內(nèi)存漲價(jià)，F(xiàn)abless遭殃！

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受全球存儲半導(dǎo)體供應(yīng)短缺影響，韓國國內(nèi)人工智能（AI）芯片等無晶圓廠（專注芯片設(shè)計(jì)）行業(yè)整體正擔(dān)憂出現(xiàn)存儲器供需混亂。存儲廠商將生產(chǎn)線集中投向先進(jìn)工藝，不僅高帶寬存儲器（HBM），通用 DRAM 產(chǎn)品全線出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，確保芯片運(yùn)行必需的存儲元器件已成為行業(yè)首要課題。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè) 11 日消息，韓國國內(nèi)無晶圓廠企業(yè)的存儲半導(dǎo)體采購量，根據(jù)量產(chǎn)實(shí)績呈現(xiàn)兩極分化態(tài)勢。

據(jù)悉，作為韓國主要無晶圓廠企業(yè)的 Rebellion、FuriosaAI、MoblinT、DeepX、HyperAccel 等，已預(yù)判今年將出現(xiàn)存儲器 “青黃不接” 的局面，從去年起便全力提前鎖定貨源。但規(guī)模更小或量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)不足的企業(yè)，仍難以排除因存儲器供需緊張導(dǎo)致業(yè)務(wù)受阻的可能性。

量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)決定供貨量差異：“與科技巨頭競爭加劇”

在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中，無晶圓廠企業(yè)的規(guī)模與實(shí)際量產(chǎn)實(shí)績，直接決定存儲器供需處境兩極分化。晶圓代工廠與存儲廠商在有限產(chǎn)能內(nèi)，更傾向優(yōu)先向大規(guī)模量產(chǎn)、持續(xù)穩(wěn)定給出需求預(yù)測的大型客戶分配貨源。

具備年度大規(guī)模量產(chǎn)實(shí)績的中型無晶圓廠，以及已進(jìn)入商用階段的韓國本土神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元（NPU）企業(yè)，尚能維持供貨。反之，量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)相對匱乏、正籌備正式商用的新入局企業(yè)，則在存儲器供應(yīng)商的供貨優(yōu)先級中被邊緣化。

此外，韓國無晶圓廠企業(yè)還需在有限的存儲器貨源上，與資金實(shí)力雄厚的全球科技巨頭直接競爭。

一位 AI 半導(dǎo)體行業(yè)人士表示：“韓國 AI 芯片初創(chuàng)企業(yè)為獲取存儲器貨源，不得不與科技巨頭競爭，供貨難度不小。” 并指出，“與存儲器供應(yīng)商建立合作關(guān)系的重要性將愈發(fā)凸顯。”

老舊型號停產(chǎn)、科技巨頭需求集中，供需緊張步入長期化

行業(yè)分析認(rèn)為，提前鎖貨僅為短期應(yīng)對措施，存儲器供應(yīng)緊缺已逐步進(jìn)入長期化階段。亦有觀點(diǎn)指出，LPDDR4、DDR4 等老舊型號存儲器即將面臨停產(chǎn)。

隨著老舊存儲器停產(chǎn)，需求預(yù)計(jì)將快速向 LPDDR5、DDR5 規(guī)格集中，但存儲廠商新增規(guī)格產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)速度，難以立刻跟上需求轉(zhuǎn)換節(jié)奏。無晶圓廠企業(yè)也為迎合客戶需求，放棄價(jià)格暴漲的 DDR4，轉(zhuǎn)而設(shè)計(jì)兼容 DDR5 的規(guī)格，進(jìn)一步加劇需求集中。

全球頭部企業(yè)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)變更，同樣加劇長期供需不穩(wěn)。行業(yè)預(yù)測，英偉達(dá)等企業(yè)為降低功耗，未來或?qū)U(kuò)大采用 LPDDR 替代 HBM。屆時(shí)，原本多用于移動及邊緣設(shè)備的 LPDDR 大量貨源將被科技巨頭的 AI 加速器占用，無晶圓廠行業(yè)的存儲器獲取難度或?qū)⒊掷m(xù)加大。

顯現(xiàn)長期化趨勢的供應(yīng)緊缺，正給整個(gè)無晶圓廠生態(tài)帶來連鎖沖擊。據(jù)了解，韓國國內(nèi)部分無法順利獲取存儲器貨源的無晶圓廠，已轉(zhuǎn)向南亞科等海外半導(dǎo)體企業(yè)尋求供貨。

供貨量不足直接導(dǎo)致無晶圓廠行業(yè)生產(chǎn)受阻。無法靈活提升芯片產(chǎn)量的企業(yè)，僅能專注兌現(xiàn)向現(xiàn)有客戶承諾的樣品供貨，難以響應(yīng)追加訂單與新客戶供貨需求。

一位半導(dǎo)體行業(yè)人士預(yù)測：“當(dāng)前存儲器供需緊張大概率將長期持續(xù)，即便短期勉強(qiáng)維持，一旦正式啟動量產(chǎn)，韓國無晶圓廠企業(yè)的處境很可能進(jìn)一步惡化。”

（來源：ZDnet）

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