臺積電：2納米工藝全面剔除中國大陸半導體設備

　　據日經亞洲等外媒報道，根據臺積電最新動態及行業權威信息，其2nm 工藝在設備選型上已全面排除中國大陸制造的半導體設備。以下是具體分析：

　　一、政策驅動下的設備替換

　　美國擬議的《中國設備法案》（China EQUIP Act）明確禁止接受聯邦資金的芯片制造商使用中國設備。臺積電為確保亞利桑那州工廠的 1650 億美元投資順利獲得美國補貼，必須嚴格遵守這一政策。為此，其 2nm 生產線已全面停用中微公司（AMEC）、Mattson Technology（屹唐股份子公司）等中國設備供應商的工具，尤其是在蝕刻、薄膜沉積等關鍵環節。這一調整從2025 年 4 月 2nm 訂單啟動時即開始執行，高雄和新竹工廠的量產產線已完成設備替換。

　　二、技術迭代與供應鏈重構

　　2nm 工藝采用的全環繞柵極（GAA）晶體管技術對設備精度要求極高，中國大陸設備尚未達到這一水平。以蝕刻環節為例，中微公司的 3nm 刻蝕機雖已通過臺積電驗證，但 2nm 工藝需要更先進的原子層蝕刻（ALE）技術，目前該領域仍由應用材料（Applied Materials）、泛林集團（Lam Research）等美企主導。臺積電在 2nm 量產前已與這些供應商簽訂獨家協議，確保設備供應安全。

　　三、產能布局的全球協同

　　臺積電2nm 產能分布呈現 “臺灣地區+ 美國” 雙中心模式：

　　臺灣新竹/ 高雄工廠：2025 年下半年量產，月產能 6 萬片晶圓，設備全部采用美日歐供應商（如 ASML 的 EUV 光刻機、TEL的沉積設備）。

　　美國亞利桑那工廠：2026 年投產，產能占比 30%，同樣使用非中國設備，并配套建設先進封裝廠以實現 “晶圓 - 封裝” 全流程本土化。

　　這種布局既規避了地緣政治風險，又能利用美國的能源補貼降低2nm 工藝的高耗能負擔。

　　四、中國大陸設備的歷史角色與現狀

　　在3nm 及之前制程中，臺積電確實使用過中微公司的刻蝕機和 Mattson 的熱處理設備。例如，中微的 5nm 刻蝕機曾用于蘋果 A16 芯片生產，但進入 2nm 時代后，這些設備因無法滿足 GAA 技術的精度目前尚未被使用。臺積電目前僅在成熟制程（如28nm）中保留部分中國設備。

　　五、間接依賴的可能性分析

　　盡管直接設備已全面替換，但需注意：

　　材料層面：臺積電仍在審查源自中國的化學品和特種氣體，但尚未完全切斷供應。

　　技術授權：部分設備的核心專利可能涉及中國企業（如中微的雙工作臺刻蝕技術），但臺積電或可通過交叉授權協議規避而直接使用。

　　結論

　　臺積電2nm 工藝在設備層面已完全排除中國大陸制造的半導體設備，這是技術迭代與地緣政治雙重作用的結果。未來隨著美國《中國設備法案》的落地，這一趨勢將進一步強化。對于中國大陸半導體設備廠商而言，突破2nm 設備技術壁壘，將是打破國際壟斷的關鍵。