快充、工業、車規全覆蓋，功率半導體行業11款新品解讀

前言

在全球功率半導體行業，技術創新與市場需求正呈現出前所未有的活躍態勢。功率器件原廠加速產能擴張，關鍵工藝不斷突破，新品層出不窮，推動整個行業持續升級。正因如此，功率半導體賽道正綻放出前所未有的蓬勃活力。為了幫助讀者朋友快速掌握行業動態，我們整理了近期數十款具有代表性的新品案例，從硅MOS到功率模塊，力求讓大家在一篇文章中盡覽功率半導體的最新發展與趨勢。

CRMICRO華潤微

華潤微推出MSOP9系列車規半橋模塊

華潤微全新MSOP9系列車規級半橋功率模塊是在MSOP8封裝平臺基礎上的全新升級成果，其綜合性能已達到國際先進水平。該系列創新性地將NTC熱敏電阻集成于模塊內部，顯著提升了集成度與系統可靠性。相較上一代產品，MSOP9具備更優的參數一致性、更小的封裝尺寸和更高的功率密度，模塊及系統的雜散電感更低，頂部散熱能力也遠超傳統貼片產品。同時，其可靠的電氣隔離設計滿足AEC-Q101與AQG324汽車電子功率模塊認證要求，為汽車電子系統提供高效、穩定的解決方案，并在推動汽車芯片國產化進程中發揮了積極作用。

MSOP9系列在應用層面具備顯著優勢。模塊內置精準的溫度傳感器，可直接監測芯片核心溫度，實現主動過溫防護，有效提升系統壽命與功率輸出能力。傳感器引腳與同電位的功率/控制引腳相鄰設計，使布局更加緊湊，既簡化了PCB布線并滿足爬電距離要求，又提升了信號抗干擾能力。其貼片式封裝便于靈活裝配，能夠在OBC、DC-DC等橋式拓撲平臺中實現更低的系統雜感和更高的熱效率，從而優化冷卻系統設計，降低PCB尺寸與BOM復雜度，全面助力新能源汽車電源系統的高效可靠運行。

FM富滿微

富滿微推出兩款IPM功率模塊

富滿微正式推出單相半橋智能功率模塊FMM05N60HE0，面向無刷直流電機驅動等低功率變頻應用領域。該模塊內部集成兩顆 650V/5A 低導通阻抗 MOSFET 與一顆智能化 HVIC 高壓柵極驅動電路，并內置高低側欠壓保護、過流保護、過溫保護、SD 使能關斷、FO 故障輸出、雙高互鎖與死區時間等多項安全功能，確保系統運行的高效與可靠。同時，模塊集成自舉二極管，簡化外圍電路設計，兼容 3.3V~15V 寬范圍信號輸入電壓，為系統設計提供更高靈活性。

FMM05N60HE0 采用高絕緣、優異散熱性能的 CSOP-13L 封裝，具備穩定可靠的環境適應性，適用于洗衣機、空調、水泵及風機等多種電機控制場景。憑借高集成度與完善的保護機制，該模塊在家電與工業控制市場中，為高效、緊湊的變頻驅動方案提供了新的選擇。

同時推出的還有一款三相全橋智能功率模塊，FMS10N60HD8是一款面向無刷直流電機驅動的三相全橋智能功率模塊，專為洗衣機、水泵、風機等中低功率變頻應用而設計。該模塊內部集成6個低損耗650V/10A IGBT與3個半橋HVIC高壓柵極驅動電路，具備欠壓保護、過流保護、SD使能關斷及溫度輸出等多重安全功能，確保系統在復雜環境中依然穩定可靠。此外，FMS10N60HD8采用高絕緣、易散熱的DIP-25D封裝，并集成自舉二極管，簡化外圍設計，顯著提升系統集成度與散熱性能。

值得一提的是，FMS10N60HD8為每一相獨立設置負直流端，便于分別檢測電流，從而實現更精準的電機控制。其輸入端兼容3.3V與5V信號電平，并支持高電平有效邏輯，滿足多樣化的控制需求。憑借優異的電氣性能與完備的保護機制，該模塊為家電及小功率工業驅動系統提供了一種高效、可靠且易于集成的解決方案。

Infineon英飛凌

英飛凌推出針對工業與消費類應用優化的OptiMOS 7功率MOSFET

英飛凌以應用為導向推出全新OptiMOS 7功率MOSFET系列，面向工業與消費市場，擴展了原有汽車級產品組合。該系列針對不同應用場景進行專門優化，覆蓋高性能開關、電機驅動及RDS(on)優化等領域，為多樣化系統提供高效可靠的解決方案。

其中，OptiMOS 7 25 V系列專為開關應用設計，面向中間總線轉換器、通信設備與服務器SMPS等場景，提供硬開關與軟開關兩種優化版本，RDS(on)降低至多20%，FOM提升達25%。OptiMOS 7 40 V系列則聚焦電機驅動應用，具備更低導通電阻、更強抗噪與三倍擴大的SOA范圍，可有效降低電壓過沖并提升惡劣環境下的穩定性，適用于電動工具與園藝設備等高可靠性需求場合。

