國產(chǎn)HBM重大突破！合肥聯(lián)盟攻克2.5D封裝核心技術(shù)，2026年底試產(chǎn)

2026年2月23日，合肥HBM聯(lián)盟傳來重磅進(jìn)展：由國內(nèi)存儲(chǔ)、封測、設(shè)備、接口芯片龍頭企業(yè)聯(lián)合組建的產(chǎn)業(yè)聯(lián)合體，正式攻克HBM2.5D封裝全鏈條關(guān)鍵技術(shù)，標(biāo)志著國產(chǎn)高端AI存儲(chǔ)芯片進(jìn)入規(guī)?；耙?。

一、聯(lián)盟構(gòu)成：全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同攻堅(jiān)

本次突破并非單一企業(yè)成果，而是國產(chǎn)HBM生態(tài)的集體突圍。合肥HBM聯(lián)盟成員涵蓋：

- 存儲(chǔ)芯片：長鑫存儲(chǔ)

- 先進(jìn)封測：深科技、盛合晶微

- 核心設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司

- 接口控制：瀾起科技

聯(lián)盟目標(biāo)直指打破三星、SK海力士在高端HBM領(lǐng)域的雙寡頭壟斷，補(bǔ)齊國產(chǎn)AI算力最后一塊短板。

二、核心突破：2.5D封裝關(guān)鍵技術(shù)全面攻克

HBM的最大難點(diǎn)在于高密度堆疊與先進(jìn)封裝，本次聯(lián)盟實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)標(biāo)：

- TSV硅通孔技術(shù)：精度≤5μm，良率穩(wěn)定95%以上

- 12英寸硅中介層：線寬/線距≤2μm，支持8層DRAM堆疊

- 10μm級(jí)微凸塊：鍵合強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)

- 專用熱管理方案：滿足AI高帶寬場景下長期穩(wěn)定運(yùn)行

目前，國產(chǎn)封裝設(shè)備替代率已超70%，封測基地月產(chǎn)能達(dá)8萬片以上，具備快速上量條件。

三、HBM2產(chǎn)品規(guī)格與量產(chǎn)時(shí)間表

產(chǎn)品核心參數(shù)

- 產(chǎn)品類型：HBM2

- 堆疊層數(shù)：8層

- 單顆容量：4GB/8GB

- 單顆帶寬：256GB/s

- 核心工藝：長鑫1αnm DRAM

量產(chǎn)節(jié)奏

- 2026年Q1：完成工程樣片，通過國內(nèi)AI芯片廠商驗(yàn)證

- 2026年底：小批量試產(chǎn)，月產(chǎn)能5000–10000片

- 2027年Q2：規(guī)模量產(chǎn)，正式進(jìn)入高端AI服務(wù)器供應(yīng)鏈

- 2027年下半年：同步啟動(dòng)HBM3研發(fā)

四、戰(zhàn)略意義：國產(chǎn)AI算力不再“卡脖子”

此次突破意味著：

1. 填補(bǔ)高端AI存儲(chǔ)空白，實(shí)現(xiàn)從0到1的關(guān)鍵跨越

2. 成本大幅下降，量產(chǎn)后預(yù)計(jì)比進(jìn)口產(chǎn)品低30%–40%

3. 支撐國產(chǎn)GPU/AI芯片生態(tài)，形成“芯片+HBM+封裝”完整自主產(chǎn)業(yè)鏈

4. 緩解全球HBM供應(yīng)緊張，為中國AI算力基建提供穩(wěn)定保障

隨著2026年底試產(chǎn)啟動(dòng)，國產(chǎn)HBM將正式進(jìn)入全球AI存儲(chǔ)賽場。