高盛：中國(guó)先進(jìn)芯片制造業(yè)落后西方技術(shù)20年

投資銀行高盛認(rèn)為，中國(guó)光刻機(jī)公司至少落后美國(guó)同行20年。光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)之一，也是阻礙中國(guó)制造高端芯片的唯一瓶頸。最先進(jìn)的光刻機(jī)由荷蘭公司ASML制造，由于其依賴美國(guó)原產(chǎn)的零部件，美國(guó)政府有權(quán)限制其對(duì)華銷(xiāo)售。

由于擔(dān)憂與軍方的關(guān)聯(lián)，中國(guó)科技巨頭華為因美國(guó)政府制裁，被禁止從臺(tái)積電采購(gòu)芯片。因此，華為不得不依賴中芯國(guó)際滿足其芯片需求，而美國(guó)又對(duì)中芯國(guó)際施加制裁，限制其采購(gòu)極紫外 (EUV) 芯片制造光刻機(jī)，這意味著中芯國(guó)際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產(chǎn) 7 納米芯片。

然而，這些芯片很可能是使用 ASML 較老的 DUV 機(jī)器制造的，因?yàn)橹袊?guó)缺乏制造先進(jìn)光刻掃描儀的能力，因?yàn)樗鼈冃枰牧悴考谌蚍秶鷥?nèi)生產(chǎn)，主要在美國(guó)和歐洲。投資銀行高盛的一份最新報(bào)告指出，中國(guó)國(guó)內(nèi)光刻設(shè)備行業(yè)可能比 ASML 落后二十年。

圖片：Ray Wang/X

光刻是芯片制造工藝中的幾個(gè)步驟之一。它涉及將芯片設(shè)計(jì)從光掩模轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。高端設(shè)備，例如 ASML 的 EUV 和高數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀，能夠在硅晶圓上轉(zhuǎn)移更小的電路圖案，從而提高芯片性能。圖案轉(zhuǎn)移后，會(huì)進(jìn)行蝕刻，形成最終布局，并在整個(gè)制造過(guò)程中沉積其他材料并清潔晶圓。

因此，光刻技術(shù)對(duì)于在晶圓上復(fù)制精細(xì)電路至關(guān)重要，這意味著光刻設(shè)備是芯片制造過(guò)程中的瓶頸。投資銀行高盛在最近的一份報(bào)告中認(rèn)為，中國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造行業(yè)至少還需要20年才能達(dá)到與ASML當(dāng)前一代芯片制造技術(shù)相當(dāng)?shù)乃健?/p>

目前，臺(tái)積電等領(lǐng)先的芯片制造商正在量產(chǎn)3納米芯片，并正在加緊生產(chǎn)2納米產(chǎn)品。高盛的報(bào)告強(qiáng)調(diào)：“ASML花了20年時(shí)間，投入了400億美元的研發(fā)和資本支出，才從65納米光刻技術(shù)過(guò)渡到3納米以下。” 鑒于中國(guó)本土的光刻設(shè)備制造商目前處于65納米工藝階段，該銀行的數(shù)據(jù)顯示，這些公司似乎不太可能在短期內(nèi)趕上西方。