五大變化，存儲芯片，競爭核心變了

文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

過去十年，談到存儲芯片，行業(yè)人士的第一反應(yīng)往往是：“又一輪周期來了。”

供需失衡→價格暴漲/暴跌→廠商擴(kuò)產(chǎn)/減產(chǎn)→新一輪循環(huán)。這套“周期鐵律”幾乎成了半導(dǎo)體行業(yè)的常識。

但從2024 年開始，這套運(yùn)行多年的邏輯，正在悄然失效。時間走到 2026 年，曾經(jīng)熟悉的周期劇本徹底改寫，整個存儲行業(yè)，正同時發(fā)生五大關(guān)鍵變化。在此轉(zhuǎn)變之下，存儲芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場從“規(guī)模驅(qū)動的周期博弈”向“技術(shù)驅(qū)動的價值競爭”的根本性轉(zhuǎn)向。

變化一：存儲芯片，周期失靈

如上圖所示，根據(jù)以往的模式，存儲器市場增長率呈現(xiàn)四年周期性波動，在2017年中期達(dá)到峰值，2019年中期觸底，2021年下半年再次達(dá)到峰值，2023年中期觸底。按照這種模式，人們可能會預(yù)期峰值出現(xiàn)在2025年，谷底出現(xiàn)在2027年。

然而，令人費(fèi)解的是，如果僅從增長率來看，峰值實(shí)際上已在2024年到來，而2025年上半年則出現(xiàn)了先下降后上升的趨勢，打破了之前的周期性規(guī)律。從上圖可以看出，兩點(diǎn)顯而易見：目前的出貨量遠(yuǎn)高于前兩個峰值，而且峰值尚未最終確定。

與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴個人消費(fèi)端需求，而是以企業(yè)級AI資本開支為核心。韓華投資證券分析師Park Jun-young在 2 月 24 日發(fā)布的一份報告中預(yù)測，2026年全球存儲市場規(guī)模將比上年增長159%，達(dá)到5749億美元，是2018年1599億美元的3.6倍。 具體而言，他預(yù)測DRAM市場將同比增長 192%，達(dá)到4399億美元，NAND市場將增長 88%，達(dá)到1350億美元。

總的來說，2024年至今，AI算力基建與HBM技術(shù)革命成為新引擎，直接改寫了傳統(tǒng)周期邏輯。

變化二：存儲器需求，正在分層

周期失靈的背后，是存儲芯片需求端的結(jié)構(gòu)性重塑。

在高端市場，AI產(chǎn)業(yè)化的加速落地直接引爆了存儲需求。不同于傳統(tǒng)服務(wù)器，AI服務(wù)器需要承載大規(guī)模數(shù)據(jù)訓(xùn)練、高頻次數(shù)據(jù)運(yùn)算，對HBM（高帶寬存儲）、高端DDR5內(nèi)存及企業(yè)級SSD的需求量呈爆發(fā)式增長，單臺AI服務(wù)器的存儲需求量更是達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍。其中，HBM憑借超高帶寬、低延遲的核心優(yōu)勢，成功破解了AI運(yùn)算中的“內(nèi)存墻”技術(shù)瓶頸，成為AI算力基建的核心戰(zhàn)略級資源，目前2026年全球三大存儲巨頭的HBM產(chǎn)能已全部提前售罄，部分頭部AI企業(yè)甚至提前簽訂2027年長期供貨協(xié)議。

在中端市場，需求呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的產(chǎn)業(yè)化格局，核心聚焦兩大場景：一是消費(fèi)電子的迭代升級，智能手機(jī)、筆記本電腦等終端逐步淘汰老舊存儲配置，DDR5內(nèi)存、PCIe 4.0 SSD因性價比優(yōu)勢成為主流配置，形成持續(xù)的增量需求；二是工業(yè)控制、車載存儲等工業(yè)級場景，這類場景對存儲芯片的穩(wěn)定性、兼容性要求較高，中端存儲產(chǎn)品能夠精準(zhǔn)匹配其需求，成為產(chǎn)業(yè)增量的重要支撐。

