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12月17日消息，三星宣布，該公司及其三星先進技術研究所成功開發(fā)出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節(jié)點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰(zhàn)。
這項技術的重點在于實現小于10nm的 DRAM 制程，這對于行動 RAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統(tǒng)的擴展方法已經達到物理極限。
三星的這項創(chuàng)新專注于0a和0b類DRAM，這些新型內存有望顯著提升未來裝置的容量和性能。根據報導，這項技術仍處于研究階段，未來將應用于小于10奈米的DRAM產品。
在此次宣布中，三星介紹了其名為「高耐熱非晶氧化物半導體晶體管」的技術，該晶體管能承受高達攝氏550度的高溫，進而防止性能下降。這種垂直信道晶體管的信道長度為100奈米，并可與單片CoP DRAM架構集成。
在測試中，該晶體管的排水電流幾乎沒有衰退，并且在老化測試中表現良好。這個技術的推出，將使三星在高密度內存市場中更具競爭力，并可能在2026年及以后的裝置中首次亮相。
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