臺積電改寫GaN格局

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過去十年，臺積電是GaN行業(yè)的隱形支柱，臺積電是全球唯一一家能夠提供高低壓雙襯底GaN解決方案的晶圓代工廠。納微半導（Navitas）、羅姆（ROHM）等頭部玩家的旗艦產品，無一不誕生于臺積電的6英寸及8英寸生產線。然而，2025 年 7 月，臺積電對外明確，將逐步退出GaN foundry服務，并計劃在2027年7月31日徹底完成退出。

因為臺積電的這一決定，GaN的江湖格局正在被改寫。

二線晶圓廠加緊接盤

隨著臺積電退出，GaN 純代工正在從“先進代工牽引”，轉向特色工藝晶圓廠主導。一批具備成熟工藝、成本優(yōu)勢和長期產能規(guī)劃能力的二線晶圓代工廠，正加速承接其釋放出的產能空位，成為新一輪 GaN 制造能力再配置的核心承載者。

格芯（GF）是這一輪接盤中最具戰(zhàn)略意味的玩家之一。其在 2025 年 11 月 10 日官宣，已與臺積電簽署 GaN 技術授權協(xié)議，覆蓋 650V（高壓）與 80V（低壓）兩類電源工藝，并給出明確節(jié)奏：目標在 2026 年底前進入可用階段。與此同時，GF 正將佛蒙特州工廠定位為美國戰(zhàn)略性 GaN 生產中心，并獲得超過 8000 萬美元的聯(lián)邦政府資金支持。這一布局并非單純的商業(yè)擴產，而是將 GaN 明確納入美國本土功率半導體與能源基礎設施體系之中。

作為臺積電的子公司，世界先進（VIS）于2026年1月28日官宣：已與臺積電簽署GaN技術授權協(xié)議，同樣覆蓋 650V與 80V，并強調其將擴展 GaN-on-Si 能力，形成“高低壓+多襯底”的組合敘事。VIS的定位非常明確：利用成熟的8英寸產能，承接臺積電退出的中低毛利訂單，成為全球GaN代工的新重心。

臺積電通過技術授權精準地扶持了一批繼任者，其定義的工藝標準依然是事實上的行業(yè)準則。即便不再代工，它依然掌握著該領域的話語權和專利費分成。

在下游客戶層面，作為臺積電曾經最大的 GaN 客戶，納微半導（Navitas）的應對路徑，清晰映射了 Fabless GaN 廠商的現實選擇。隨著臺積電 2027 年停產節(jié)點逐步明確，Navitas 已迅速啟動供應鏈“備胎計劃”。

一方面與力積電（PSMC）達成量產合作。Navitas在2025年7月1日博文/公告中披露，與力積電（PSMC）規(guī)劃 200mm GaN-on-Si 生產，100V 產品預計在 2026 年上半年率先量產；650V 產品將從其“現有供應商 TSMC”向 PSMC 在未來 12–24 個月內逐步轉移。并且納微把GaN需求直接對準 48V 基礎設施、超大規(guī)模 AI 數據中心與電動車。

另一方面，Navitas 亦加深與格芯佛蒙特州產線的綁定關系，以進一步分散制造風險。

從更廣泛的產業(yè)結構看，臺積電的退出并未削弱 GaN 的產業(yè)價值，反而推動其制造能力向更廣泛的特色工藝體系擴散，產能遍地開花。例如，2025 年 9 月，德國代工廠 X-Fab 正式推出 GaN-on-Si 晶圓代工服務，覆蓋 MPW、原型制作及批量生產，進一步補齊歐洲在功率 GaN 代工側的能力拼圖。

當 GaN 不再依賴單一頂級先進代工廠，而是分布在 GF、VIS、PSMC、X-Fab 等多家特色工藝晶圓廠之中，其結果并非技術降級，而是 GaN 正式進入規(guī)模化產業(yè)擴散階段：產能來源更加多元，供應瓶頸被打破，Fabless 與 IDM 均可在更可控的制造體系中制定中長期產品規(guī)劃，產業(yè)鏈的整體彈性與覆蓋面顯著提升。

IDM模式，羅姆的選擇

此前一直將650V耐壓產品的前道工序委托給臺積電的羅姆，近日在2026年2月4日舉行的財報說明會上，羅姆社長東克己在回答《EE Times Japan》的提問時透露：“考慮到我司此前一直與臺積電共同開發(fā)的淵源，我們已轉向從臺積電購買許可、進行自主生產的方向。”

