3nm刻蝕機(jī)＋100%國(guó)產(chǎn)替代！中微公司半年?duì)I收破50億，臨港跑出“光速”半導(dǎo)體

在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心焦點(diǎn)。

中國(guó)正加速推動(dòng)芯片自給自足，而上海臨港作為“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的奇跡”，正引領(lǐng)這場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化浪潮。

2019年之前，這里只有3家芯片企業(yè)，產(chǎn)值僅1億元；五六年后的今天，臨港已聚集超過(guò)300家集成電路企業(yè)，產(chǎn)值飆升至500億元，形成覆蓋裝備工藝、晶圓制造、材料封測(cè)的完整產(chǎn)業(yè)集群。

在這片熱土上，中微公司作為刻蝕設(shè)備龍頭，正以連續(xù)14年?duì)I收增速超35%的業(yè)績(jī)神話，詮釋著中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的崛起之路。

從荒蕪到產(chǎn)業(yè)集群的蛻變。

上海臨港的轉(zhuǎn)型故事，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的縮影。

2019年，中國(guó)政府將集成電路列為國(guó)家戰(zhàn)略重點(diǎn)，臨港憑借其區(qū)位優(yōu)勢(shì)和政策支持，迅速成為國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體巨頭落戶的首選。

中芯國(guó)際投資88.7億美元建設(shè)產(chǎn)能基地，預(yù)計(jì)2027年達(dá)產(chǎn)；長(zhǎng)電科技、中微公司等頭部企業(yè)紛紛入駐，形成協(xié)同效應(yīng)。這種集聚不僅降低了供應(yīng)鏈成本，更促進(jìn)了技術(shù)交流和人才流動(dòng)。

臨港的成功并非偶然。它體現(xiàn)了中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的長(zhǎng)期布局：通過(guò)稅收優(yōu)惠、人才引進(jìn)和基礎(chǔ)設(shè)施投入，打造具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

截至2025年，這里已成為中國(guó)最先進(jìn)的芯片制造基地，支撐著國(guó)內(nèi)14nm及以下先進(jìn)制程16.7萬(wàn)片/月的產(chǎn)能，以及成熟制程152.1萬(wàn)片/月的龐大體系。中微公司作為臨港的標(biāo)桿企業(yè)，其總部大樓矗立于此，象征著中國(guó)在高端制造領(lǐng)域的雄心。

高增長(zhǎng)背后的業(yè)務(wù)邏輯。

中微公司的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，堪稱(chēng)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的典范。

2024年，公司營(yíng)收同比增速達(dá)44.7%，而2025年上半年依舊保持43.9%的高增長(zhǎng)，凸顯其增長(zhǎng)的可持續(xù)性。凈利潤(rùn)方面，2025上半年實(shí)現(xiàn)7.06億元，同比增長(zhǎng)26.62%，在高基數(shù)下仍顯強(qiáng)勁。

刻蝕設(shè)備是中微公司的核心業(yè)務(wù)，2024年貢獻(xiàn)收入72.8億元。其中，ICP刻蝕設(shè)備收入25.3億元，CCP刻蝕設(shè)備收入46.5億元。ICP技術(shù)用于硅和金屬刻蝕，門(mén)檻較高，是中微公司的起家之本；CCP則專(zhuān)注于電介質(zhì)材料，與北方華創(chuàng)形成差異化競(jìng)爭(zhēng)。

值得一提的是，中微公司是少數(shù)攻克ICP技術(shù)的國(guó)內(nèi)企業(yè)，這為其在7nm以下先進(jìn)制程的突破奠定基礎(chǔ)。

新業(yè)務(wù)拓展成為增長(zhǎng)第二曲線。2025年上半年，LPCVD和ALD導(dǎo)體化學(xué)沉積設(shè)備銷(xiāo)售額同比暴增608.2%，反映公司在新領(lǐng)域市場(chǎng)開(kāi)拓順利。

