飆漲208%！芯片，重大利好！

業績太炸裂！

今日（1月8日），全球芯片巨頭三星電子最新披露的業績顯示，2025年第四季度的營業利潤高達20萬億韓元（約合人民幣965億元），同比大幅飆漲208%，高于市場預期。分析指出，這一業績主要受益于AI熱潮下的存儲芯片漲價潮。

另外，臺積電也傳來利好催化。據最新消息，臺積電3nm制程持續供不應求，有業內人士透露，臺積電今年除調高3nm報價外，已暫時停止3nm新案啟動。摩根大通、野村證券均在最新發布的報告中，大幅上調了臺積電的目標價。

四季度營利飆漲208%

1月8日，三星電子發布了2025年第四季度初步業績，其中顯示，公司2025年第四季度的營業利潤高達20萬億韓元，較上年同期大幅增長208%，高于LSEG SmartEstimate預計的18萬億韓元。這將是三星有史以來最高的季度營業利潤。

初步業績報告顯示，三星電子第四季度銷售額同比增長23%，至93萬億韓元。這是三星單季銷售額連續兩個季度突破80萬億韓元，2025年第三季度的銷售額為86萬億韓元。

有分析指出，三星電子炸裂的業績背后是，供應緊張和AI驅動的需求激增推高了傳統存儲芯片的價格。

里昂證券韓國區研究主管Sanjeev Rana表示，2025年第四季度，DRAM芯片的平均售價環比上漲超30%，NAND閃存的平均售價環比上漲了約20%。

Counterpoint Research預測，2026年第一季度DDR5價格還將環比上漲40%，第二季度將進一步增長 20%。DDR5是當前電腦和服務器采用的最新一代傳統DRAM。

另據最新消息，三星電子與其競爭對手SK海力士已向服務器、PC及智能手機用DRAM客戶提出漲價，今年一季度報價將較去年第四季度大幅上漲60%—70%。

關于存儲芯片價格持續上漲的原因，有機構分析稱，一方面，芯片產業正轉向AI相關芯片的生產，傳統存儲芯片產能因此受到擠壓；另一方面，訓練和運行AI模型對傳統芯片與高端芯片的需求均在激增。

另外，在高帶寬存儲（HBM）領域，三星電子的進展也超出市場預期。三星首席執行官全永鉉此前表示，公司客戶對其下一代HBM芯片（即HBM4）的競爭優勢給予高度評價。

Counterpoint Research首席研究分析師Choi Jung-gu表示，HBM4中采用的先進1c工藝節點和4nm邏輯工藝，在速度和散熱方面都滿足了客戶的需求，并取得了良好的效果。

Sanjeev Rana預計，隨著HBM4進入商用階段，三星電子2026年的HBM出貨量將增加兩倍。

股價方面，三星電子今日股價一度大幅沖高，盤中最高漲超2%，再度創出歷史新高，隨后股價大幅回落，最終收跌1.56%。三星電子股價2025年全年的累計漲幅高達125%，創下二十六年來最大年度漲幅。

臺積電的利好

與此同時，臺積電也傳來重磅催化。據臺灣《工商時報》最新報道，臺積電先進制程維持高產能利用率，其中3nm制程持續供不應求。芯片業內人士透露，臺積電今年除調高3nm報價外，已暫時停止3nm新案啟動。

業內人士分析，主因在于訂單滿載、現有產能已難以負荷，短期內擴產速度亦難以追上客戶需求涌入。臺積電正鼓勵仍處于產品規劃初期的客戶，直接評估導入2nm制程，以利后續量產與成本配置。

另據摩根大通報告，臺積電2nm工藝流片數量達到3nm 同期的1.5倍，并有望憑借2nm工藝拿下全球AI加速器市場超過95%的份額。

摩根大通指出，臺積電為應對由 AI 浪潮引發的“芯片饑渴”，已制定激進的生產目標，計劃至2026年底，2nm工藝的晶圓月產能將達到驚人的140000片。這意味著，高性能計算領域將繼續高度依賴臺積電的先進支撐。

摩根大通預測，2026年將是臺積電又一個強勁的增長年，預計其營收將同比增長30%，而2027年也將維持20%以上的增速。這一增長背后的核心驅動力毫無疑問是AI數據中心需求。

摩根大通將2024—2029年數據中心AI收入的復合年增長率（CAGR）預測從53%上調至57%。預計到2029年，數據中心AI業務將占臺積電總營收的40%以上（2024年這一比例僅為十幾的中位數）。

為了應對從2026年延續到2028年的強勁需求，臺積電正在開啟新一輪的資本開支上行周期。

摩根大通預測，臺積電2026年資本開支約為480億美元，2027年將躍升至550億美元，以支持N2、N3及美國工廠的擴產。

責編：王璐璐

排版：汪云鵬

校對：冉燕青

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