ASML進(jìn)博會(huì)曬“鐵三角”全景光刻，展首款先進(jìn)封裝光刻機(jī)

芯東西（公眾號(hào)：aichip001）
作者 ZeR0
編輯 漠影

芯東西11月4日?qǐng)?bào)道，第八屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)“進(jìn)博會(huì)”）將于2025年11月5日至11月10日在上海舉辦。今年ASML將第七次參加進(jìn)博會(huì)，以“積納米之微，成大千世界”為主題，亮相國(guó)家會(huì)展中心技術(shù)裝備展區(qū)集成電路專(zhuān)區(qū)（4.1展館A1-03展臺(tái)）。

近日，ASML全球執(zhí)行副總裁、中國(guó)區(qū)總裁沈波與芯東西等媒體進(jìn)行深入交流，分享ASML在本屆進(jìn)博會(huì)上的展出重點(diǎn)。AI（人工智能）是今年ASML在進(jìn)博會(huì)展出的一大關(guān)鍵詞，ASML將通過(guò)短片形式分享對(duì)AI時(shí)代下半導(dǎo)體行業(yè)所面臨機(jī)遇和挑戰(zhàn)的全球觀察，以及ASML如何以全景光刻賦能行業(yè)變革。

圍繞本屆參展主題，ASML將在進(jìn)博會(huì)上重點(diǎn)展示其面向主流芯片市場(chǎng)的全景光刻解決方案，融合光刻機(jī)、計(jì)算光刻、電子束量測(cè)與檢測(cè)技術(shù)，通過(guò)數(shù)字化、交互式形式呈現(xiàn)這些技術(shù)如何協(xié)同推動(dòng)AI時(shí)代下的摩爾定律持續(xù)演進(jìn)。

▲2025年進(jìn)博會(huì)ASML展臺(tái)效果圖

除展出的產(chǎn)品和技術(shù)外，ASML展臺(tái)繼續(xù)設(shè)置光刻機(jī)外殼打卡區(qū)，以便為到訪嘉賓和觀眾拍照留念，記錄進(jìn)博會(huì)的難忘時(shí)刻。

據(jù)沈波分享，ASML中國(guó)區(qū)員工人數(shù)已超過(guò)2000人，團(tuán)隊(duì)、業(yè)務(wù)都在不斷成長(zhǎng)，在中國(guó)有1個(gè)本地零件供應(yīng)中心、1個(gè)培訓(xùn)中心和15個(gè)倉(cāng)儲(chǔ)物流中心。在中國(guó)，ASML計(jì)算光刻和電子束量測(cè)兩個(gè)業(yè)務(wù)的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)加起來(lái)已經(jīng)有四五百人。

一、重點(diǎn)展出“鐵三角”全景光刻解決方案

聚焦良率和產(chǎn)能提升，ASML為客戶(hù)提供“鐵三角”全景光刻解決方案，即光刻機(jī)、計(jì)算光刻和光學(xué)、電子束量測(cè)與檢測(cè)技術(shù)，幫助芯片制造商生產(chǎn)更小、更強(qiáng)大、更智能的芯片。

• 光刻機(jī)：晶圓成像專(zhuān)家，幫助客戶(hù)制造芯片，把制程縮小。
• 計(jì)算光刻：創(chuàng)建光刻工藝的精確仿真模型，提高良率和產(chǎn)能。
• 量測(cè)與檢測(cè)：曝光后晶圓成像檢查和反饋，及時(shí)糾錯(cuò)/調(diào)整光刻工藝實(shí)時(shí)提升良率，幫助模型進(jìn)一步優(yōu)化。

其中的核心是邊緣放置誤差（EPE），即無(wú)論怎么微縮、怎么提高精度、怎么把芯片關(guān)聯(lián)數(shù)做得更小，一定要把它放在正確的位置上，不互相產(chǎn)生干擾。

ASML將在進(jìn)博會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)以數(shù)字化方式展示全景光刻解決方案下的部分亮點(diǎn)產(chǎn)品和技術(shù)，帶領(lǐng)觀眾沉浸式了解：

• 光刻機(jī)：TWINSCAN NXT : 870B和TWINSCAN XT: 260光刻系統(tǒng)。
• 計(jì)算光刻業(yè)務(wù)。
• 電子束量測(cè)與檢測(cè)：eScan 1100多電子束檢測(cè)系統(tǒng)以及多電子束業(yè)務(wù)的最新進(jìn)展。

1、光刻機(jī)

