臺積電產能，細節與展望

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自digitimes

臺積電正在快速調整3nm以下先進制程布局，以滿足客戶需求。

在強勁的AI需求推動下，臺積電持續擴大其先進制程產能。為了滿足英偉達等客戶的長期需求，臺積電不僅正在提升其南部科學園區晶圓廠的3nm產量，還計劃在該區域新建三座2nm晶圓廠。未來三年的資本支出增加將提振整個供應鏈，包括廠務工程、設備和材料供應商。

行業消息人士透露，英偉達目前是A16節點的唯一客戶，量產預定于2027年在臺積電的高雄P3廠進行，這與英偉達的產品路線圖一致。基于此，預計蘋果在進入2nm世代時將跳過A16節點，直接轉向A14節點。

3nm產能的擴張主要是為了應對英偉達產品進入3nm時代所帶來的大額訂單。同時，增建三座2nm晶圓廠涉及調整新竹寶山F20、高雄F22、臺中F25以及美國亞利桑那州F21晶圓廠的制程和產能計劃。

臺積電近期的資本支出增加、加速的制程開發以及產能擴張計劃，表明其正在快速調整3nm以下先進制程的布局，以滿足客戶需求。

晶圓廠產能細節與調整

為了落實這一擴張藍圖，臺積電正在對其位于中國臺灣和美國的各個關鍵晶圓廠進行詳細的產能配置與制程調整。

在南科，以N4/N5制程為主的F18A晶圓廠——包括P1、P2、P3和P7——合計月產能為16萬片晶圓。F15晶圓廠也已加入生產，而F18A P9晶圓廠的建設已經放緩，待處理的工作量正轉移至亞利桑那州工廠。

以N3B和N3E制程為核心的F18B晶圓廠，其P4、P5、P6和P8晶圓廠的合計月產量從13萬片增加到了16萬片晶圓。

值得注意的是，臺積電初步計劃在南科附近再建三座2nm晶圓廠，目前仍處于土地征收階段。這一產能調整與新竹寶山F20、高雄F22和臺中F25晶圓廠對2nm以下制程和產能策略的修訂相吻合。

據報道，新竹寶山F20的P1和P2晶圓廠專注于2nm，各自的目標月產能為2萬至2.5萬片晶圓。P3晶圓廠計劃于2026年中期完工，專注于2nm和A14制程，而P4仍處于評估中。

高雄F22的P1和P2晶圓廠也瞄準2nm，擁有類似的月產能目標。到今年年底，P1的目標是月產約1萬片晶圓；P2已于2025年8月開始移入設備。P3至P6的計劃正在相應調整，其中P3定于2026年第二季度移入設備，主要致力于A16節點。因此，高雄廠只有P1和P2將運行純2nm制程，而其他四座晶圓廠將運行2nm以下的制程。

亞利桑那州F21的P1晶圓廠正在使用N4制程進行量產，月產能約為2萬至2.5萬片晶圓。P2被修改為N3晶圓廠，目標是在2027年量產，而B廠則轉向N2。P3于2025年4月開始建設，目標是最遲在2029年投產。P4建設將于2026年中期開始，兩座工廠都計劃用于N2和A16制程。

臺中F25的P1晶圓廠預計將在2027年第一季度移入設備，并于2028年量產。P2將使用最先進的A12制程，P3和P4仍在審查中。

產能展望與技術亮點

基于這些建設進度，業界預計未來幾年先進制程產能將快速爬坡，伴隨著A16節點帶來的重大技術飛躍。

業內人士估計，到2025年底，新竹寶山、高雄、亞利桑那州和新南科晶圓廠的2nm合計月產能將達到約4.5萬至5萬片晶圓。2026年月產能應超過10萬片，考慮到亞利桑那州P2B晶圓廠的早期生產，到2028年底將升至約18萬片晶圓。隨著2029年南科和亞利桑那州P3晶圓廠的加入，總產能可能超過20萬片晶圓。

除高雄外，亞利桑那州的P3和P4晶圓廠也將成為A16生產的關鍵基地。A16節點集成了納米片晶體管和超級電軌技術，以顯著提升邏輯密度和性能。SPR將供電線路移至晶圓背面，釋放了正面的空間用于信號布線，從而提高了邏輯密度和效率。

與N2P制程相比，A16在相同電壓下速度提高8-10%，在相同速度下功耗降低15-20%，芯片密度提高高達1.1倍。這些改進使其特別適用于具有復雜信號和密集電源布線要求的高性能計算產品。

AI熱潮下的產能平衡

臺積電此前預測，一旦亞利桑那州的所有六座晶圓廠完工，它們將占2nm以下總產能的30%。然而，由于緊迫的AI驅動需求以及成本和運營考量，中國臺灣新竹、臺中、臺南和高雄晶圓廠的擴建已經加速。

為了保持美國在2nm以下產能中30%的份額，臺積電可能會繼續擴大其美國晶圓廠的規模，并在未來五年內保持較高的資本支出。

對于2025年，臺積電的資本支出估計為400億至420億美元。該公司重申，基于當前的客戶需求，未來幾年的資本支出不會出現顯著下降。

最近的供應鏈報告顯示，臺積電2026年的資本支出可能急劇上升至480億至500億美元。

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