H200對華放行+CPU/GPU漲價，半導體市場迎重磅變局

半導體市場的12月，注定不平靜。

一邊是AMD、英偉達相繼打響CPU、GPU漲價潮，消費級市場裝機成本持續攀升；另一邊是地緣政策傳來重磅消息——當地時間12月8日，特朗普宣布允許英偉達向中國出口H200 AI芯片，附帶25%銷售額上繳美國政府的條件，相關細節正由美國商務部敲定。

H200出口松綁能否緩解芯片漲價壓力？漲價是成本驅動還是戰略布局？企業、渠道商與消費者又該如何應對？

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CPU/GPU漲價潮已至

近期半導體市場的漲價信號，已從傳聞落地為實際動作，且覆蓋了CPU、GPU兩大核心硬件。

GPU領域，AMD率先發力，已向華碩、技嘉、撼訊等合作廠商發出通知，計劃對旗下全系列GPU產品啟動第二輪漲價，漲幅至少為10%，新價格預計未來幾周內正式實施。這意味著，游戲玩家想要以原始建議零售價（MSRP）購入采用RDNA 4架構的Radeon RX 9000系列最新款顯卡的機會將進一步減少。

英偉達則選擇分階段漲價以緩沖市場沖擊，合作廠商透露，首批調整或于2025年12月啟動小幅上浮，2026年1月進行第二輪調價，目前其顯卡價格已確認開啟上漲通道。

核心漲價動因之一，直接指向顯存成本壓力。

業內人士指出，顯存成本約占顯卡總成本的30%-40%，此次全線上調是近三年來首次。

為應對這一壓力，市場傳出英偉達正考慮打破長期實行的捆綁銷售策略，不再強制要求顯卡合作伙伴同時采購GPU芯片和顯存顆粒，允許板卡廠商自行采購顯存。這一策略調整將加劇行業分化：對華碩、微星、技嘉等一線AIC廠商而言，可直接與三星、SK海力士、美光等顯存原廠談判，有望獲得更具競爭力的價格，同時提升供應鏈自主性；但中小型AIC廠商則可能因采購體量小、議價能力弱，面臨更大的成本壓力和生存挑戰。要知道，當前英偉達GDDR顯存主要由三星、美光、SK海力士供應，AI加速卡所用的HBM顯存也依賴這三大巨頭，顯存采購權的下放，本質上是把成本壓力和競爭主動權重新分配給了下游廠商。

CPU市場的漲勢也同步啟動。12月1日，科技媒體OverClock3D確認，AMD已通知渠道伙伴于12月2日0時起上調處理器產品價格，覆蓋最新的銳龍9000系列及部分舊款機型。盡管AMD未公布提價原因，且OC3D強調此次調價與顯卡、內存漲價無直接關聯，但市場普遍將其解讀為“黑五/網絡星期一”大促后的價位回歸。

英特爾方面也有漲價消息傳出，據悉2025年第四季度，英特爾對第12至14代酷睿處理器實施全球性漲價，部分中低端型號如i5-14400F漲幅高達20%。這一反常操作——老款芯片漲價、新款反而降價——引發消費者與行業廣泛關注。

CPU 本質是邏輯芯片核心品類，其生產依賴先進制程晶圓制造（如臺積電 3nm/5nm），而非 DRAM、NAND的產能或成本。當前CPU產業的核心矛盾是“AI 高利潤產能擠壓消費級產能”。

從晶圓產能看，臺積電、三星等晶圓廠將大量 3nm/5nm 先進制程產能投向 AI 芯片（如 H200）和高端 CPU，消費級 CPU 的產能優先級被壓低。從封裝產能看，2026 年全球 CoWoS 封裝總需求將達 100 萬片，英偉達、博通等 AI 芯片巨頭已鎖定 85% 以上產能，其中英偉達的 Vera CPU 也占用部分 CoWoS 產能，導致消費級 CPU 的先進制程封裝資源被分流。

