導讀:三星、美光真的要慌了?國內芯片廠商,正式亮出DDR5內存
當前,存儲芯片主要分為兩類。其一為動態隨機存取存儲器(DRAM),即通常所說的內存,涵蓋雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(DDR)、高帶寬內存(HBM)等。其二是閃存(NAND),主要應用于固態硬盤(SSD)等存儲設備。
目前,這兩大存儲芯片產品市場主要被三星、美光、SK海力士三家企業所壟斷,此三家企業的合計市場份額超過80%。
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然而,從當下情形觀之,中國內存廠商終于具備了參與市場競爭、打破現有格局的能力。國內專注于DRAM內存研發與生產的長鑫存儲技術有限公司,在2025年中國國際集成電路產業展覽暨研討會(IC CHINA 2025)現場,正式展示了DDR5芯片,其中包括低功耗雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(LPDDR5)、低功耗雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器升級版(LPDDR5X)等產品,構建起了一套完整的產品矩陣,涵蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5至LPDDR5X等全系列產品。
可以說,長鑫存儲經過這么多年的努力后,終于追上了三星、美光、SK海力士等這些巨頭,能能力同臺競技了。在IC CHINA 2025展會上,長鑫存儲的展臺成為焦點。其展出的DDR5系列芯片不僅技術參數對標國際一線水準,更在能效比和穩定性測試中展現了令人驚喜的表現。據現場工程師透露,新一代LPDDR5X采用了獨創的"動態電壓調節架構",在移動設備低功耗場景下,續航表現較競品提升12%,這對智能手機和物聯網設備廠商而言無疑是重大利好。
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行業分析師指出,長鑫的突破將引發連鎖反應。首先在供應鏈層面,包括小米、OV在內的國產手機廠商已開始進行產品驗證,預計明年Q2就能看到搭載國產DDR5的旗艦機型上市。更值得關注的是,三星等巨頭慣用的"火災漲價"策略或將失效——去年某韓國工廠停電導致全球內存漲價30%的情況,在中國產能加入后恐難再現。
技術細節方面,長鑫采用"后發優勢"策略,直接切入10nm級工藝節點,跳過了20nm過渡階段。其創新的"混合鍵合技術"使芯片面積縮小15%,這意味著同樣晶圓能切割出更多芯片,成本優勢逐漸顯現。不過業內人士也提醒,在服務器級內存和HBM高端市場,國內企業仍需突破3D堆疊等關鍵技術。
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市場已經開始用腳投票。展會首日,美光股價下跌2.3%,摩根士丹利隨即發布報告稱"全球內存產業格局正在重構"。可以預見,隨著合肥長鑫二期產能的釋放,存儲芯片市場將迎來真正的"中國時間"。這場遲來已久的突圍,或許正是打破韓國雙雄+美光"鐵三角"壟斷的開始。
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