炸場！207億砸向武漢！長江存儲三期來了！

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王炸登場！長存三期 207 億落地武漢、改寫全球存儲格局！

9 月 8 日，集成電路圈迎來 “核彈級” 消息 —— 長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式成立！207.2 億元的注冊資本如同驚雷炸響，瞬間點燃行業熱度，這不僅是一筆巨額投資，更是中國在芯片領域向 “自主可控” 發起的又一輪強力沖鋒，誓要在全球集成電路版圖上刻下 “中國印記”！

雙巨頭聯手 “王炸”！長江存儲掌舵，資本巨鱷護航

長存三期的股東陣容堪稱 “神仙配置”，兩大玩家組成 “產業雙引擎”，直接拉滿行業期待值！
一邊是國內 3D NAND 閃存的 “頂流王者”—— 長江存儲，以 50.19% 持股、104 億元認繳出資牢牢握住 “技術方向盤”。自 2016 年誕生以來，這家巨頭就一路 “開掛”：中國首款 3D NAND 閃存出自其手，自主 Xtacking? 架構顛覆行業，第三代 TLC/QLC 閃存量產速度驚艷全球，如今手握超 9000 項專利、發明專利占比 95%，技術硬實力直接拉滿！此次入局長存三期，就是要把領先技術 “焊死” 在新公司的發展基因里。

另一邊是 “資本操盤手”—— 湖北長晟三期投資，以 49.81% 持股、103.2 億元認繳出資強勢補位。背靠武漢光谷金融控股集團，它玩轉資源整合、資本運作的能力堪稱 “天花板”，能快速打通土地、政策、產業鏈配套的 “任督二脈”，為項目落地按下 “加速鍵”。

更重磅的是，長江存儲董事長陳南翔親自掛帥長存三期法人！這可不是普通的人事安排，而是赤裸裸的 “戰略宣示”—— 長江存儲要舉全公司之力，把長存三期打造成集成電路制造的 “超級根據地”，自主產能擴張、核心技術攻堅，每一步都要踩在 “加速賽道” 上！

股權配比藏 “殺招”！“技術掌舵 + 資本爆沖”，復刻半導體黃金模式

這 50.19% 對 49.81% 的股權配比，看似接近，實則是精心設計的 “產業殺招”！
長江存儲手握 “技術主導權”，意味著在芯片研發、工藝迭代的核心環節，能以 “領跑者” 姿態定調 —— 從設計參數到制造標準，都要以最前沿的技術為標桿，確保產品性能、良率牢牢鎖定行業第一梯隊，避免被 “卡技術脖子”。

而湖北長晟三期則負責 “資本爆沖”：帶著 103.2 億元資金池，它能快速搞定廠房建設、設備采購、供應鏈搭建，把 “圖紙上的技術” 火速變成 “生產線的產能”。要知道，半導體項目落地最忌 “慢半拍”，有了這股資本力量，長存三期能跳過 “漫長籌備期”，直接進入 “投產倒計時”，搶占市場窗口期。

這種 “龍頭企業壓陣技術 + 地方資本加速落地” 的模式，早已是國內半導體項目的 “黃金公式”—— 前有中芯國際擴產，后有華虹半導體布局，如今長存三期完美復刻，就是要把 “技術優勢” 和 “落地效率” 焊成閉環，讓中國芯片的 “產能加速度” 再上一個臺階！

全產業鏈 “閉環殺”！從設計到封裝，死死攥住自主命脈

長存三期一出手，就亮出 “王炸布局”—— 經營范圍直接覆蓋集成電路設計、制造、銷售，把 “設計 - 制造 - 市場” 的全產業鏈閉環牢牢攥在手里！

單看半導體封裝這個 “關鍵戰場”，這一布局的優勢直接 “拉爆”：設計環節能提前對接封裝工藝需求，比如針對 3D NAND 芯片的堆疊封裝、系統級封裝，從源頭規避 “設計與制造脫節” 的坑，不用再看國外封裝企業的 “臉色”；制造環節能快速響應封裝端的產能需求，不用再為 “芯片造出來，封裝跟不上” 發愁；市場端更能直接對接客戶，比如手機廠商、服務器企業對封裝形態、性能的定制化需求，從設計到交付 “一站式搞定”，響應速度直接碾壓 “多環節外包” 模式。

這可不是簡單的 “補鏈”，而是要在集成電路的每個關鍵環節，都建立 “自主可控的護城河”—— 不被卡技術、不被卡產能、不被卡供應鏈，真正實現 “中國芯片中國造”！

長存三期的誕生，不是一次普通的企業成立，而是中國集成電路產業向 “全球第一梯隊” 發起的又一次沖鋒。有長江存儲的技術 “王牌”，有資本力量的 “燃料加持”，再加上全產業鏈的 “閉環殺”，這家新巨頭必將在武漢這片芯片熱土上，炸出屬于中國的 “集成電路新紀元”！

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頌長存三期成立（組詩三首） 其一 破土驚雷

楚天九月蕩金風，芯界忽傳震世功。
二百億資凝巨力，三期新艦啟長虹。
長江掌舵攜云氣，長晟揚帆趁勢雄。
一紙執照驚雷落，欲掀潮浪撼西東。

其二 雙強破壁

存儲龍頭技壓群，九千專利鑄堅盾。
Xtacking 架構驚寰宇，NAND 閃存冠古今。
資本操盤通脈絡，地方助勢破迷津。
南翔掛帥雄心顯，誓把自主刻寸心。

其三 全鏈安邦

設計制造連一體，封裝環節不含糊。
閉環布局防卡頸，自主根基豈容疏。
不看他人眉與目，敢憑己力繪藍圖。
今朝武漢新旗舉，必讓華芯耀五湖。

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