北京
這份由ASE公司的Christophe Zinck博士所做的報告，核心論點是： 在摩爾定律逐漸失效的背景下，先進封裝技術已成為推動下一代高性能設備（尤其是AI和計算領域）發展的關鍵賦能器。 報告通過闡述行業挑戰、技術解決方案、供應鏈合作和未來展望，系統地論證了這一觀點。
摩爾定律放緩： 晶體管尺寸的微縮速度已無法滿足算法對算力指數級增長的需求。
熱管理和電氣性能瓶頸： 功耗和散熱成為限制性能提升的關鍵因素。
小芯片（Chiplet）集成：
通過將復雜的單芯片系統（SoC） 解構 為多個功能化的小芯片（如I/O芯片、計算芯片、內存芯片），再通過先進封裝集成在一起，可以大幅提升良率、降低成本并實現更優的性能。
優勢包括： 70%的系統尺寸縮減 、提高集成度、實現芯片冗余等。
2.5D 和 3D IC 集成：
2.5D集成 （如使用硅中介層）是實現高帶寬內存（HBM）與GPU/CPU等高算力芯片集成的主流技術。硅中介層的線寬/線距（L/S）可達0.5μm/0.5μm，遠優于傳統基板，為芯片間提供了極高的互聯帶寬。
扇出型封裝（FOCoS & FOCoS-Bridge）：
這是一種更具成本效益的高密度集成方案，適用于網絡、AI計算和潛在的ADAS領域。FOCoS-Bridge技術通過嵌入硅橋，在局部實現堪比硅中介層的高密度互聯，是2.5D集成的一種替代方案。
硅光電子（SiPh）集成：
這是應對未來數據I/O帶寬和能耗挑戰的尖端技術。通過將光電協同封裝（Co-Packaged Optics），將光學引擎與計算芯片集成在同一個封裝內，可以 實現32倍的帶寬密度提升，并將I/O能耗降低至原來的1/6 。
技術挑戰：
評估和理解多芯片集成可能帶來的新缺陷模式。
解決由中間層（如中介層、粘合材料）引起的 熱性能 和系統級影響。
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