美國被中國拖入拉鋸戰，國產光刻機投產之日，就是中國反攻之時

近日路透社披露，深圳已誕生首臺EUV 光刻機原型機，雖仍處測試階段、暫未產出可用芯片，但已能射出極紫外光，這標志著中國在半導體 “卡脖子” 領域邁出關鍵一步。

外媒將這一工程比作中國的 “曼哈頓” 計劃，足見其戰略分量與技術難度。

面對美國的技術封鎖，中國采取 “飽和式研發” 雙線并行策略：一邊攻堅 EUV 光刻機，瞄準 5 納米以下先進制程；一邊深耕 DUV 光刻機自主化，通過多次曝光技術實現 7 納米甚至 5 納米芯片量產。2023 年，國產 7 納米芯片搭載某品牌手機上市，不僅轟動全球，更讓美國的制裁網絡出現裂痕。如今，國產7納米及等效 5 納米芯片已穩定出貨，相關手機品牌時隔 4 年重返中國市場榜首，用市場成績印證了技術突圍的成效。

盡管 DUV 多次曝光方案存在成本高、良率略低的短板，但在封鎖之下，“先立足、再精進” 才是務實選擇。目前全球僅臺積電、三星和中國這家代工廠能生產 7 納米以上先進芯片，反觀曾是行業翹楚的英特爾，卻長期卡在 10 納米制程難有突破，這也成為美國急于拉攏臺積電的核心原因。更關鍵的是，中國已通過芯片堆疊、軟件優化等技術，讓現有產品計算性能比肩國際頂尖水平，為后續競爭筑牢根基。

光刻機攻堅的背后，是中美 AI 競賽的 “馬恩河時刻”。2023 年國產 7 納米芯片量產，徹底打破了美國靠算力優勢速戰速決的幻想，就像一戰馬恩河戰役終結德軍 “施里芬計劃”，科技競爭進入長期拉鋸階段。AI 競爭的核心是算力、數據與算法的較量，中國在數據積累和算法層面已不遜美國，短板僅在先進芯片數量 ，而這正是光刻機攻堅要解決的關鍵問題。

目前，中國已能生產對標英偉達 A100 的 AI 芯片，昇騰 910 某型號的推理性能更是達到 H100 的 60%。但要追趕 4 納米制程的 H200 芯片，EUV 光刻機的突破不可或缺。面對美國允許出口 H200 卻抽取 25% 提成的 “傾銷陷阱”，中國選擇拒絕接收，避免干擾國產芯片迭代，展現了自主可控的堅定決心。

攻克 EUV 光刻機絕非易事，這臺包含 10 萬余個零部件、匯聚 5000 多家西方供應商技術的 “工業明珠”，是整個西方前沿工業的結晶。但中國在造船、光伏、新能源汽車等領域，早已證明 “以一國之力破西方之圍” 的能力。按照規劃，純國產 DUV 和 EUV 光刻機有望在 “十五五” 期間投產，其中 DUV 可能已進入調試或試生產階段。

長遠來看，美國在 AI 持久戰中已顯露疲態。英偉達每代芯片研發成本超 200 億美元，而中國市場貢獻其 13% 的銷售額，失去這一市場將嚴重削弱其研發后勁；中國發電量是美國的 2.5 倍，電力基礎設施領先兩代，能充分支撐算力中心擴張；AI 人才數量比美國多出 1.5 萬且持續增長，這些優勢都將隨光刻機突破逐步轉化為勝勢。

值得一提的是，中國軍用芯片早已實現自主保障 ，軍用芯片更重可靠性，45 納米以上制程已能滿足多數需求，僅前沿軍事研究需高性能芯片，這也是美國緊盯相關技術出口的原因。但隨著民用先進制程技術成熟，軍用芯片的性能升級自然水到渠成。

光刻機的光芒背后，是國家意志的凝聚與科研人員的堅守。正如歷史上所有關鍵技術突破一樣，中國在半導體領域的突圍或許會歷經波折，但最終必將打破封鎖，用自主創新書寫科技發展的新篇章，重塑全球科技競爭的新格局。