近日，Intel高管重申其客戶端和數據中心處理器面臨供應不足的挑戰，無法滿足全部市場需求。Intel企業規劃與投資者關系副總裁John Pitzer表示，“如果我們擁有更多Lunar Lake晶圓，我們就能賣出更多Lunar Lake；如果我們擁有更多Arrow Lake晶圓，我們就能賣出更多Arrow Lake。”

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重磅變局！H200獲批對華出口

就在消費級市場為漲價焦慮之際，地緣政策的松動為半導體市場注入了新的變量——美國政府宣布允許英偉達對華出口H200 AI芯片，這一決定與拜登政府時期的全面管制策略形成鮮明對比。

H200芯片是英偉達于2023年11月13日發布的新一代人工智能芯片，其為H100的升級產品，仍然采用 NVIDIA Hopper 超級芯片架構，主要面向超大規模的大模型訓練和推理工作場景。

該芯片配備HBM高帶寬內存架構，搭載HBM3e技術實現141GB內存容量和4.8TB/秒帶寬，較H100內存容量提升1.8倍、帶寬提升1.4倍，內存帶寬是A100的2.4倍。單精度浮點運算性能較H100提升60%至90%。此外，DGX H200系統配備8個H200 GPU，搭載1,128 GB顯存，GPU間雙向帶寬達每秒7.2TB。該芯片與H100系統兼容，云服務提供商無需更改現有基礎設施即可部署。

此前，這款芯片因性能密度超標，被拜登政府列入對華禁售名單，英偉達不得不為中國市場量身打造“降級版”H20芯片。知情人士透露，允許出口性能稍遜的H200芯片，被視為對英偉達力推銷售更先進的Blackwell芯片主張的折中方案。此前，英偉達曾游說特朗普政府向中國客戶出售其更先進的Blackwell及后續的Rubin芯片，但最終未獲放行。

這一決定被視為英偉達的重大游說勝利，可能幫助其重新奪回在中國這一關鍵市場中損失的數十億美元業務。不過，Institutefor Progress報告也警告，即便H200獲批，美國仍可通過控制供貨數量、提高價格、限制技術支持等方式削弱其實際影響。此外，中國采購成本預計將是國際市場的1.5至2倍，這將考驗企業的資本實力與戰略決心。

英偉達截至7月27日的2026財年第二財季業績報告顯示，當季英偉達來自于中國大陸和中國香港的營收同比下滑24.5%，至27.69億美元，占總營收約5.9%。第三財季其來自中國大陸及中國香港地區的營收同比下滑63.5%，占總營收比重降至約5.2%。

值得注意的是，此次放行附帶苛刻條件，正如文章開頭所言：相關芯片銷售額的25%需上繳美國政府。從政策邏輯來看，這似乎是美國政府平衡“國家安全”與“產業利益”的折中方案——既避免美國芯片企業因失去中國市場喪失競爭力，又試圖通過抽成獲取經濟利益，同時將Blackwell、Rubin等更先進芯片排除在獲批名單外，守住技術壁壘。

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H200放行，或加劇消費級CPU/GPU的漲價壓力

回到市場最關心的問題：H200獲批對華出口，會緩解當前消費級CPU/GPU的漲價壓力嗎？答案可能是否定的，甚至可能在短期內加劇供應鏈緊張。

原因主要有兩點：

第一點，H200的核心需求集中在AI領域，與消費級GPU、CPU的目標市場差異較大。當前H200全球供不應求，放行后中國的互聯網大廠、AI實驗室大概率會集中采購，這將進一步擠占三星、SK海力士等廠商的HBM顯存產能——要知道，H200所用的HBM3e顯存與消費級GPU的GDDR顯存雖屬不同品類，但共享上游產能和供應鏈資源，HBM產能的緊張可能間接推高整個顯存市場的成本，反而為消費級GPU的漲價提供支撐。

其次，英偉達的策略重心或向高利潤AI芯片傾斜。H200的毛利率遠高于消費級顯卡，此次放行后，英偉達可能會優先保障H200的產能供應，這對消費級顯卡的產能分配可能產生擠壓，疊加顯存成本壓力，漲價趨勢短期內難以逆轉。

