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據(jù)坊間最新可靠消息來源爆料,AMD即將推出的Zen 6 CPU架構(gòu),將針對性提升L3緩存容量,以適配其核心復(fù)合體(CCD)核心數(shù)量的增加。
具體而言,Zen 6處理器的標(biāo)準(zhǔn)CCD將采用12核設(shè)計,同時配備高達(dá)48MB的L3級緩存,從而保持與前代相同的每核心L3緩存比例(4MB/核心)。
Zen 6 CCD的裸片面積約為76平方毫米,相較Zen 5的約71平方毫米增加了7%左右。盡管核心數(shù)與L3緩存容量均提升50%,但得益于臺積電N2(2nm級)工藝的更高晶體管密度,裸片尺寸的增幅得到了有效控制。
這也讓Zen 6成為自Zen 3以來,首個裸片面積超過前代架構(gòu)的Zen系列處理器。作為參考對比,Zen 3系列處理器的CCD約為83平方毫米,而Zen 4、Zen 5系列處理器的CCD面積則分別縮小至約73平方毫米、71平方毫米。
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以下為各代Zen CCD主要規(guī)格對比:
1. Zen 2 CCD:8核(2×4核CCX),32MB L3(2×16MB),臺積電N7工藝,約77mm2
2. Zen 3 CCD:8核,32MB統(tǒng)一L3,臺積電N7工藝,約83mm2
3. Zen 4 CCD:8核,32MB統(tǒng)一L3,臺積電N5工藝,約72mm2
4. Zen 5 CCD:8核,32MB統(tǒng)一L3,臺積電N4工藝,約71mm2
5. Zen 6 CCD:12核,48MB統(tǒng)一L3,臺積電N2工藝,約76mm2
總體而言,Zen 6引入12核CCD設(shè)計,是一次重大的結(jié)構(gòu)性變革。此前自Zen 3開始,AMD便實現(xiàn)了8核統(tǒng)一L3共享設(shè)計,徹底消除了Zen 2及更早世代中,跨CCX訪問需經(jīng)過Infinity Fabric的延遲瓶頸。
Zen 6則首次在標(biāo)準(zhǔn)消費(fèi)級核心上,實現(xiàn)了每CCD核心數(shù)量的實質(zhì)性提升,讓12個核心可完全共享同一塊48MB L3緩存,有望大幅提升多線程數(shù)據(jù)局部性與整體運(yùn)行效率。
AMD已確認(rèn),Zen 6是一款全新從頭設(shè)計的架構(gòu),重點強(qiáng)化多線程性能,同時采用臺積電N2工藝節(jié)點(刪除多余空格)。該節(jié)點相較前代可帶來15%左右的晶體管密度提升,以及相同功耗下最高15%左右的性能增益。這些工藝優(yōu)勢,正是Zen 6能實現(xiàn)更高核心密度、同時控制裸片面積微增的關(guān)鍵。
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目前,尚無Zen 6 X3D變體的具體規(guī)格細(xì)節(jié)披露,但鑒于3D V-Cache技術(shù)在游戲及特定專業(yè)工作負(fù)載中的巨大成功,AMD大概率會推出配備額外堆疊緩存的Zen 6 X3D型號。更高的基礎(chǔ)L3緩存容量(48MB vs Zen 5的32MB),將為未來的X3D版本提供更大的緩存擴(kuò)展空間,有望進(jìn)一步強(qiáng)化游戲性能和專業(yè)應(yīng)用表現(xiàn)。
需要強(qiáng)調(diào)的是,以上信息均來自泄露渠道(以HXL為代表),截至2026年1月尚未獲得AMD官方證實,準(zhǔn)確性仍有待后續(xù)驗證。小編將在第一時間分享更多相關(guān)最新動態(tài)和爆料,敬請關(guān)注。
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