前言:
多年前出現(xiàn)一個(gè)diy圈子里面出現(xiàn)一種特殊內(nèi)存,叫做AMD專用內(nèi)存,這東西是從利用報(bào)廢服務(wù)器內(nèi)存顆粒和AMD平臺(tái)的技術(shù)寬容性,以極低的價(jià)格滿足了部分老AMD平臺(tái)用戶升級(jí)或組裝低價(jià)主機(jī)的需求。穩(wěn)定性可靠性不高。
真正意義的AMD專用內(nèi)存,其實(shí)應(yīng)該是從AM5接口開(kāi)始,AMD出臺(tái)的EXPO,與Intel的XMP相比,AMD的EXPO走的是另外一條路。XMP側(cè)重「高頻帶寬釋放」,適配Intel酷睿的緩存架構(gòu);EXPO側(cè)重「內(nèi)存延遲控制」,貼合AMD Ryzen處理器的內(nèi)存控制器特性。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),AMD平臺(tái)內(nèi)存看重的是時(shí)序,而不是頻率。其中,DDR5 6000 CL28可以說(shuō)AMD平臺(tái)的甜點(diǎn),今天給大家分享一款來(lái)自科摩思的CL28高性能內(nèi)存,并且通過(guò)測(cè)試給大家解答一下,為什么AMD平臺(tái)更看重低時(shí)序。
科摩思總部位于深圳,2011年成立,是一家深耕存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè)。
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一、核心參數(shù)與硬件架構(gòu)
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1.顆粒與頻率:海力士 A-die 的超頻基因
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承影機(jī)甲全系采用海力士原廠 A-die 顆粒(部分批次為 M-die),這是目前公認(rèn)的超頻性能最強(qiáng)的 DDR5 顆粒之一。以 6000MHz CL28 版本為例,其默認(rèn) XMP/EXPO 頻率下時(shí)序?yàn)?C28-36-36-73,電壓 1.4V;而 6800MHz 版本則為 C34-45-45-108,電壓 1.45V。實(shí)測(cè)中,6000MHz 版本可輕松超頻至 8200MHz(C36-48-48-128),讀取速度突破 119GB/s,延遲壓至 55.3ns,較默認(rèn)頻率性能提升 30% 以上。
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2.散熱設(shè)計(jì):1.5mm 厚馬甲的效能突破
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采用 CNC 切割 + 氧化工藝打造的1.5mm 厚金屬散熱片,實(shí)測(cè)在8200MHz高頻運(yùn)行時(shí),內(nèi)存溫度穩(wěn)定在 55℃以內(nèi)(環(huán)境溫度 25℃),較無(wú)散熱片產(chǎn)品降溫15℃以上,確保長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載下的穩(wěn)定性。
3.兼容性與協(xié)議支持:雙平臺(tái)一鍵超頻
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同時(shí)兼容 Intel XMP 3.0 和 AMD EXPO 雙協(xié)議,主流主板(如華碩 Z790、微星 B760M 迫擊炮、AMD X670E)可一鍵開(kāi)啟預(yù)設(shè)超頻檔位,無(wú)需手動(dòng)調(diào)整參數(shù)。尤其適配 AMD Zen4 架構(gòu)—— 在銳龍 9 7950X 平臺(tái)上,6000MHz CL28 版本可穩(wěn)定運(yùn)行,F(xiàn)CLK 頻率同步至 3000MHz,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存性能最大化。
二、AMD平臺(tái)低時(shí)序需求深度解析:為何時(shí)序比頻率更關(guān)鍵?