截至2024年底，公司已開(kāi)發(fā)六種金屬薄膜沉積產(chǎn)品，鎢金屬沉積設(shè)備實(shí)現(xiàn)1.56億元收入，手握4.76億元薄膜沉積訂單。此外，MOCVD設(shè)備全球市占率接近30%，在光學(xué)和功率器件領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟。

1.投資收益增厚利潤(rùn)。

通過(guò)少數(shù)股東參股，中微公司投資拓荊科技、志橙半導(dǎo)體等企業(yè)，2025年上半年投資收益達(dá)1.68億元，較去年同期虧損的0.08億元增加約1.76億元。這種戰(zhàn)略投資不僅分散風(fēng)險(xiǎn)，更強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。

2.訂單與合同負(fù)債預(yù)示未來(lái)增長(zhǎng)。

截至2025年上半年，公司合同負(fù)債高達(dá)30.67億元，作為訂單先行指標(biāo)，顯示下游需求旺盛。這主要受益于國(guó)內(nèi)晶圓廠加速建設(shè)，以及3D NAND技術(shù)推廣對(duì)刻蝕設(shè)備的更高需求。

3.國(guó)產(chǎn)化浪潮與晶圓廠策略。

中微公司的高增長(zhǎng)，離不開(kāi)宏觀行業(yè)的助推。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率整體仍低，即使自主化程度較高的刻蝕和薄膜沉積環(huán)節(jié)，國(guó)產(chǎn)化率尚未超過(guò)50%。這為國(guó)內(nèi)企業(yè)留下廣闊空間。

晶圓廠出于供應(yīng)鏈安全考慮，傾向于多元化采購(gòu)。例如：中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等廠商在同個(gè)設(shè)備環(huán)節(jié)會(huì)引入2-3家供應(yīng)商，為中微公司創(chuàng)造機(jī)會(huì)。

盡管與北方華創(chuàng)業(yè)務(wù)有重疊，但雙方競(jìng)爭(zhēng)主戰(zhàn)場(chǎng)仍聚焦于與海外巨頭的較量。在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)被應(yīng)用材料、泛林科研壟斷的背景下，中微公司憑借技術(shù)突破，逐步搶奪份額。

3D NAND技術(shù)的普及，更是中微公司的專(zhuān)屬機(jī)遇。該技術(shù)通過(guò)堆疊層數(shù)提高存儲(chǔ)密度，每多一層需增加2次薄膜沉積和刻蝕過(guò)程，且對(duì)溝道通孔深寬比要求極高。這降低了對(duì)光刻設(shè)備的依賴，反而提升刻蝕設(shè)備需求。

正是中微公司的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等企業(yè)擴(kuò)大3D NAND產(chǎn)能，中微公司訂單有望持續(xù)增長(zhǎng)。

研發(fā)投入，技術(shù)迭代的引擎。

中微公司的研發(fā)強(qiáng)度，遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。

2025年上半年研發(fā)費(fèi)用率接近30%，2024年為25.35%，高于科創(chuàng)板10%-15%的典型水平。高研發(fā)投入直接轉(zhuǎn)化為技術(shù)突破和人均產(chǎn)值提升。2024年，公司人均產(chǎn)值超500萬(wàn)元，人均年化營(yíng)收超400萬(wàn)元，接近國(guó)際領(lǐng)先水平。

通過(guò)開(kāi)發(fā)單雙臺(tái)設(shè)備、提高深寬比指標(biāo)，中微公司產(chǎn)品已觸及海外高端水準(zhǔn)。7nm以下刻蝕設(shè)備打入臺(tái)積電、SK海力士供應(yīng)鏈，而北方華創(chuàng)客戶仍集中于國(guó)內(nèi)廠商。

目前，公司正集中火力攻克3nm刻蝕設(shè)備，決心做到頂尖水平。技術(shù)優(yōu)勢(shì)帶來(lái)溢價(jià)能力，公司毛利率長(zhǎng)期維持在40%以上，與北方華創(chuàng)難分伯仲。

