林蘭英：中國半導體材料之母，放棄美國高薪，冒險帶回無價之寶

文 | 有書鄒小小 · 主播 | 阿成

半導體材料，這個聽起來有些高大上的名詞，其實和我們的生活息息相關。

無線通信與5G技術、無人駕駛、人工智能，這些現代科技的進步，都離不開半導體材料。

早在1948年，美國物理學家就研發出了世界上第一塊半導體材料——鍺（zhě）單晶。

簡單來說，半導體就是導電性能介于金屬和絕緣體之間的物質。

用它制成的二極管、三極管和集成電路等元件，是很多現代新科技產品的核心部件。

所以說，誰掌握了半導體材料的奧秘，誰就能在現代新科技領域里站穩腳跟。

而我國的半導體技術是如何發展起來的，要從一位中國女士冒險從美國帶回來的兩個小瓶子說起。

這位中國女士就是“中國半導體材料之母”林蘭英。

接下來，就讓我們走進林蘭英的非凡人生。

成績優異，赴美留學

1918年，林蘭英誕生在莆田的一個書香門第。

她的祖父以經商為生，而父親則是一位真正的大學生，畢業于上海大學，后在南昌的《國民日報》擔任編輯。

盡管家庭充滿書香氛圍，林蘭英的求學之路卻異常坎坷。

由于父親長期在外工作，家中事務全由母親操持。

而母親未受過教育，深受“女子無才便是德”的傳統觀念影響，因此對林蘭英上學這件事十分抵觸。

然而，七歲的林蘭英卻展現出了不屈不撓的精神。

她把自己關在房間里，三天不吃不喝，堅決要求上學。

母親雖然沒讀過書，但深愛著自己的孩子，最終實在拗不過林蘭英，只好答應了她的請求。

深知上學機會來之不易的林蘭英，從未敢松懈。

從小學到高中，她連續獲得年級第一名的優異成績。

這份對知識的渴望和追求，讓她在1936年順利考入了福建協和大學物理系。

在大學期間，林蘭英憑借出色的學習和研究能力，留校任助教。

但林蘭英的學術追求并未止步，學校外出學習的機會越來越多，她不想當一只井底之蛙，也想走出國門看看外面的世界，汲取更廣闊的知識。

經過不懈的努力，她成功申請到了賓夕法尼亞州迪金森學院的交流項目。

隨后她遠渡重洋留學，并在1949年獲得了數學學士學位。

在美國學習期間，林蘭英的導師對她十分欣賞，便推薦她到芝加哥大學繼續深造數學。

可林蘭英做出了一個令人意外的決定，她拒絕了導師的提議，轉而選擇了當時在中國還幾乎是空白的固體物理學專業。

同學們都十分不解，但只有林蘭英知道，祖國的建設少不了物理學的支撐，自己所學應該為國考慮。

就這樣，林蘭英在賓夕法尼亞大學正式開啟了她的固體物理學研究之旅。

憑借著卓越的學術實力和不懈的努力，林蘭英在1951年獲得了碩士學位，并繼續攻讀博士學位。

1955年6月，她創造了歷史，成為該校建校以來的第一位中國博士，同時也是第一位女博士。

沖破阻撓，重返祖國

1955年，林蘭英完成博士學業后，加入了美國索菲尼亞公司，擔任高級工程師，正式踏入了半導體科技領域的研究之路。

工作不久后，她就因成功解決了一項重大技術難題“如何拉制硅單晶”而備受矚目。

正當林蘭英準備對半導體展開深入研究時，一封家書的到來打破了她原本平靜的生活。

家書中除了談及父母親人的近況，更重要的是傳達了國家對她回國效力、貢獻才華的期盼。

林蘭英始終銘記自己出國留學時的初衷：學有所成，必報效祖國。

于是，1956年，林蘭英以家中母親病重為由，向美國當局提交了回國申請。

可美國當局并不愿輕易放走這位高級人才。

他們先是提出了極為豐厚的薪資待遇試圖挽留，林蘭英卻毫不動搖。

眼見無法用利益打動林蘭英，他們便采取了威脅和利誘的手段，但林蘭英依然堅決地選擇了回國。

在駐美大使館的幫助下，林蘭英終于辦妥了回國手續。

然而，在登機前，美國的調查員對她的行李進行了嚴格的搜查。

他們發現行李箱中有兩個小瓶子被層層包裹，便以此為借口開始了連番詢問。

面對調查員的詢問，林蘭英雖然緊張得直冒汗，但表面上卻保持鎮定，淡然地說

道：

“我母親重病，這是給她帶的特效藥。”

好在調查員沒有深究，只扣下了林蘭英身上所帶的6800美元支票。

歷經十幾年，林蘭英終于回到了祖國的懷抱。

而那兩個被當作“特效藥”的小瓶子，里面裝的其實是在當時價值不菲的半導體材料——鍺和硅單晶。

它們是我國半導體研究工作者夢寐以求的無價之寶，而林蘭英毫不猶豫地將這些珍貴的材料無償捐獻給了中國科學院。

貢獻社會，不求回報

當時，中國的半導體事業還處于起步階段，面臨著設備匱乏、人才稀缺等多重挑戰。

林蘭英帶領團隊克服了重重困難，相繼成功研制出中國第一根鍺單晶、硅單晶等多種半導體材料，不僅填補了國內半導體材料領域的空白，也為我國微電子和光電子學的發展奠定了堅實的基礎。

1986年，林蘭英赴德國參加了一個空間材料科學研討會，意圖與德國合作，共同開展太空砷化鎵單晶的生長研究。

但在與德方專家交流時，他們言語中對中國的技術能力透露出輕蔑、質疑。

這深深刺痛了林蘭英，她下定決心，一定要率先制成半導體材料——砷化鎵單晶。

砷化鎵作為一種新型半導體材料，展現出了廣闊的發展潛力。

然而，在地面上進行砷化鎵單晶生長時，會面臨難以避免的雜質污染問題，這給單晶的生長帶來了挑戰。

相比之下，太空由于沒有重力的影響，為單晶的生長提供了更為有利的環境。

但是，由于空間能源有限、技術復雜，再加上砷化鎵的高熔點以及砷本身的劇毒特性，使得國外許多科學家在面對這一領域時都望而卻步。

林蘭英和她的團隊經過半年多的精心準備，終于在1987年8月迎來了重大突破：我國發射的一顆返回式衛星進入太空后，其內部成功生長出兩塊砷化鎵單晶。

這一消息震驚了國內外半導體材料界，標志著我國在太空熔體生長砷化鎵單晶方面取得了巨大的突破。

至此，半導體的發展勢頭十分迅猛。

第二年8月，林蘭英領導的聯合研究組再次傳來佳音。

他們在我國的返回式衛星上成功進行了摻硅砷化鎵單晶的太空生長試驗，并在世界上首次利用太空材料制作成半導體器件。

這一系列突破性的成果讓林蘭英被國際同行譽為“太空材料之母”。

如今的中國已經成為全球半導體材料領域的重要力量之一。

這一成就的取得離不開林蘭英等老一輩科學家的辛勤付出和無私奉獻。

林蘭英的一生是奮斗和奉獻的一生。她用自己的實際行動詮釋了真正的科學家精神：

不畏艱難、勇攀高峰；

熱愛祖國、無私奉獻；

追求真理、勇于創新。

她的這些精神品質將永遠激勵著后來者不斷前行，勇攀科技高峰！