村田開始量產市面首款1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的15nF多層片式陶瓷電容器

主要特點
? 在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV且具備C0G特性的前提下，實現了15nF特大靜電容量的多層片式陶瓷電容器。
? 1.25kV高耐壓，適配SiC MOSFET。
? C0G特性帶來低損耗與穩定的電容值。

株式會社村田制作所(TOKYO: 6981)（以下簡稱“村田”）初次開發(1)并開始量產了1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的、15nF靜電容量的多層片式陶瓷電容器（以下簡稱“本產品”）。該產品可用于車載充電器（OBC）(2)及高性能民用電子設備的電源電路，有助于實現高效率的電力變換，并在高電壓條件下穩定運行。

(1) 由村田調查得出。截至2025年12月1日。

(2) 車載充電器（OBC）：安裝于電動汽車（EV）上，從外部電源為車載電池充電的裝置。

在電動汽車搭載的車載充電器以及民用設備的電源電路中，通常會包含用于高效電力變換的諧振電路，以及用于遏制電流、電壓峰值的緩沖（吸收）電路。由于這兩類電路中高電壓與大電流反復作用，元件性能的輕微變化就可能導致效率下降、設備發熱，進而可能引發工作異常或故障。因此，市場亟需具備在溫度變化下性能穩定、損耗低且能承受高電壓的電容器。
近年來，電源電路中的開關器件(3)正從Si MOSFET(4)向能夠實現更高效率與高速開關的SiC MOSFET轉移。SiC MOSFET(5)通常要求1.2kV的耐壓規格，因此對額定電壓高于該水平的電容器需求在增加。

(3) 開關器件：以高速對電流進行通斷控制，實現電壓與頻率變換的半導體器件。

(4) Si MOSFET：采用硅半導體的電力控制用開關器件。多用于低至中耐壓場景。

(5) SiC MOSFET：采用碳化硅的高耐壓、高效率電力控制用開關器件。多用于超過1.2kV的場景。

為此，村田通過特有的陶瓷素體與內部電極薄層化技術，首次在1210英寸尺寸實現了額定電壓1.25kV、具備C0G特性、靜電容量為15nF的本產品，并已開始量產。借助C0G特性的低損耗及電容隨溫度變化的穩定性，本產品適用于諧振電路與緩沖（吸收）電路。
今后，村田將繼續推進多層片式陶瓷電容器的小型化、電容值擴展以及額定電壓的提高，擴充產品陣容以滿足市場需求，從而助力電子設備的小型化、高性能化與多功能化。同時，村田將通過在MLCC制造過程中更有效地利用天然資源、減少廢棄物并推進循環利用等舉措，以降低環境負荷。

主要特點

• 在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV且具備C0G特性的前提下，實現了特大15nF靜電容量的多層片式陶瓷電容器。
• 1.25kV高耐壓，適配SiC MOSFET。
• C0G特性帶來低損耗與穩定的電容值。

主要規格

芯片尺寸代碼（英寸/毫米）

1210英寸（3.2×2.5mm）

溫度特性（對應標準）

EIA

溫度特性

C0G

工作溫度

-55~125℃

電容值

4.7~15nF

電容容差

±1~±5%

額定電壓（DC）

1,250Vdc

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關于村田制作所

村田制作所是一家全球性的綜合電子元器件制造商，主要從事以陶瓷為基礎的電子元器件的開發、生產和銷售業務。致力于通過自身開發積累的材料開發、工藝開發、商品設計、生產技術以及對它們提供支持的軟件和分析評估等技術基礎，創造獨特產品，為電子社會的發展做出貢獻。

【株式會社村田制作所】1210英寸、1.25kV、C0G特性的15nF MLCC