河南
快科技4月25日消息，英特爾株式會社與軟銀旗下子公司SAIMEMORY聯合宣布，日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）已選定ZAM作為下一代內存標準，該標準被視為高帶寬存儲器（HBM）的替代方案。
該項目將獲得日本政府專項補貼資金，全面提速為期3.5年的整體研發計劃。
ZAM全稱為Z-Angle Memory（Z角內存），是英特爾時隔數十年再度推出的自研內存產品。該技術核心優勢集中在超高密度、超大帶寬、超低功耗三大特性。
相比傳統內存，ZAM功耗可降低40%至50%，架構設計大幅簡化，量產難度更低，單顆芯片最高容量可達512GB。
技術層面，ZAM采用特殊Z角互連架構，將多顆DRAM存儲芯片緊密堆疊，再通過專屬互連技術連通。整體內存堆疊模組借助基底芯片下方的EMIB嵌入式多芯片互連橋，與CPU、GPU等核心計算芯片高效連接。
該項目最早于今年2月正式公布，由英特爾與軟銀聯手打造，旨在破解全球持續發酵的內存資源危機，解決當下人工智能、高性能計算領域普遍面臨的內存短缺、硬件受限等行業難題。
現階段ZAM還將整合日本及全球范圍內的技術研發、芯片制造與供應鏈資源，為后續規模化落地和商業化量產鋪路。
英特爾日本總裁大野誠表示，多年來英特爾聯合美國能源部國家實驗室、新一代DRAM鍵合計劃，反復驗證了ZAM技術的底層科學原理。此次獲得日本官方扶持，將推動這項技術快速落地并走向全球，同時鞏固美日科技合作。
值得關注的是，英特爾早年曾是全球內存行業頭部廠商，后續市場份額被日本存儲廠商逐步擠壓，最終退出內存賽道。如今局勢反轉，昔日行業對手正全力助力英特爾重返內存市場。
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