全球氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件市場報告，預(yù)測到2030年（已上傳知識庫）

全球氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件市場報告核心總結(jié)

該報告聚焦 2022-2030 年全球 GaN 半導(dǎo)體器件市場，核心結(jié)論為：市場將以 20.5% 的復(fù)合年增長率擴張，2021 年市場規(guī)模 102.489 億美元，2030 年預(yù)計達(dá) 419.561 億美元，亞太地區(qū)為核心增長引擎。

一、核心市場數(shù)據(jù)

• 關(guān)鍵驅(qū)動：軍事領(lǐng)域 GaN 射頻器件 adoption 提升、消費電子與汽車行業(yè)對功率半導(dǎo)體的需求激增

• 核心機會：電動車 / 混動汽車應(yīng)用普及、5G 網(wǎng)絡(luò)部署推進

• 主要限制：碳化硅（SiC）等替代品的競爭壓力

  
  

• 按設(shè)備：晶體管占比最高（2021 年 28.1%），2030 年市場規(guī)模將達(dá) 113.533 億美元

• 按垂直領(lǐng)域：消費電子為最大應(yīng)用場景（2021 年 25.9%），汽車領(lǐng)域增速最快（CAGR 22.8%）

• 按地區(qū)：亞太占比 46.2% 居首，中國、印度、日本為主要貢獻(xiàn)國；北美、歐洲分別占 27.6%、22.1%

• 按晶圓尺寸：4 英寸目前占比最大，6 英寸及以上尺寸增速領(lǐng)先（CAGR 超 21%）

頭部企業(yè)包括富士通、松下、德州儀器、臺積電、英特爾等，競爭策略集中于技術(shù)研發(fā)、并購合作與產(chǎn)能擴張。2021 年富士通以 19.5% 的市場份額領(lǐng)跑，行業(yè)呈現(xiàn) “少數(shù)巨頭主導(dǎo)、中小企業(yè)細(xì)分突圍” 的格局。

四、關(guān)鍵趨勢

• 技術(shù)端：更大尺寸晶圓（6 英寸 +）、更高性能器件成為研發(fā)重點

• 應(yīng)用端：電動車充電器、5G 基站、軍工雷達(dá)為核心增長場景

• 區(qū)域端：亞太地區(qū)憑借制造業(yè)優(yōu)勢與政策支持，持續(xù)擴大市場主導(dǎo)權(quán)