生產將在羅姆半導體位于日本中部城市濱松的子公司進行。濱松以其制造業(yè)傳統(tǒng)而聞名，羅姆半導體計劃在那里建立一條新的8英寸（200毫米）晶圓生產線，專門用于生產氮化鎵器件。

與此同時，羅姆也為潛在的需求超預期情形預留了產能彈性方案：在必要情況下，可將部分產能外包至臺積電子公司世界先進（VIS），以平衡交付節(jié)奏與制造風險。

在 GaN 領域，IDM 路線的代表并不只有羅姆。包括英飛凌、意法半導體、安森美等功率半導體廠商，均在不同程度上將 GaN 納入自身 IDM 體系之中。盡管各家在外延獲取、晶圓尺寸和工藝節(jié)奏上存在差異，但其共同特征是：核心工藝與關鍵產能不完全外包，強調器件可靠性、壽命與系統(tǒng)級驗證能力，優(yōu)先服務車規(guī)、工業(yè)與基礎設施等長周期市場。這一取向與 GaN 器件在高壓、高可靠應用中的技術屬性高度契合。相較于以成本與彈性見長的純代工模式，IDM 廠商更容易在材料選擇、器件結構、電性一致性與失效率控制上形成長期積累。

羅姆的選擇并不只是一次供應鏈調整，而是把 GaN 從“高度依賴先進代工廠的特色工藝”，重新拉回到以 IDM 為主導的功率半導體產業(yè)邏輯之中。這種路徑也與日本半導體廠商長期強調的制造掌控力、品質穩(wěn)定性與長期可靠交付的經營哲學保持高度一致。

GaN需求沒塌，反而變的更熱

很多人會誤讀成“臺積電不做了 → GaN 需求會塌”。現實更可能相反。由于其優(yōu)異的材料特性（包括高電子遷移率、高擊穿電場和優(yōu)異的導熱性），氮化鎵正迅速從消費級快速充電應用擴展到要求更高的工業(yè)和先進技術領域，例如數據中心、新能源汽車和人形機器人。Yole預計到2030年GaN市場規(guī)模將達到約30億美元。從2024年到2030年，該市場將實現令人矚目的42%的復合年增長率。

• 從市場細分來看，消費領域仍是當前最大的出貨來源，尤其是功率高達 300W 的快充設備，以及 OVP、家電電源等新興應用。預計到 2030 年，消費與移動領域合計仍將貢獻50%以上的市場份額。但需要注意的是，這一部分更多體現的是規(guī)模效應，而非技術牽引的上限空間。

• 汽車與出行領域則展現出更強的成長彈性。盡管短期受到 xEV 市場節(jié)奏放緩的影響，但 Yole 預計，該領域在 2024–2030 年期間仍將實現 73% 的復合年增長率。2025年12月8日，采用英諾賽科650V氮化鎵的新一代6.6kWOBC系統(tǒng)在長安汽車順利裝車，該系統(tǒng)實現了業(yè)內領先的充電效率和整機功率密度，為車載電源技術樹立了新標桿。目前，GaN 已在 ADAS 系統(tǒng)中的 LiDAR 電源環(huán)節(jié)實現落地，未來有望進一步擴展至車載充電器（<11kW）、DC-DC 轉換器、車載音頻系統(tǒng)以及高端電動車平臺。到 2030 年，該領域預計將占據約19%的市場份額。

• 真正改變 GaN 產業(yè)定位的，是數據中心。AI 負載的快速增長，使電源系統(tǒng)從“配套環(huán)節(jié)”躍升為系統(tǒng)效率的關鍵瓶頸。在 3kW 以上的電源單元中，GaN 在體積、能效和運行成本方面的優(yōu)勢開始顯性化。2025年，英偉達發(fā)布新一代數據中心架構，隨之帶動了包括德州儀器、納微半導、英飛凌、英諾賽科、安森美在內的一批功率半導體廠商協(xié)同推進GaN在800V高壓直流（HVDC）電源系統(tǒng)中的導入。預計到 2030 年，數據中心與電信領域將貢獻 約 13%的 GaN 市場規(guī)模，但其技術外溢效應遠高于表觀占比。