英飛凌推出采用全新EasyPACK C封裝的碳化硅功率模塊

英飛凌推出全新 EasyPACK C 系列產品，作為EasyPACK 封裝家族的最新成員，首款產品集成了 CoolSiC MOSFET 1200 V G2 技術，并采用英飛凌專有的 .XT 互連技術。該模塊在降低靜態損耗、提升可靠性方面表現出色，可滿足工業領域對高能效與可持續發展的需求。借助 CoolSiC MOSFET G2 技術，新產品的功率密度較上一代提升逾 30%，使用壽命延長至 20 倍，導通電阻降低約 25%。全新的 EasyPACK C 封裝設計進一步提升了功率密度與布局靈活性，為更高電壓等級的產品奠定了基礎，而 XT互連技術則有效延長了器件壽命。

該系列模塊可在結溫高達 200°C 的過載工況下穩定運行，配備全新PressFIT壓接引腳，電流承載能力提升一倍，同時降低PCB溫升并優化裝配流程。改進的塑封材料與硅凝膠設計確保其在最高 175°C 的結溫下依然可靠運行，并具備 3 kV AC/1 分鐘的隔離等級。EasyPACK C 系列模塊提供多種拓撲結構，包括三電平與H橋配置，并可選擇含或不含熱界面材料版本，助力系統實現更高能效、更長壽命及卓越的耐高溫性能。

英飛凌推出首款100V車規級GaN

英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1 車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101標準的預量產樣品，涵蓋CoolGaN 高壓（HV）車規晶體管及多種雙向開關。此舉體現了英飛凌在滿足汽車行業多樣化需求方面的持續創新能力——從適用于低壓車載信息娛樂系統的 100V GaN 晶體管，到面向車載充電器與牽引逆變器的高壓解決方案。隨著汽車功能不斷增加，如高級駕駛輔助系統、氣候控制和信息娛樂系統，對高效功率轉換的需求持續上升，同時需最大限度降低電池能量損耗。GaN 材料憑借更高能效、更小尺寸和更低系統成本，成為實現高能效電源解決方案的關鍵技術。

在軟件定義汽車由12V向48V系統轉型的過程中，GaN 基功率轉換方案可顯著提升性能，并支持線控轉向、實時底盤控制等先進功能，進一步優化駕乘體驗。憑借高能效與緊湊封裝優勢，英飛凌全新的 CoolGaN? 100V 晶體管系列特別適用于區域控制、主 DC-DC 轉換器、高性能輔助系統及 D 類音頻放大器等車載應用場景。

LONTEN龍騰

龍騰半導體推出650V F系列IGBT新品

龍騰半導體正式推出四款全新650V F系列IGBT產品，涵蓋15A、20A及40A電流規格，專為高頻、高效電源設計打造。新品采用低飽和壓降設計（VCE(sat)典型值僅1.5V），具備極低導通損耗與快速關斷特性（Eoff最低僅0.19mJ），在提升系統效率的同時顯著降低能耗與熱損失，充分滿足高頻開關場景需求。

據龍騰實驗室實測數據顯示，該系列IGBT在關斷損耗上達到國內外同代競品平均水平，靜態損耗表現更為優異。產品在效率、熱管理與可靠性方面實現全面平衡，兼顧高效運行與溫控表現，適用于電焊機、便攜儲能、不間斷電源（UPS）、逆變器及充電機等多類高性能電源系統。此次發布標志著龍騰半導體在中高壓功率器件領域再進一步，為高頻高效電源應用提供了更具競爭力的解決方案。

ROHM羅姆

羅姆推出二合一SiC模塊DOT-247

羅姆推出全新二合一結構SiC功率模塊 “DOT-247”，適用于光伏逆變器、UPS及半導體繼電器等工業應用。新模塊兼具傳統TO-247封裝的通用性與更高的設計靈活性和功率密度，為高性能電源系統提供更優解決方案。隨著光伏逆變器向高電壓方向發展，三電平NPC、T-NPC及五電平ANPC等多電平電路需求迅速增長。ROHM通過將半橋與共源兩種拓撲集成為二合一模塊，使“DOT-247”成為適配多電平電路的理想選擇。該模塊不僅提升設計自由度，還能有效縮小電路尺寸。

“DOT-247”通過將兩個TO-247封裝結構一體化設計，配合更大芯片及ROHM獨有內部結構，實現了更低導通電阻；其熱阻較傳統TO-247降低約15%，寄生電感降低約50%。在半橋結構中，功率密度可達傳統TO-247的2.3倍，同時體積減少近一半。新產品提供半橋與共源兩種拓撲結構，可靈活應用于NPC電路與DC-DC轉換器等多種功率拓撲，顯著減少元件數量與安裝面積，加速系統小型化并降低設計與裝配成本。產品陣容包括750V耐壓的4款型號（SCZ40xxDTx）及1200V耐壓的4款型號（SCZ40xxKTx），已于2025年9月起以月產1萬顆規模量產。此外，符合AEC-Q101汽車級標準的版本將于2025年10月起提供樣品。