而低端市場則呈現(xiàn)明顯的收縮態(tài)勢，核心以存量替換為主——隨著高端、中端產(chǎn)品的普及，DDR4內(nèi)存、入門級NAND閃存等低端產(chǎn)品的市場需求持續(xù)下滑，頭部廠商紛紛主動削減低端產(chǎn)能，將芯片制造產(chǎn)能、研發(fā)資源向高端、中端高附加值領(lǐng)域傾斜，避免低端市場的價格內(nèi)卷。這種清晰的需求分層，直接推動整個存儲產(chǎn)業(yè)的資源重構(gòu)。

變化三：存儲技術(shù)，持續(xù)演進(jìn)

需求分層與周期重構(gòu)，倒逼存儲技術(shù)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化迭代的快車道。

在傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品方面，10nm以下DRAM制造工藝正成為主流，并逐步向7nm工藝突破，通過“FinFET架構(gòu)+TSV技術(shù)”提升密度、降低功耗。3D NAND堆疊層數(shù)突破400層后，“垂直堆疊”難度加劇，廠商轉(zhuǎn)向“水平擴(kuò)展+架構(gòu)優(yōu)化”，比如三星V-NAND的階梯式架構(gòu)、Kioxia的BiCS架構(gòu)，同時引入“HKC（高K介質(zhì)+金屬柵）”技術(shù)，解決高層數(shù)堆疊的漏電、散熱問題，制造工藝從“層數(shù)競賽”轉(zhuǎn)向“架構(gòu)+工藝”雙重競爭。

然而，隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)增長，DRAM及NAND在耗電量及數(shù)據(jù)訪問速度上依舊無法跟上需求的腳步。他們在需要高速運(yùn)算的應(yīng)用場景中也有一些阻礙。

彼時，新興技術(shù)正從邊緣切入，重構(gòu)存儲生態(tài)。比如MRAM（磁阻存儲器）兼具SRAM速度、DRAM密度與Flash非易失性，已在車規(guī)級MCU、工業(yè)控制器中商用，三星、臺積電、英特爾等均在持續(xù)推進(jìn)該技術(shù)進(jìn)展。ReRAM（阻變存儲器）單元面積小，讀寫速度是NAND的1000倍，同時功耗可以降低15倍。CXL（Compute Express Link）雖非存儲介質(zhì)，卻是內(nèi)存池化的關(guān)鍵。通過CXL，服務(wù)器可將多個DRAM/HBM模塊虛擬為統(tǒng)一內(nèi)存池，大幅提升AI訓(xùn)練效率。Intel、AMD、三星正推動其成為下一代數(shù)據(jù)中心標(biāo)配。不過，新興存儲并非要“取代”DRAM或NAND，而是填補(bǔ)其無法覆蓋的“價值縫隙”。未來將是“傳統(tǒng)+新興”的分層共存格局。

變化四：新興先進(jìn)封測技術(shù)的興起

CoWoS先進(jìn)封裝可謂HBM的黃金搭檔。隨著全球?qū)τ诟咝阅苡嬎悖℉PC）及人工智能（AI）芯片需求的持續(xù)增長，也推動了對于臺積電CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先進(jìn)封裝產(chǎn)能的需求暴漲，雖然臺積電持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，但依然難以滿足市場需求，成為了限制HPC及AI芯片產(chǎn)能的另一關(guān)鍵瓶頸。這也使得部分客戶考慮尋求臺積電CoWoS以外的替代方案，其中就包括英特爾的EMIB-T先進(jìn)封裝技術(shù)。

EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特爾原有EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術(shù)基礎(chǔ)上的一次關(guān)鍵升級。傳統(tǒng)EMIB利用嵌入在封裝基板中的硅橋，實(shí)現(xiàn)多顆裸晶之間的高速互連。

