臺灣經研院：中國制造先進芯片已達極限，預計5年后才能有所突破

近日，臺灣經濟研究院一位總監斷言中方制造先進芯片能力已觸天花板，稱動用所有資源才勉強搞定7nm，若想進一步突破至少要等五年，還認為西方卡住光刻機脖子，中國半導體產業只能原地打轉。然而，這種觀點是脫離現實的主觀臆斷。

此前也總有一些人在中方硬科技取得突破時，立刻劃定所謂“極限”。曾經他們斷言中國造不出盾構機、搞不定航母阻攔索，事實卻一次次打了他們的臉，如今在芯片領域又故技重施。

從技術創新角度看，中國芯片產業已取得顯著進展。華為早在三年前申請的一項技術專利就展示了強大潛力。據南華早報12月5日披露，華為能用DUV光刻機做出2nm芯片制造工藝路線，繞開了被美國全面封鎖的EUV設備。

該專利有兩大核心突破，一是金屬間距的集成技術，即便光刻技術難以短時間突破，但縮小金屬間距就能在微小晶圓上集成更多晶體管，從而實現先進制程芯片制造技術突破。二是DUV的多重曝光優化，在沒有EUV的情況下，通過DUV多次曝光并結合“自對準成像”等手段，將圖形精度刻到極限。

雖然華為目前還不能大規模量產2nm芯片，在良率和成本上存在挑戰，但這條技術路線若跑通，用于量產7nm、5nm甚至未來穩定的3nm芯片完全可行。

在芯片良品率方面，中國同樣成果斐然?？茖W家通過冷凍抓拍技術找到芯片良品率不足的根源，即光刻膠上的小疙瘩影響電路通電，通過升溫和沖刷方式清除這些小疙瘩，使芯片良品率近乎達到完美水平。

這意味著中國芯片成本將大幅下降，在全球芯片市場競爭力顯著提升。有國外媒體認為中國即將改寫全球芯片市場格局，曾經以美國主導設備造芯片的硬實力時代或將過去，中國迎來優化迭代造更好芯片產品的軟實力時代。

從產業發展趨勢來看，“十五五”時期中國集成電路產業發展前景樂觀。預計這一時期中國集成電路產業將持續高速增長，人工智能芯片需求快速上升，3 - 5納米尖端制程有望實現突破，22納米以下制程實現國產化“貫通”，裝備、材料、軟件和EDA工具等自主可控水平將大幅提高。

“卡脖子”問題解決和“國產替代”進程也會進一步加速。超越摩爾定律和人工智能技術正驅動集成電路產業發展模式創新，多種技術和工藝創新不斷涌現，為中國芯片產業發展提供了新機遇和途徑。

事實上，美國等西方國家對中國集成電路產業的全面打壓由來已久，企圖通過技術、人才、產品等全方位遏制，阻斷中國產業成長。但正是這種外部壓力，激發了中國芯片產業自主創新的決心和動力。

美國在近期的談判當中，為減輕出口管制所帶來的經濟損失，美國開始對中國企業的出口管制時松時緊。先封鎖了英偉達H20芯片對華出口，然后以收繳英偉達在華收入的15%為前提，允許H20芯片出口。

但H20芯片的對華銷售情況遭到冷落，中國部門以信息安全問題約談英偉達公司，并且呼吁中國企業優先采用國產芯片開展工作，種種跡象表明，美國越是對中國加碼制裁，中國發展自主技術的決心也就越堅定，就算美國針對性的允許美國芯片進入中國市場，那么中國也對此抱有極高的警惕性。

臺灣經研院總監的論斷，更像是一場“心理防御戰”，充滿了酸味和自我安慰，并非客觀冷靜的產業分析。中國芯片產業憑借自身的技術突破、創新能力和產業發展潛力，必將在先進芯片制造領域不斷取得新的突破，打破所謂的“極限”預言。