SiC供過于求，中國加速設備國產化

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功率型碳化硅（SiC）市場正持續轉型。在經歷了2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，該行業目前正進入調整期。Yole Group最新發布的報告對這一轉變進行了深入分析。

他們表示，汽車市場的放緩降低了對碳化硅的需求，從而改變了碳化硅的供應鏈。產能利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了業內人士的擔憂。然而，盡管市場放緩，碳化硅在電氣化路線圖中仍然占據核心地位，預計到2030年，其器件收入將接近100億美元。

由2019年至2024年資本支出激增推動的行業首個主要投資周期，造成了上游產能的嚴重過剩。截至2025年，上游工藝的產能利用率已降至50%左右，器件生產線的產能利用率已降至70%左右。預計這種低迷狀態將持續到2027-2028年，屆時8英寸生產平臺以及下一代溝槽和超結MOSFET將帶來新的增長。

大部分新增設備資本支出集中在中國大陸，因為政府鼓勵本地采購設備。到2024年，中國企業已占據約40%的碳化硅晶圓和外延晶圓產能，并正迅速擴張至器件制造領域。雖然設備生態系統尚未完全實現自給自足，但國內供應商在PVT和HTCVD設備領域已取得顯著進展。

Yole Group的Taguhi Yeghoyan指出： “中國在碳化硅前端加工能力方面正在迅速追趕。盡管國際企業在減薄、計量和先進離子注入方面仍然保持領先地位，但中國本土供應商現在已在碳化硅晶體生長和外延方面展開正面競爭。”

盡管經濟低迷，但IDM廠商仍在200mm SiC產能和先進MOSFET架構方面進行戰略投資，即使中國國內生態系統正在發展壯大，IDM廠商仍保持著全球領先地位。

中國加速設備國產化

近年來，受電動汽車和工業需求的推動，功率型碳化硅（SiC）器件市場蓬勃發展，預計2024年至2030年將以23.9%的復合年增長率增長。這一擴張得益于2025年前產能的大幅提升，而這主要得益于2019年啟動的第一波投資浪潮。與硅設備的兼容性加快了從實驗室到晶圓廠的生產進程，但也造成了嚴重的產能過剩，預計到2025年產能利用率將降至50%至70%左右。設備資本支出在2023年達到峰值后將大幅下降，預計在2027/2028年觸底，導致2024年至2030年的復合年增長率為-7%。

盡管如此，垂直整合型企業仍以低于2023年的水平繼續投資，以提升盈利能力。隨著周期觸底反彈，器件收入回升，新的投資將轉向器件加工和后端領域。測試設備表現突出，預計 2024 年至 2030 年的復合年增長率將達到 3%，這反映出隨著 SiC 的普及加速，對先進驗證的需求穩步增長。

生產能力轉移到亞洲，設備也隨之轉移

碳化硅晶圓和器件生態系統最初在歐洲、美國和日本扎根，過去十年間，以汽車功率器件領軍企業為首的大規模投資重塑了這些地區的產業格局。然而，到2025年，這一格局將發生顯著變化，與更廣泛的半導體行業格局相呼應：中國大陸正在迅速擴張產能，這得益于巨額的私人和公共資金投入，而芯片制造商的盈利能力卻鮮有考慮。因此，預計未來五年內，全球超過50%的晶圓產能將位于中國，而器件產能則主要仍由在東南亞運營晶圓廠的西方企業掌控。這種地域格局的重新平衡也重塑了設備生態系統——中國本土供應商正在快速擴張，而國際供應商也越來越多地在東南亞設立制造和銷售機構，以保持競爭力并抓住增長機遇。

混合型芯片制造商——

對設備供應商而言既是禍也是福

碳化硅（SiC）價值鏈為設備供應商帶來了挑戰和機遇。雖然上游晶錠和外延晶圓工序需要專用的SiC設備，但大多數器件工藝仍可利用硅設備，因為許多功率芯片制造商在傳統節點上運行著垂直整合的混合型晶圓廠。這種動態限制了對純SiC設備的需求，但也為更廣泛的器件生產帶來了機遇。然而，SiC獨特的特性——缺陷率、硬度、脆性、透明度、各向異性和化學穩定性——維持了對升級和新系統的強勁需求。在2023年這個高峰年，SiC在大多數設備類別中的銷售額占比僅為個位數，但對于高溫化學氣相沉積（HTCVD）和離子注入機供應商而言，其收入占比達到了20%。展望未來，隨著材料質量的提高，2025年至2030年期間，晶圓尺寸的轉變和器件架構的多樣化將推動增長，從而支撐整個生態系統中設備的持續銷售。

https://www.yolegroup.com/product/report/power-sic-2025---front-end-manufacturing-and-equipment/?utm_source=PR&utm_medium=email&utm_campaign=PR_Power-SiC-Manufacturing-Equipment_Dec2025

（來源：編譯自yole）

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