那話又說回來，為什么臺積電反而選擇退出？答案并不復雜：不是 GaN 不重要，而是“不夠重要”。即便GaN制造業(yè)務保持高速增長，其體量與利潤水平，仍難以與臺積電的核心業(yè)務——服務于從大模型訓練到自動駕駛的尖端 AI 處理器制造——相提并論。臺積電已計劃將新竹Fab 5（現有 GaN 產線）改造為先進封裝基地，用于承接CoWoS等需求快速擴張的封裝工藝。這些能力直接服務于英偉達等客戶的AI芯片交付，是當前產業(yè)鏈中單位產能價值密度最高的環(huán)節(jié)。

簡言之，臺積電并非“看空 GaN”，而是選擇了 AI 時代的黃金，而非 GaN 的白銀。

大陸GaN制造版圖

作為 IDM 型 GaN 玩家，英諾賽科擁有全球最大規(guī)模的 8 英寸 GaN-on-Si 產能，并已形成從外延、生長、器件到量產交付的完整閉環(huán)。這一點，使其在當前 GaN 從消費電子向數據中心、AI 服務器等高功率密度場景遷移的過程中，占據了先發(fā)優(yōu)勢。

2026 年 2 月 3 日，英諾賽科宣布其 GaN 產品已完成谷歌 AI 硬件平臺的關鍵設計導入，并簽署正式合規(guī)供應協(xié)議。而早在去年8月，英諾賽科還披露了與英偉達的合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規(guī)模化落地。這些合作重點直指AI服務器與數據中心等高增長、高門檻市場。

在產業(yè)協(xié)同層面，英諾賽科并未封閉自身能力：與 STMicroelectronics開展 GaN 技術開發(fā)與制造合作；與安森美簽署戰(zhàn)略 MoU，將其成熟的 200 mm GaN-on-Si 工藝，與后者在系統(tǒng)集成和封裝上的能力結合。這使英諾賽科在大陸 GaN 產業(yè)鏈中，逐步扮演起“事實上的產能與工藝中心”角色，而不僅僅是一家 IDM。

除英諾賽科之外，大陸GaN制造的另一條主線，是以代工為核心的多路徑并行發(fā)展。

三安集成依托三安光電在 LED 與化合物半導體領域的長期積累，是國內最早提供 GaN 代工服務的廠商之一。其工藝覆蓋射頻（RF）與功率（Power）兩大方向，在基站射頻前端、低功耗快充等市場已實現規(guī)模出貨。

芯聯(lián)集成近年來在車規(guī)級 GaN 上的投入尤為突出。隨著臺積電明確收縮 GaN 代工布局，原本依賴其進行 8 英寸、車規(guī)級制造的設計公司，正在尋找替代方案，芯聯(lián)集成正處在這一“承接窗口”的中心位置。

賽微電子通過收購瑞典 Silex，并在國內布局產線，其子公司聚能晶源在 GaN 外延與代工領域形成了較高的技術壁壘，重點覆蓋高端工業(yè)與通信應用。

華潤微是典型的老牌 IDM 轉型，擁有成熟的 6 英寸和正在爬坡的 8 英寸線，主打中低壓消費電子市場，勝在供應鏈穩(wěn)定性。

可以說，大陸已經從GaN產業(yè)的邊緣角色，進入到全球制造版圖中不可忽視的結構性力量階段。

總結

回看這一輪格局重塑，臺積電的退出并沒有終結 GaN，反而加速了它從“依附先進代工的特色工藝”，走向獨立、自洽、可擴散的功率半導體產業(yè)。

一方面，GaN 制造正在去中心化：從單一頂級先進代工廠，轉向 GF、VIS、PSMC、X-Fab 以及大陸多家廠商并行承載；從“誰能把工藝做到最極限”，轉向“誰能穩(wěn)定交付、誰能長期供貨、誰能承受系統(tǒng)級責任”。

另一方面，產業(yè)主導權正在重新分配：IDM 廠商重新掌控核心工藝與關鍵產能，Fabless 廠商獲得更具彈性的制造選擇，而特色工藝晶圓廠則找到了明確且可持續(xù)的價值錨點。

更重要的是，GaN 的應用結構正在發(fā)生質變——從快充等消費級“規(guī)模市場”，邁入數據中心、車載電源與能源基礎設施等高可靠、高責任、高驗證成本的系統(tǒng)級場景。這一轉向，決定了 GaN 不再只是“有沒有性能優(yōu)勢”的問題，而是“誰能為系統(tǒng)效率、壽命與交付負責”的問題。

從這個角度看，臺積電的離場，并不是 GaN 的退潮信號，而是它完成早期技術驗證之后，進入產業(yè)成熟期的標志性節(jié)點。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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