羅姆推出SCT40xxDLL系列TOLL封裝的SiC MOSFET

羅姆宣布正式量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列。與同等級耐壓和導通電阻的TO-263-7L封裝產品相比，新系列散熱性能提升約39%，體積縮小約26%，厚度減半至僅2.3mm，在小型化的同時可實現更高功率輸出。該系列具備750V漏源耐壓，較常規TOLL產品更高，可在浪涌電壓下抑制柵極電阻、降低開關損耗，適用于高功率密度服務器電源、儲能系統（ESS）及扁平化工業電源等應用。產品覆蓋13mΩ至65mΩ導通電阻共6款型號，已于2025年9月起量產，樣品價為5,500日元/個（不含稅）。

SK時科

時科推出高速低阻的100V的NMOS SKG95N10AD

時科推出的SKG95N10AD N溝道功率MOSFET，具備100V耐壓、95A連續電流、5.5mΩ超低導通電阻和優化溝槽型DMOS結構，實現高速開關、低損耗與高可靠性的平衡。其超低導通阻抗和快速開關特性，能夠顯著降低能量損耗和EMI干擾，同時具備卓越雪崩耐量（405mJ）和優異熱設計（PDFN 5×6封裝、RθJC 0.65℃/W），保證系統在高頻、高電流與復雜負載下穩定運行。

SKG95N10AD廣泛適用于快充電源、LED照明、DC/DC轉換模塊及工業控制系統等高功率應用場景。晶圓層面的溝槽DMOS設計提升了電流均勻性與低阻抗性能，封裝層面的高散熱結構和多點焊接引腳保證大電流穩定傳輸，形成晶片—封裝—系統的三重安全防護。憑借高效能、可靠性和兼容性，SKG95N10AD為中高功率轉換系統提供核心驅動力，助力快充、工業控制與通信電源在高能效時代實現更穩定、更節能的運行。

時科推出一款專為高壓系統設計的1200V SiC MOSFET SKSC120N080G1-ST7

時科推出的SKSC120N080G1-ST7——一款專為高壓系統設計的N溝道碳化硅功率MOSFET，具備1200V耐壓、30A連續電流和80mΩ低導通電阻。憑借SiC材料高擊穿電場、高導熱率與低柵極電荷特性，該器件在高壓、高頻、高溫環境下仍能實現高速開關與低能耗表現，支持高功率密度與高效率設計。TO-263-7L封裝結合優異散熱性能與工業級可靠性，通過雪崩測試及結溫175°C的驗證，為系統提供穩健安全保障。

SKSC120N080G1-ST7廣泛適用于光伏逆變器、儲能變換、電動汽車車載充電器、快充樁、UPS及工業變頻器等場景。其高效率、低損耗與高速特性可提升能量轉換效率、縮小系統體積、減輕散熱壓力，實現高頻化設計與精確控制。同時，從芯片、封裝到內部銅框結構的三重優化，確保器件在高壓、高負載及浪涌環境下長期可靠運行。

Vishay威世

威世推出四款采用eSMP系列 SlimSMA HV（DO-221AC） 封裝的新型第七代整流器

威世近日發布四款采用 eSMP 系列 SlimSMA HV （DO-221AC） 封裝的第七代 1200 V FRED Pt 超快恢復整流器——VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0212-M3 及其通過 AEC-Q101 認證的汽車級版本 VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212HM3。新器件針對工業與汽車應用優化，在同類產品中實現了正向壓降 VF 低至 1.45 V、反向恢復電荷 Qrr 低至 105 nC （典型值）、恢復時間僅 45 ns 的優異平衡，同時具備低結電容（典型 2.5 pF）和高浪涌能力（達 21 A）。器件采用 2.6 mm × 5.2 mm 緊湊封裝，厚度僅 0.95 mm，比傳統 SMA 更薄，CTI ≥ 600 、滿足 IEC 60664-1 高壓應用標準，支持系統小型化并降低 BOM 成本。

憑借平面結構和鉑摻雜壽命控制技術，新一代整流器在確保可靠性的同時顯著降低開關損耗并提升系統效率，可在 +175 °C 下穩定運行。其廣泛適用于反激輔助電源的鉗位、緩沖與續流電路、自舉驅動高頻整流，以及為快速開關 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 提供去飽和保護。典型應用涵蓋工業驅動與電動工具、EV 車載充電器與電機、儲能與發電系統，以及 ?uk 和 SEPIC 等工業 LED 電源。器件符合 RoHS 及 無鹵 標準，濕敏等級達 J-STD-020 1級。

充電頭網總結

近期功率半導體領域新品涵蓋GaN、SiC以及各類功率模塊等，從快充到工業系統應用、，幾乎覆蓋了當前市場多個應用場景。通過對華潤微、富滿微、英飛凌、龍騰、羅姆、時科威世這幾家廠商新品的介紹，我們可以清晰看到行業在高效率、低損耗以及可靠性等方面的持續突破。