手機(jī)內(nèi)存殺入AI服務(wù)器，英偉達(dá)攪動“內(nèi)存局”

創(chuàng)業(yè)圈聚焦創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)，關(guān)注創(chuàng)投機(jī)構(gòu)

長久以來，服務(wù)器內(nèi)存與手機(jī)內(nèi)存像是兩條永不相交的軌道——DDR在數(shù)據(jù)中心穩(wěn)穩(wěn)“飆性能”，LPDDR在手機(jī)端默默“省功耗”。

但英偉達(dá)可能即將改變這一行業(yè)定律，直接把“平行線”掰成了“交叉線”：它要把手機(jī)內(nèi)存LPDDR5X塞進(jìn)AI算力中心！

這一顛覆，無異于給本就高度緊缺的DRAM市場再添一記“重錘”，讓供應(yīng)鏈的神經(jīng)瞬間繃得更緊。Counterpoint分析指出，這對內(nèi)存供應(yīng)鏈來說是一次巨大的轉(zhuǎn)變，供應(yīng)鏈無法輕易消化如此大的需求。

01

為什么服務(wù)器開始“搶”手機(jī)的內(nèi)存

Counterpoint的報告認(rèn)為，英偉達(dá)的轉(zhuǎn)變主要原因是為了降低AI服務(wù)器功耗。

這并非英偉達(dá)的任性，而是物理定律的必然。

隨著 AI 模型參數(shù)突破萬億級，數(shù)據(jù)中心的“能耗墻”危機(jī)日益嚴(yán)峻。傳統(tǒng)的 DDR5 內(nèi)存雖然容量大，但在高頻運(yùn)行時功耗驚人。而 LPDDR5X天生具備低電壓、低功耗的基因，且在速率上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對標(biāo)準(zhǔn) DDR 的反超。

然而，英偉達(dá)的方案有一個痛點(diǎn)：LPDDR 通常是焊死在主板上的，無法像傳統(tǒng)內(nèi)存條那樣插拔升級。于是，一個新的硬件形態(tài)應(yīng)運(yùn)而生——LPCAMM2。

這是一種將 LPDDR5X 芯片做成“可插拔模組”的新標(biāo)準(zhǔn)。它完美結(jié)合了 LPDDR 的高能效和 DDR 的模塊化，正在成為戴爾、聯(lián)想等服務(wù)器廠商布局下一代“綠色數(shù)據(jù)中心”的關(guān)鍵。

英偉達(dá)的這一轉(zhuǎn)變將對行業(yè)帶來深遠(yuǎn)影響：未來的AI服務(wù)器，很可能是 LPDDR5X 與 DDR5 并行的“雙軌時代”。

但問題隨之而來：全球都在搶 HBM（高帶寬內(nèi)存），誰來保證海量的 LPDDR5X和 DDR5 供應(yīng)？

02

長鑫“雙芯”：為算力基座“換血”

在這個算力需求井噴、但供應(yīng)極度緊缺的時間窗口，國產(chǎn)存儲龍頭長鑫存儲新品的發(fā)布，為高度承壓的服務(wù)器內(nèi)存市場帶來重磅消息。

長鑫此次發(fā)布的DDR5和LPDDR5X兩大新品，正覆蓋了未來服務(wù)器的兩大核心需求。其中LPDDR5X，正是Counterpoint報道的英偉達(dá)重點(diǎn)押注的產(chǎn)品線。

長鑫存儲最新LPDDR5X的最高速率達(dá)到10667 Mbps，這一數(shù)據(jù)不僅刷新了國產(chǎn)紀(jì)錄，更直接觸達(dá)了三星、美光、海力士同類產(chǎn)品的最高速率。在大規(guī)模服務(wù)器應(yīng)用中，這意味著更快的數(shù)據(jù)吞吐速度。

同時，長鑫存儲LPDDR5X相比上一代產(chǎn)品，功耗降低了 20%。在成千上萬臺服務(wù)器日夜轟鳴的數(shù)據(jù)中心，20%的能耗節(jié)省，對應(yīng)的是數(shù)以億計(jì)的電費(fèi)成本下降。業(yè)界推測，長鑫這款極致性能的 LPDDR5X 顆粒，將是LPCAMM2 模組的最佳載體，為國產(chǎn)服務(wù)器在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)海量計(jì)算提供了可能。

長鑫存儲同時發(fā)布的DDR5產(chǎn)品則契合了服務(wù)器的另一大需求——大容量。本次長鑫存儲推出自主研發(fā) DDR5，最高速率突破 8000Mbps，并推出了單顆 24Gb 的超大容量顆粒。

在當(dāng)前數(shù)據(jù)運(yùn)算量劇增的情況下，服務(wù)器單機(jī)內(nèi)存容量往往需要達(dá)到 TB 級別。長鑫的 24Gb 顆粒，使得單條內(nèi)存模組的容量上限大幅提升，這使得服務(wù)器廠商可以實(shí)現(xiàn)更高效的內(nèi)存擴(kuò)容。

03

掌握服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)自主權(quán)

從英偉達(dá)押注LPDDR5X，到即將爆發(fā)的 LPCAMM2 標(biāo)準(zhǔn)，服務(wù)器內(nèi)存正在經(jīng)歷一場架構(gòu)級的革命。

在過去，這種核心部件的供應(yīng)鏈高度依賴海外內(nèi)存三巨頭。一旦海外廠商因轉(zhuǎn)產(chǎn) HBM 而縮減 LPDDR/DDR 產(chǎn)能——正如現(xiàn)在正在發(fā)生的，下游服務(wù)器廠商就會面臨“無米下鍋”的窘境。

長鑫存儲“雙芯”的發(fā)布，代表著更高層次上的戰(zhàn)略意義：證明了中國企業(yè)不僅能造出“能用”的內(nèi)存，更能造出符合數(shù)據(jù)中心嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)、性能領(lǐng)跑國際一流的“好用”內(nèi)存。

而隨著AI的算力需求改變服務(wù)器市場格局，英偉達(dá)將手機(jī)內(nèi)存引入服務(wù)器場景，意味著LPDDR有望成為算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的下一個中心，推動服務(wù)器廠商大規(guī)模采用LPDDR5X進(jìn)行架構(gòu)創(chuàng)新。長鑫存儲的雙芯產(chǎn)品，不僅強(qiáng)化了其在DRAM第一大領(lǐng)域服務(wù)器市場的產(chǎn)品競爭力，也能夠?yàn)槲磥淼姆?wù)器架構(gòu)創(chuàng)新提供了核心動力。

作者 | 唐洛

編輯 | 唐洛

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