第二點，從產業鏈傳導邏輯來看，此次CPU、GPU漲價并非孤立事件，本輪漲價始于存儲芯片。DDR5和DDR4等主流DRAM內存顆粒價格在單月內漲幅超過100%，部分原廠暫停對外報價，導致下游采購困難，市場供應趨緊。

要知道，存儲芯片不同于其他半導體細分領域，該市場的周期性波動更為顯著，彈性也更大。下圖是依據WSTS數據所繪制的圖表，該圖表呈現出了近四十年來存儲市場的周期性波動情況。

圖中針對半導體總量、存儲器市場以及剔除存儲器后的半導體市場進行了比較分析。可以清晰地看到，存儲器市場呈現出極為劇烈的波動，曾有高達102%的增長幅度以及49%的下滑幅度等極端情況出現，而與之形成鮮明對比的是，不包含存儲器的市場則表現得較為平穩，其波動區間處于增長42%至下滑26%之間。

觀察可見，過去 40 年，內存市場有個明顯規律：一旦年增長率超過 50%，次年往往會大幅減速甚至下滑。在 2024 年前，這樣的高速增長共出現 6 次，其中 4 次，次年市場都出現了下滑，分別為1988年、1995年、2000年、2010年。另外兩次，即2004年和2017年，雖然次年仍有增長，但幅度明顯放緩，并且在峰值出現兩年后，市場還是迎來了下跌。

存儲市場新一輪的逆風，始于2024年下半年。隨著邁入 2025 年 3 月，市場逐漸顯露出一些微妙變化。

今年4月開始，閃迪、美光、三星、SK海力士等陸陸續續向客戶發出漲價函，9月存儲芯片迎來全面上漲，進入四季度后漲勢加快，下游廠商爭相備貨，有生產企業產線滿負荷運轉，仍然供不應求。業內人士表示，存儲芯片現貨市場漲價幅度有60%到80%不等，個別暢銷存儲芯片型號漲價達到100%。

本輪存儲芯片漲價，歸因是人工智能浪潮帶來的AI服務器旺盛需求，推動原廠將更多產能轉向AI系統所需的高端產品。

目前，DRAM漲價潮已逐步蔓延至消費級DDR5內存及存儲芯片領域，部分廠商的DDR5內存條價格已上漲兩倍以上。而游戲顯卡所搭載的GDDR顯存高度依賴DRAM芯片，其中AMD與英特爾旗下顯卡主要采用GDDR6顯存，英偉達新一代RTX 50系顯卡則啟用了最新的GDDR7顯存。隨著DRAM芯片持續供不應求，顯卡生產成本壓力不斷傳導，直接推動了GPU價格的上調。

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2026年，漲價壓力仍存在

面對“漲價+松綁”的雙重變局，市場更關心：2026年CPU、GPU還會漲價嗎？漲價壓力會持續到何時？結合產業周期、產能格局及成本趨勢來看，2026年上半年CPU、GPU漲價壓力仍將延續，下半年或迎來企穩拐點。

從漲價延續性來看，核心驅動因素未發生根本性改變。

一方面，顯存成本壓力仍將持續。市場調查機構Counterpoint Research近期發布報告稱，全球內存市場正遭遇顯著價格上漲壓力。繼今年價格已飆升50%后，動態隨機存取存儲器價格預計將持續上漲，2025年第四季度可能再漲30%，2026年初進一步上漲20%，至2026年第二季度，累計漲幅或達50%。

另一方面，AI芯片對產能的擠壓仍在加劇，三星、美光等廠商將大量產能投向HBM顯存和AI用DDR5內存，消費級GDDR顯存產能被持續擠壓，疊加2026年HDD市場52周交期的供應鏈限制，將進一步帶動高密度SSD需求激增，間接推高整個存儲產業鏈的成本。CPU領域，伴隨全球半導體營收在2026年預計增長26.3%逼近1萬億美元，邏輯芯片和存儲芯片需求旺盛，處理器作為核心邏輯芯片品類，價格難有大幅回落空間。