中國芯另辟蹊徑打破“卡脖”，沒光刻機也能造芯，西方制裁成笑話

當美國將ASML公司的EUV光刻機納入“嚴格監(jiān)管對象”，禁止出口給中國時，一場針對中國半導體產業(yè)的“硅幕”已然落下。然而，歷史反復證明，最嚴密的封鎖往往催生最意想不到的突破。2025年，中國芯片產業(yè)傳來的消息，正在改寫這場不對稱博弈的劇本——無需追逐最尖端的光刻機，中國科學家正從材料、架構、計算范式等多個維度，開辟出超越傳統(tǒng)硅基芯片的新賽道。

就在西方試圖用7nm、5nm甚至3nm的工藝數(shù)字困住中國時，北京大學的科研團隊給出了截然不同的答案。這款芯片的核心奧秘在于其計算范式上的根本創(chuàng)新。它采用阻變存儲器作為計算核心，直接在28nm的成熟工藝線上實現(xiàn)量產。與傳統(tǒng)的數(shù)字芯片不同，它摒棄了復雜的數(shù)模轉換過程，利用電壓與電流直接進行矩陣運算。這種“短路”式設計帶來了驚人的效率提升——計算誤差被壓縮至千萬分之一，速度相比高端英偉達GPU快上千倍，能耗卻大幅降低。

更值得關注的是其實用性路徑。研究團隊從實驗室原型到可量產設計僅用數(shù)月時間，通過優(yōu)化電路設計和器件選擇，確保了與現(xiàn)有半導體產線的完全兼容。這意味著，中國無需等待EUV光刻機的解禁，就能在已掌握的成熟制程上，生產出滿足人工智能訓練等高性能計算需求的芯片。

當硅基芯片逼近物理極限，復旦大學周鵬團隊選擇了一條更為根本的突破之路——二維材料芯片。自2022年起，這支團隊便開始探索如何用原子層厚度的新材料，替代傳統(tǒng)的硅基半導體。

他們的研究歷程堪稱中國芯片突圍的縮影，從最初在硅片上集成二硫化鉬的謹慎嘗試，到2023年成功開發(fā)出異質互補場效應晶體管，再到2024年推出震撼業(yè)界的“無極芯片”——全球首款全二維材料32位RISC-V處理器，性能卻比同等工藝的傳統(tǒng)芯片快1.4倍，能耗降低90%。

二維材料芯片的戰(zhàn)略意義在于它完全跳出了傳統(tǒng)半導體工藝的競賽軌道。它不依賴EUV光刻機，不受硅基材料物理極限的約束，為后摩爾時代芯片發(fā)展提供了全新的中國方案。目前，該技術已在物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算等領域展現(xiàn)出巨大應用潛力，多家企業(yè)正在加速評估和導入。

回顧美國對華芯片管制的演進，層層加碼的制裁本意是延緩中國科技進步。然而，實際效果卻適得其反。中國半導體產業(yè)正在多條賽道上實現(xiàn)“繞道超車”，短期看封鎖阻止我們進步，但長遠來看，是無法禁錮一個民族對技術突破的渴望的！