本次展示的DUV光刻機(jī)不僅實(shí)現(xiàn)了對(duì)現(xiàn)有系統(tǒng)的性能升級(jí)，還推出了可滿足先進(jìn)封裝、鍵合等3D集成領(lǐng)域新市場(chǎng)要求的機(jī)型，旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能、降低制造成本，并滿足行業(yè)對(duì)多樣化應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。

（1）TWINSCAN XT:260

這是ASML首款可服務(wù)于先進(jìn)封裝領(lǐng)域的光刻機(jī)，基于ASML獨(dú)有的雙工作臺(tái)技術(shù)，采用業(yè)界公認(rèn)的XT4平臺(tái)，具有大視場(chǎng)曝光的i-line光刻系統(tǒng)。該機(jī)型已于第三季度商用交付。

通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新，TWINSCAN XT:260具有大視場(chǎng)曝光，相較于現(xiàn)有機(jī)型可提升4倍生產(chǎn)效率，能夠有效提升性能并降低單片晶圓成本。

除先進(jìn)封裝外，這款新機(jī)型還可支持主流市場(chǎng)的其他廣泛應(yīng)用。據(jù)沈波透露，目前TWINSCAN XT:260的客戶(hù)有晶圓廠、封測(cè)廠，傳統(tǒng)的后道封裝廠、前道企業(yè)都在探索先進(jìn)封裝領(lǐng)域的機(jī)遇。

（2）TWINSCAN NXT:870B

光刻設(shè)備與鍵合設(shè)備的配合變得越來(lái)越重要。晶圓鍵合后可能會(huì)產(chǎn)生50nm左右的形變，這時(shí)需要光刻矯正在晶圓上對(duì)圖形成像實(shí)現(xiàn)局部調(diào)整，從而把套刻誤差修正到2.5nm精度。

在升級(jí)的光學(xué)器件和最新一代磁懸浮平臺(tái)的支持下，TWINSCAN NXT:870B可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)晶圓產(chǎn)量（wph）400片以上，并為鍵合后的套刻和階梯式工藝提供強(qiáng)大的校正能力。該機(jī)型從2024年12月已開(kāi)始交付。

（3）鉆石涂層技術(shù)：在DUV平臺(tái)中創(chuàng)新性引入鉆石涂層，能夠有效減少設(shè)備磨損，延長(zhǎng)使用壽命，降低更換需求與維護(hù)成本，保障套刻精度長(zhǎng)效穩(wěn)定。

2、計(jì)算光刻業(yè)務(wù)

借助優(yōu)化成像光源與掩模板設(shè)計(jì)，計(jì)算光刻能夠預(yù)測(cè)、校正、優(yōu)化和驗(yàn)證光刻技術(shù)的成像性能，實(shí)現(xiàn)更精確的圖形成像和更好的芯片生產(chǎn)良率。

ASML在進(jìn)博會(huì)展臺(tái)會(huì)有一個(gè)專(zhuān)門(mén)的視頻演示計(jì)算光刻。

3、電子束量測(cè)與檢測(cè)

在量測(cè)與檢測(cè)設(shè)備方面，ASML不斷推進(jìn)創(chuàng)新。多電子束技術(shù)在電壓襯度檢測(cè)和物理檢測(cè)方面，實(shí)現(xiàn)了更高的產(chǎn)能和更大的晶圓覆蓋率，用于大規(guī)模生產(chǎn)中的在線缺陷檢測(cè)。

（1）eScan 1100：作為ASML首款實(shí)現(xiàn)在線缺陷檢測(cè)（涵蓋物理缺陷和電性缺陷）的25束電子束檢測(cè)系統(tǒng)，其晶圓量測(cè)吞吐量提升至單束系統(tǒng)的10倍以上。

（2）未來(lái)技術(shù)路線圖：ASML計(jì)劃將電子束數(shù)量擴(kuò)展至2700束，在25束的基礎(chǔ)上把吞吐量提高超過(guò)100倍，實(shí)現(xiàn)測(cè)量能力的飛躍，進(jìn)一步優(yōu)化良率。

二、AI推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)ASML 2030年總營(yíng)收超過(guò)440億歐元

2025年第三季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷(xiāo)售額75億歐元、凈光刻系統(tǒng)銷(xiāo)售額56億歐元、裝機(jī)售后服務(wù)銷(xiāo)售額20億歐元，毛利率為51.6%，預(yù)計(jì)2025年第四季度凈銷(xiāo)售額在92億至98億歐元之間，毛利率介于51%至53%。

