北京
李爾平，男，漢族，1962年11月出生，河北平山人。2009年全職加入浙江大學，求是講席教授。2025年當選為中國工程院外籍院士。
李爾平是微納芯片及封裝集成電磁兼容國際開拓者和引領者。率先引入量子電流密度拓展麥克斯韋方程，發現了極小尺度電路中微觀電荷轉移的量子隧穿效應，推動了后摩爾時代納尺度半導體超小型化技術產業發展。建立了電磁兼容跨尺度協同理論，解決摩爾定律逼近物理極限時的高頻電磁干擾問題，成為高性能芯片及封裝電磁設計規范主導設計標準。解決了寬帶電磁隔離及高能效抑制難題，實現全方位電磁防護，帶動我國在該領域研究世界領先。成果在微納集成電路和通信產業廣泛應用。2008年當選 IEEE Fellow，2009年入選首批“國家高層次人才計劃”特聘專家后加入浙江大學。2022年當選新加坡工程院院士。發表期刊論文420篇，專著6部，其杰出學術成果榮獲國內外重要學術獎20余項，他還是全球唯一獲該領域的國際三大獎的華人學者，國際三大獎為：最高獎IEEE理查德·斯托達特（Richard Stoddart Award）杰出成就獎(全球每年僅授一位)、勞侖斯·克明(Laurance G. Cumming Award)卓越貢獻獎和IEEE技術成就獎。
《麥克斯韋方程新拓展和應用》
ISBN 978-7-03-082169-0
李爾平，王中林 等著
2025年06月
本書從電磁物理理論出發，重點闡述了在量子效應、尺寸效應和介質運動效應作用下的麥克斯韋方程最新拓展與應用，以及這些效應在納米尺度電子和光學器件中的影響。這是迄今為止系統地介紹在此環境下麥克斯韋方程理論、實驗和應用研究的最新拓展的首部專著。
《中國電子信息工程科技發展研究 后摩爾時代微納新器件電磁場專題》
SBN 978-7-03-082817-0
中國信息與電子工程科技發展戰略研究中心 編著
2025年07月
后摩爾時代納米尺度光電信息器件受尺度效應和量子效應的顯著影響，導致經典電磁場難以精確預測其電學特性。本書針對這一核心問題，從納米尺度電磁理論出發，闡述了電磁場量子化理論、計算電磁學、材料學，以及其在納米尺度光電子器件的應用，為后摩爾時代納米尺度光電子器件及系統工程設計提供非經典的微觀電磁場理論實用框架。
李爾平、王中林等合著《麥克斯韋方程新拓展和應用》一書發布
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