而EMIB-T則在硅橋中引入TSV通孔結(jié)構(gòu)，使得信號可垂直穿越橋接芯片本體，實(shí)現(xiàn)更高密度、更短路徑的垂直互連。

這種架構(gòu)帶來三大直接優(yōu)勢：

帶寬提升：TSV大幅縮短互連距離，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠支持HBM4等超高帶寬需求；延遲降低：橋接器內(nèi)部的TSV路徑比傳統(tǒng)封裝走線更短，有效降低數(shù)據(jù)通信延遲；功耗優(yōu)化：短路徑低電容，有助于降低整體系統(tǒng)功耗，符合高性能芯片的PPA（功耗、性能、面積）優(yōu)化目標(biāo)。

從設(shè)計角度看，EMIB-T不再局限于簡單的2.5D互連，而是向3D封裝技術(shù)Foveros靠攏，使得在更大芯片尺寸下實(shí)現(xiàn)高密度集成成為可能，為未來異構(gòu)計算平臺提供靈活封裝架構(gòu)。

據(jù)悉，蘋果公司與高通公司在新的職位招聘要求中，都明確列出了需要英特爾的EMIB 與Foveros 等先進(jìn)封裝技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，顯示多家大廠正尋求CoWoS 以外的替代方案。

FOPLP也正憑借規(guī)模化優(yōu)勢快速崛起，被視為CoWoS的潛在繼任者。FOWLP基于圓形晶圓進(jìn)行封裝，由于晶圓形狀為圓盤狀，邊緣區(qū)域難以充分利用，導(dǎo)致芯片放置面積較小。尺寸與利用率優(yōu)勢是FOPLP的核心競爭力。FOPLP采用方形大尺寸面板作為載板，而非8英寸或12英寸晶圓。

以600mm×600mm面板為例，其面積是12英寸晶圓載板的5.1倍，單片產(chǎn)出芯片數(shù)量大幅增加。同時，F(xiàn)OPLP的面積利用率超95%，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)晶圓級封裝的85%，同等面積下面板可多容納1.64倍芯片。基板面積增大持續(xù)降低成本，200mm向300mm過渡節(jié)約25%成本，300mm向板級封裝過渡更可節(jié)約66%成本。

三星在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中積極應(yīng)用FOPLP技術(shù)，其用于可穿戴設(shè)備的Exynos W920處理器結(jié)合了5納米EUV工藝與FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技術(shù)；AMD、英偉達(dá)等公司正與臺積電及OSAT供應(yīng)商合作，計劃將FOPLP整合至其下一代芯片產(chǎn)品。中國大陸廠商也在積極布局FOPLP領(lǐng)域，華潤微電子、成都奕斯偉、中科四合等已進(jìn)入該領(lǐng)域，部分具備量產(chǎn)能力。

變化五：競爭格局從“三足鼎立”到“多元博弈”

傳統(tǒng)存儲行業(yè)長期由三星、SK 海力士、美光三家主導(dǎo) DRAM，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士主導(dǎo) NAND，形成穩(wěn)定的 “三足鼎立 + 五強(qiáng)割據(jù)” 格局，定價權(quán)、技術(shù)路線、產(chǎn)能節(jié)奏高度集中。但 2025—2026 年，隨著 AI 需求爆發(fā)、先進(jìn)封裝獨(dú)立成鏈、本土廠商技術(shù)突破，行業(yè)正式進(jìn)入多極競爭的全新博弈階段。

其中頭部廠商正從“價格協(xié)同” 轉(zhuǎn)向 “技術(shù)卡位”：三星、SK 海力士、美光已放棄低端價格戰(zhàn)，全面轉(zhuǎn)向HBM、高端 DDR5、企業(yè)級 SSD、高堆疊 NAND等高毛利賽道。鎧俠、西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 領(lǐng)域持續(xù)深耕，聚焦BiCS、XL-Flash架構(gòu)優(yōu)化，主攻數(shù)據(jù)中心大容量存儲與消費(fèi)級高端市場；國產(chǎn)存儲廠商憑借成熟工藝與差異化架構(gòu)，正式進(jìn)入全球主流通路。