1.架構(gòu)根源:Infinity Fabric 總線的延遲敏感特性
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AMD Ryzen 系列處理器的核心互聯(lián)依賴Infinity Fabric(無(wú)限結(jié)構(gòu))總線,這條 “內(nèi)部數(shù)據(jù)高速公路” 的頻率(FCLK)與內(nèi)存控制器頻率(UCLK)、內(nèi)存顆粒頻率(MCLK)存在理想的 1:1:1 同步關(guān)系。當(dāng)內(nèi)存時(shí)序過(guò)高時(shí),即使頻率達(dá)標(biāo),也會(huì)直接拖慢總線數(shù)據(jù)傳輸效率:
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以 Zen4 架構(gòu)的銳龍 9 7950X 為例,搭配 6000MHz CL36 內(nèi)存時(shí),F(xiàn)CLK 雖能同步至 3000MHz,但內(nèi)存延遲高達(dá) 89ns;換用科摩思承影機(jī)甲 6000MHz CL28 版本后,延遲降至 77.7ns,Infinity Fabric 數(shù)據(jù)吞吐效率提升 13%。
若強(qiáng)行追求 7200MHz 高頻但時(shí)序放寬至 C40,會(huì)導(dǎo)致 FCLK 與 MCLK 被迫切換為 1:2 分頻(FCLK 1800MHz),總線速度腰斬,反而出現(xiàn)游戲掉幀問(wèn)題。
2.性能瓶頸:AMD 內(nèi)存控制器的優(yōu)化方向
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與 Intel 側(cè)重高頻高帶寬的策略不同,AMD 內(nèi)存控制器更追求 “高效能低延遲”。Zen 架構(gòu)內(nèi)存控制器的原生延遲高于 Intel,低時(shí)序成為彌補(bǔ)這一差距的關(guān)鍵:
實(shí)測(cè)對(duì)比:在銳龍 7 9800X3D 平臺(tái)上,承影機(jī)甲 6000MHz CL28(延遲 76.8ns)較同頻率其他品牌CL34 內(nèi)存(延遲 85.2ns),《CS2》1% Low 幀提升 18%,Blender 渲染速度快 9%。
顆粒優(yōu)勢(shì):海力士 A-die 顆粒的低時(shí)序潛力,使其能在 6000MHz 頻率下穩(wěn)定運(yùn)行 CL26-34 時(shí)序,延遲進(jìn)一步壓至 75ns 以內(nèi),完美契合 AMD 平臺(tái)的優(yōu)化需求。
3.EXPO 協(xié)議的適配價(jià)值
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AMD EXPO 協(xié)議的核心是 “高頻 + 低時(shí)序” 的預(yù)設(shè)組合,科摩思承影機(jī)甲的 6000MHz CL28 版本正是為此設(shè)計(jì):
一鍵開(kāi)啟 EXPO 后,內(nèi)存自動(dòng)加載優(yōu)化時(shí)序與電壓參數(shù),無(wú)需手動(dòng)調(diào)試即可實(shí)現(xiàn) “頻率 6000MHz + 延遲 < 80ns” 的甜點(diǎn)性能。
對(duì)比手動(dòng)超頻:EXPO 預(yù)設(shè)的時(shí)序參數(shù)(C28-36-36-73)經(jīng)過(guò)原廠驗(yàn)證,在銳龍平臺(tái)的穩(wěn)定性優(yōu)于自行壓縮時(shí)序,適合非專業(yè)玩家。當(dāng)然了,一般用戶并沒(méi)有時(shí)間和能力去滿滿調(diào)試,所以我們直接選擇科摩思的CL28低時(shí)序內(nèi)存就省力省心了。
三、性能實(shí)測(cè)與場(chǎng)景表現(xiàn)
1.理論性能:突破 100GB/s 的讀寫天花板
相比于理論和架構(gòu)分析這些枯燥的文字分析,我們還是更加樂(lè)意看到實(shí)際數(shù)據(jù)。理論必須有實(shí)踐數(shù)據(jù)作為支持,手上的平臺(tái)不算強(qiáng)大,但也足夠給大家體現(xiàn)出低延遲帶來(lái)的性能提升。
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具體平臺(tái)如下:
CPU:AMD 7600X
主板:技嘉X760
內(nèi)存:科摩思承影機(jī)甲DDR5 6000 CL28
顯卡:影馳RTX2060 super
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科摩思 DDR5 6000支持AMD的EXPO,直接在bios里面打開(kāi)即可實(shí)現(xiàn)CL28低時(shí)序。
下面,我們就來(lái)看看CL28時(shí)序性能。
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測(cè)試前,我們先來(lái)檢測(cè)一下科摩思DDR5的工作狀態(tài)。在BIOS里面打開(kāi)了EXPO后,內(nèi)存工作在6000MHz頻率,時(shí)序?yàn)?8-36-36-73。對(duì)于Intel用戶來(lái)說(shuō),打開(kāi)XMP也是可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)最佳時(shí)序的。