ASML預(yù)計(jì)2025年全年凈銷(xiāo)售額將同比增長(zhǎng)約15%，毛利率約為52%，2026年凈銷(xiāo)售額將不低于2025年水平，到2030年，ASML總營(yíng)收有望達(dá)到440億歐元至600億歐元，毛利率將達(dá)到56%至60%。

沈波談道，推動(dòng)這些增長(zhǎng)趨勢(shì)的重要因素之一，就是AI的增長(zhǎng)。

AI正在深刻影響社會(huì)與生活的方方面面，既是先進(jìn)制程也是主流制程的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力之一，加速整個(gè)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的創(chuàng)新。當(dāng)前社會(huì)正從“芯片無(wú)處不在”邁向“AI芯片無(wú)處不在”。

這一趨勢(shì)在加速創(chuàng)新步伐的同時(shí)，也帶來(lái)了算力和能源方面的挑戰(zhàn)。自2010年起，AI驅(qū)動(dòng)的計(jì)算需求增長(zhǎng)速度就超過(guò)了摩爾定律，訓(xùn)練前沿模型所需的電力消耗增速也已經(jīng)快于摩爾定律的步伐。

對(duì)于這一半導(dǎo)體行業(yè)的共同難題，延續(xù)摩爾定律仍是應(yīng)對(duì)的關(guān)鍵之一。

提高芯片和AI算法的效率，可以彌合算力與需求之間的差距。這不僅需要更高效的AI模型、芯片架構(gòu)、芯片技術(shù)，還需要更高效的集成電路生產(chǎn)設(shè)備和工藝。

通過(guò)2D微縮持續(xù)縮小晶體管尺寸、提升晶體管密度與能效，以及借助3D集成進(jìn)行堆疊和封裝，突破平面極限，是芯片行業(yè)在技術(shù)領(lǐng)域?qū)で髣?chuàng)新突破的兩大核心路線。

ASML依托集光刻機(jī)、計(jì)算光刻和光學(xué)、電子束量測(cè)與檢測(cè)技術(shù)于一體的全景光刻解決方案，致力于提升性能與能效，以更低能耗和成本實(shí)現(xiàn)更高良率：

• 光刻系統(tǒng)持續(xù)推動(dòng)2D微縮，同時(shí)賦能先進(jìn)封裝與3D集成；
• 計(jì)算光刻突破光學(xué)物理極限，智能優(yōu)化成像；
• 量測(cè)與檢測(cè)是保障芯片質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)。

該全景光刻解決方案還為3D集成的核心鍵合工藝提供支持，幫助減少晶圓形變所導(dǎo)致的對(duì)準(zhǔn)誤差、保障芯片精準(zhǔn)堆疊，并實(shí)現(xiàn)更短、更快的互聯(lián)，以滿足客戶(hù)在新興應(yīng)用領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。

沈波分享說(shuō)，盡管EUV已成為多數(shù)邏輯和存儲(chǔ)關(guān)鍵層的光刻技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，但DUV仍是芯片成像主力。預(yù)計(jì)到2030年，全球每年晶圓數(shù)曝光將超過(guò)9億次時(shí)，EUV還是會(huì)僅占一小部分，絕大部分芯片仍由DUV來(lái)生產(chǎn)。

他提到今后EUV平臺(tái)會(huì)有更多共用性，包括在做0.55NA EUV時(shí)，一些技術(shù)可以反哺到0.33NA EUV上用，很多小技術(shù)進(jìn)步在局部，更大考慮的是當(dāng)EUV技術(shù)大規(guī)模商業(yè)化時(shí)用戶(hù)使用的便利性，平臺(tái)化能給客戶(hù)使用的體驗(yàn)以及ASML自身的生產(chǎn)、管理、運(yùn)營(yíng)都帶來(lái)很多便利。

在沈波看來(lái)，AI發(fā)展帶來(lái)的產(chǎn)能需求還沒(méi)有充分體現(xiàn)出來(lái)，當(dāng)真正的產(chǎn)能需求大量落地，大家需要更多光刻機(jī)，ASML的業(yè)務(wù)也會(huì)隨之增長(zhǎng)。

結(jié)語(yǔ)：呼應(yīng)開(kāi)放合作精神，支持中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

借助進(jìn)博會(huì)這個(gè)開(kāi)放、合作的平臺(tái)，ASML計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與合作伙伴、行業(yè)觀眾與公眾的交流和互動(dòng)。

同時(shí)，ASML承諾將秉持合法合規(guī)的原則，繼續(xù)為中國(guó)客戶(hù)和半導(dǎo)體行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展提供支持。