除眾所周知的兩大存儲龍頭企業(yè)外，還有諸多國產(chǎn)存儲企業(yè)嶄露頭角。兆易創(chuàng)新作為全品類存儲龍頭，聚焦NOR Flash、利基DRAM等領(lǐng)域，其NOR Flash全球市占率達(dá)18%，穩(wěn)居全球第二、國內(nèi)第一，SPI NAND國內(nèi)市占率領(lǐng)先，同時與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈深度協(xié)同，車規(guī)、工業(yè)級存儲產(chǎn)品全面突破，成為國產(chǎn)存儲“設(shè)計+生態(tài)”協(xié)同發(fā)展的標(biāo)桿。

江波龍作為“存儲器第一股”，以PTM商業(yè)模式實(shí)現(xiàn)差異化突圍，覆蓋嵌入式存儲、固態(tài)硬盤等四大產(chǎn)品線，其eMMC和UFS產(chǎn)品全球排名第四，自主研發(fā)的主控芯片已批量出貨，累計小容量NAND Flash出貨量超1億顆，廣泛應(yīng)用于IoT、汽車、安防等領(lǐng)域。

此外，瀾起科技作為全球內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，國內(nèi)市占率約40%；佰維存儲憑借自研主控+封測一體化優(yōu)勢，在嵌入式存儲領(lǐng)域占據(jù)國內(nèi)領(lǐng)先地位。依托國家產(chǎn)業(yè)扶持與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這些廠商加速產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代，搭配長電科技、通富微電等配套企業(yè)，構(gòu)建起完整的國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈，逐步實(shí)現(xiàn)從細(xì)分突圍到全面崛起，成為全球存儲市場的重要一極。

存儲芯片，漲勢還能維持多久？

日前，TrendForce集邦咨詢?nèi)嫔闲薜谝患綝RAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格季成長幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調(diào)至55-60%，并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。

具體到細(xì)分領(lǐng)域，2026年第一季PC DRAM價格將季增100%以上，漲幅達(dá)歷史新高。Server DRAM價格上漲約90%，幅度創(chuàng)歷年之最。至于Mobile DRAM市場，第一季LPDDR4X、LPDDR5X合約價皆大幅上調(diào)至季增90%左右, 幅度同樣是歷來最高。在NAND Flash市場部分，2026年第一季Enterprise SSD價格將季增53-58%，創(chuàng)下單季漲幅最高紀(jì)錄。

2026年1月份，三星電子與SK海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價，今年一季度報價將較去年第四季度上漲60%-70%。閃迪計劃在3月期間，將其用于企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的高容量3D NAND閃存芯片價格環(huán)比上調(diào)超過100%，并要求客戶支付全額現(xiàn)金預(yù)付款。力成、華東、南茂等存儲封測廠產(chǎn)能利用率近乎滿載，陸續(xù)調(diào)升封測價格，調(diào)幅上看三成，后續(xù)不排除啟動第二波漲價。

至于存儲芯片，漲勢還能維持多久？不同的機(jī)構(gòu)、公司均發(fā)布了相關(guān)預(yù)測，指向2026年未有消退跡象。

美光科技公司表示，內(nèi)存芯片短缺在過去一個季度愈演愈烈，供應(yīng)緊張狀況將持續(xù)到2026年之后。

新思科技CEO Sassine Ghazi透露，頂級制造商的大部分內(nèi)存用于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施，許多其他產(chǎn)品也需內(nèi)存，導(dǎo)致其他市場面臨短缺，因無剩余容量可用。 Ghazi還稱，存儲器芯片價格上漲及短缺將持續(xù)到2027年。雖然芯片公司正擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，但至少需兩年才能實(shí)現(xiàn)，這也是產(chǎn)能緊張持續(xù)的原因之一。

瑞銀Nicolas Gaudois最新報告顯示，DRAM預(yù)計供應(yīng)短缺將持續(xù)到2027年第一季度，其中DDR需求增長20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增長。NAND短缺情況預(yù)計延續(xù)至2026年第三季度。