中微公司與北方華創(chuàng)的“雙雄爭(zhēng)霸”。

北方華創(chuàng)作為國(guó)內(nèi)唯一平臺(tái)型半導(dǎo)體設(shè)備公司，2024年刻蝕、薄膜沉積、熱處理和濕法設(shè)備占總營(yíng)收72%。其通過(guò)收購(gòu)芯源微切入涂膠顯影，并進(jìn)入離子注入市場(chǎng)，布局全面。

中微公司雖規(guī)模暫處下風(fēng)，但憑借技術(shù)專(zhuān)精和海外突破，正逐漸具備“叫板”實(shí)力。公司在刻蝕領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯，且通過(guò)薄膜沉積和MOCVD設(shè)備延伸業(yè)務(wù)邊界。晶圓制造三大環(huán)節(jié)，刻蝕、薄膜沉積、光刻，中微公司已布局前兩項(xiàng)，未來(lái)或通過(guò)合作補(bǔ)足光刻短板。

中微公司創(chuàng)始人尹志堯曾表示：“我們堅(jiān)信，通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新和專(zhuān)注，中微公司不僅能實(shí)現(xiàn)3nm刻蝕設(shè)備的突破，更將成為全球半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的重要參與者。國(guó)產(chǎn)替代不是終點(diǎn)，而是起點(diǎn)。我們的目標(biāo)是站在世界技術(shù)之巔。”這番話折射出中微公司的雄心，不以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為滿足，而是直面國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，用技術(shù)贏得尊重。

言西認(rèn)為中微公司的成功源于三大因素：

技術(shù)深耕、產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)把握和戰(zhàn)略前瞻。首先，公司以ICP刻蝕起家，選擇高門(mén)檻路徑，避免低端紅海競(jìng)爭(zhēng)。這種技術(shù)專(zhuān)注使其在先進(jìn)制程中具備不可替代性。

其次，公司精準(zhǔn)抓住國(guó)產(chǎn)化窗口，借臨港產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)放大優(yōu)勢(shì)。最后，通過(guò)投資拓展和業(yè)務(wù)延伸，構(gòu)建生態(tài)護(hù)城河。

中微公司也面臨不容忽視的挑戰(zhàn)。

1.技術(shù)依賴風(fēng)險(xiǎn)：半導(dǎo)體設(shè)備更新迭代極快，3nm之后能否持續(xù)跟上國(guó)際步伐是關(guān)鍵。

2.競(jìng)爭(zhēng)加劇：北方華創(chuàng)作為平臺(tái)型公司，在資源整合上更具彈性；國(guó)際巨頭則通過(guò)專(zhuān)利壁壘施壓。

3.供應(yīng)鏈穩(wěn)定性：美國(guó)出口管制可能影響關(guān)鍵零部件采購(gòu)，需加快國(guó)產(chǎn)替代。

對(duì)投資者而言，中微公司代表中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的最高水平，但其高估值也隱含預(yù)期。

短期看，訂單飽滿和國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)支撐增長(zhǎng)；

長(zhǎng)期需關(guān)注3nm技術(shù)突破和新業(yè)務(wù)兌現(xiàn)。

建議投資者在樂(lè)觀中保持理性，重點(diǎn)關(guān)注季度訂單、研發(fā)進(jìn)展及毛利率變化。

整裝待行的國(guó)產(chǎn)替代者。中微公司的故事，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影。從臨港的荒蕪到產(chǎn)業(yè)集群，從技術(shù)追趕到海外突破，公司用14年高增長(zhǎng)證明了中國(guó)在高端制造領(lǐng)域的潛力。

未來(lái)，隨著3D NAND普及、薄膜沉積業(yè)務(wù)放量，以及3nm技術(shù)攻克，中微公司有望在全球舞臺(tái)占據(jù)更重要位置。

中微公司它不僅是一家企業(yè)，更是一種象征，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備，正從跟隨者變?yōu)橐?guī)則制定者。

注：（聲明：文章內(nèi)容和數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。）

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