度約為32-37 Gbps，但SK海力士將在ISSCC會議上發表論文，展示其48 Gbps的運行速度和24 Gb的密度，這展示了SK海力士在技術上的領先優勢。

與目前的 28 Gbps GDDR7 相比，傳輸速度提升了 70% 以上。每個芯片的帶寬達到 192 GB/s，高于現有 28 Gbps 產品約 112 GB/s 的帶寬——這是一項技術突破，從根本上重塑了圖形 DRAM 的性能范式。

SK海力士首次發布了 14.4 Gb/s 的 LPDDR6 內存。與 LPDDR5（9.6 Gb/s）相比，LPDDR6 的帶寬大幅提升，定位為面向高性能智能手機、AI PC 和具備生成式 AI 功能的邊緣設備的移動 DRAM 解決方案。

三星發布用于人工智能加速器的下一代HBM4

三星電子發布了其新一代HBM4內存，容量高達36GB，帶寬達3.3TB/s。HBM4采用1c DRAM工藝制造，并改進了其TSV（硅通孔）架構，以降低通道間信號延遲，從而提供未來AI加速器所需的高帶寬和低功耗數據傳輸。

三星的HBM4相比前幾代產品，帶寬有了顯著提升。更重要的是，它滿足了領先的GPU和AI ASIC制造商對3TB/s以上吞吐量的要求，預計將從明年開始在AI服務器加速器中得到廣泛應用。

三星目前正與英偉達就明年HBM4的價格進行談判。消息人士表示，英偉達在與SK海力士敲定HBM4供應合同僅一周后，便邀請三星電子參與談判。報道還指出，由于HBM4需求超過供應，且沒有強烈的降價動力，三星電子內部的目標是使其12層HBM4內存的價格與SK海力士的價格持平。

巨頭聯手，要把GPU核心封裝到HBM上

關于存儲產品另一個值得關注的技術進展是，報道稱英偉達攜手 Meta、三星電子、SK 海力士等科技巨頭，為提升 AI 性能，正探索將 GPU 核心集成至下一代 HBM（高帶寬存儲器）的技術方案。

據多位業內人士透露，Meta 和英偉達正在積極探討此方案，并已開始與三星電子、SK 海力士進行合作洽談。該技術旨在打破傳統計算架構中內存與處理器分離的模式，通過在 HBM 的基底裸片（Base Die）中植入 GPU 核心，實現計算與存儲的深度融合。

HBM 作為一種通過垂直堆疊多個 DRAM 芯片實現的高性能存儲器，專為處理人工智能（AI）所需的海量數據而設計，其最底層的基底裸片目前主要負責內存與外部設備間的通信。

即將于明年量產的HBM4 已計劃在基底裸片上集成控制器，以提升性能和效率。而此次討論的“GPU 核心內嵌”方案，則是在此基礎上更進一步的重大技術跨越，它將原本集中于主 GPU 的運算功能部分轉移至 HBM 內部。

將GPU 核心植入 HBM 的主要目的在于優化 AI 運算的效率，通過將運算單元與存儲單元的物理距離縮至最短，可以顯著減少數據傳輸延遲和隨之產生的功耗，從而減輕主 GPU 的負擔。

這種“存內計算”的思路，被視為突破當前 AI 性能瓶頸的關鍵路徑之一，有助于構建更高效、更節能的 AI 硬件系統。要實現這一設想仍面臨諸多技術挑戰。首先，HBM 基底裸片受限于硅通孔（TSV）工藝，可用于容納 GPU 核心的物理空間非常有限。

其次，GPU 運算核心是高功耗單元，會產生大量熱量，因此如何有效解決供電和散熱問題，防止過熱成為性能瓶頸，是該技術能否落地的關鍵。

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