美國芯片取得突破背后站著華人：該重視任正非敵人來自內部的警告

芯片競爭

伴隨著人工智能、物聯(lián)網、云計算等諸多高新技術的崛起，芯片作為集多種前沿技術于一身的產物，也成為各個國家競爭的焦點。在以華為、長江存儲、長鑫科技為代表的中國芯片崛起之后，嚴重威脅到了美國在全球科技產業(yè)的領導地位的同時，也使得包括美光、德州儀器、博通在內眾多芯片廠商的利潤出現了大規(guī)模的下滑。

中芯國際撤下14nm

因此美國采取了包括斷供、禁售、黑名單等多種手段開始針對華為、長江存儲等中國科技企業(yè)。與此同時國內也開始大規(guī)模推廣和支持芯片自主研發(fā)，不時也有芯片突破的消息傳來。但是自2019年華為遭遇制裁開始，到今天已經過去了4年時間，芯片制程不但沒有取得重要突破，反而中芯國際從官網上撤下了14nm制程的相關信息。

朱佳迪突破原子級薄晶體管

在中國芯片止步不前的同時，沒想到美國卻再次傳來芯片技術取得突破的消息——近日多家媒體報道，美國麻省理工學院(MIT)研究團隊帶來了一種全新的芯片技術，一種基于二硫化鉬（MoS2）的原子級薄晶體管，這一技術也有望幫助美國芯片突破1nm制程的桎梏。而這一技術的主要貢獻者是一名年僅24歲的華裔——朱佳迪。

眾所周知傳統(tǒng)芯片使用的原材料是硅，因此也被稱為硅基芯片。硅原子的原子序數為14，其直徑為0.117nm。隨著芯片制程的推進，當制程接近1nm之后將會產生量子隧穿效應，此時的電子將無法表示為二進制的“0”和“1”兩種狀態(tài)，而是一直呈現為“1”的狀態(tài)。也就是失去了“半導體”的特性而變成“全導體”，自然也就無法制造芯片。

原子級薄晶體管

朱佳迪的最新研究成果則可以將低溫生長區(qū)與高溫硫化物前體分解區(qū)分離，并通過金屬有機化學氣相沉積法，可以直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長，從而實現1nm及更先進制程的制造。

ASML

以往ASML公布EUV光刻機在1nm即將面臨極限之后，很多國內半導體廠商紛紛奔走相告，認為這是西方芯片產業(yè)即將走入停滯的標志。同時國產半導體產業(yè)也認為這是一個縮小差距，快速追趕上世界主流技術的一個良機。

但是隨著朱佳迪在原子級薄晶體管上取得的突破，意味著以往ASML走入的“死路”之外又開辟出了一條新的道路，而這條道路甚至有機會解決1nm及更先進制程的難關。

任正非

此時不得不想起華為創(chuàng)始人任正非昔日發(fā)出的警告——最大的敵人往往來自內部。情況也確實是這樣，在過去幾十年的發(fā)展過程中，國產科技取得了突飛猛進的發(fā)展，中國也成長為全球第二大經濟體。但是隨著傳統(tǒng)制造業(yè)逐漸走向發(fā)展的盡頭，進行產業(yè)升級、提升全民收入則成為當下的要務。

全球頂尖的100位材料學家

但遺憾的是最為重要的人才卻始終難以吸引到。不僅僅是研究出原子級薄晶體管的朱佳迪，全球頂尖的100位材料學家中，前6名全是華人，其中五人都是畢業(yè)于中國科學技術大學，但遺憾的是他們如今全部都沒有在內地從事相關研究，培養(yǎng)出了人才卻留不住人才，這實在是一個值得令人深思和反省的問題。

清華大學有半數人才回國

而如清華、北大這樣的頂級學府，其出國校友僅有半數左右回國工作，這也就意味著有半數左右的優(yōu)秀人才留在了海外。我們以前注重的是人才的培養(yǎng)，但是如今看來如何留住人才同樣是一個值得思考的問題。否則培養(yǎng)的人才變成了我們的競爭對手，這也是國產科技發(fā)展的一種損失。