其他方面的信息,我們可以看到,內(nèi)存顆粒來(lái)自于海力士,而且還是特挑的A-die顆粒,超頻潛力更強(qiáng)。
下面,我們開(kāi)始測(cè)試,通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)試、游戲測(cè)試對(duì)比。
1、CPUZ多核多線程基準(zhǔn)測(cè)試
CPUZ主要的作用是檢測(cè)CPU以及內(nèi)存信息的,里面提供的基準(zhǔn)測(cè)試有一定的參考價(jià)值,但不多。
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CPUZ的多核多線程測(cè)試中,C28時(shí)序的成績(jī)是5886。
1、AIDA64 內(nèi)存性能測(cè)試
AIDA64是一個(gè)綜合性檢測(cè)軟件,而且還是一款內(nèi)存性能測(cè)試與輕量級(jí)別硬件穩(wěn)定性測(cè)試。
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AIDA64內(nèi)存測(cè)試內(nèi)存內(nèi)存讀取性能,C28時(shí)序的成績(jī)是63319MB/s。
1、SuperPI 單核浮點(diǎn)性能與內(nèi)存性能測(cè)試
雖然是上古的測(cè)試軟件,但是嚴(yán)謹(jǐn)性還是足夠的,尤其是對(duì)于內(nèi)存頻率、時(shí)序變化的測(cè)試,還是有非常好的參考意義的。
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以前跑百萬(wàn)位測(cè)試的對(duì)于內(nèi)存差距體現(xiàn)不會(huì)太明顯,我們玩高級(jí)一點(diǎn)的。
superPI 八百萬(wàn)位測(cè)試,C28時(shí)序的成績(jī)是1分3秒735,這個(gè)已經(jīng)非常不錯(cuò)了。
1、3DMARK 圖形、CPU多項(xiàng)性能測(cè)試
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3DMARK CPU性能測(cè)試中,C28時(shí)序的成績(jī)是7243。
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DX11圖形性能測(cè)試,C28時(shí)序的成績(jī)是10758。
1、古墓麗影11 DX12游戲測(cè)試
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我手上的顯卡只能說(shuō)和主流的RTX4060差距不大,但畢竟性能有限,而且要體驗(yàn)內(nèi)存性能的話,低分辨率下面反而明顯一點(diǎn),畢竟4K分辨率、光線追蹤全開(kāi)的話,基本上就沒(méi)CPU和內(nèi)存的事情了。
同樣的6000MHz頻率下面,C28時(shí)序是139幀。
也就是說(shuō),在顯卡負(fù)載不高,比方說(shuō)電競(jìng)游戲方面,低時(shí)序能帶來(lái)的游戲幀數(shù)提高也是非常直觀的。
1、黑悟空benchmark
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黑悟空這個(gè)IP相信就不用介紹了,畢竟這可是給國(guó)內(nèi)游戲長(zhǎng)臉的事情。在新的3A大作下面,我的顯卡瓶頸就很明顯了,高時(shí)序和低時(shí)序的幀數(shù)僅僅差了1幀,完全可以忽略。
小結(jié)一下測(cè)試,3A游戲大作還是顯卡說(shuō)了算,低時(shí)序帶來(lái)的更多是加載、讀檔時(shí)候速度提高,幀數(shù)幾乎沒(méi)有變化。倒是電競(jìng)游戲的幀數(shù)提高明顯一點(diǎn),也更加流暢。
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視頻剪輯方面,無(wú)論是剪映還是達(dá)芬奇,都能明顯體現(xiàn)到低時(shí)序帶來(lái)的響應(yīng)速度提高,如果手上有RTX4080級(jí)別顯卡的朋友,可能低時(shí)序帶來(lái)的性能收益會(huì)更加明顯。
總結(jié):
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由于AMD平臺(tái)的特殊性,低時(shí)序?qū)τ谛阅芴嵘募t利高于高頻率。而低時(shí)序反而更加難以調(diào)整,畢竟涉及到的是四個(gè)小參而不是單純拉頻率。
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事實(shí)上。現(xiàn)在內(nèi)存超頻已經(jīng)變得不容易,現(xiàn)在的內(nèi)存不大吃電壓,拉高了頻率,要是時(shí)序差一樣是白搭。
相比而言,科摩思直接采用特挑海力士顆粒,直接出廠實(shí)現(xiàn)低時(shí)序的方案更加方便好用。低時(shí)序給整機(jī)的性能帶來(lái)3%-8%左右的小幅度提升,帶來(lái)更高的內(nèi)存帶寬以及更快的響應(yīng)速度。而且由于是出廠調(diào)校的,穩(wěn)定性和可靠性更加高。
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