快科技4月25日消息,英特爾株式會社與軟銀旗下子公司SAIMEMORY聯合宣布,日本新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)已選定ZAM作為下一代內存標準,該標準被視為高帶寬存儲器(HBM)的替代方案。
該項目將獲得日本政府專項補貼資金,全面提速為期3.5年的整體研發計劃。
ZAM全稱為Z-Angle Memory(Z角內存),是英特爾時隔數十年再度推出的自研內存產品。該技術核心優勢集中在超高密度、超大帶寬、超低功耗三大特性。
相比傳統內存,ZAM功耗可降低40%至50%,架構設計大幅簡化,量產難度更低,單顆芯片最高容量可達512GB。
技術層面,ZAM采用特殊Z角互連架構,將多顆DRAM存儲芯片緊密堆疊,再通過專屬互連技術連通。整體內存堆疊模組借助基底芯片下方的EMIB嵌入式多芯片互連橋,與CPU、GPU等核心計算芯片高效連接。
該項目最早于今年2月正式公布,由英特爾與軟銀聯手打造,旨在破解全球持續發酵的內存資源危機,解決當下人工智能、高性能計算領域普遍面臨的內存短缺、硬件受限等行業難題。
現階段ZAM還將整合日本及全球范圍內的技術研發、芯片制造與供應鏈資源,為后續規模化落地和商業化量產鋪路。
英特爾日本總裁大野誠表示,多年來英特爾聯合美國能源部國家實驗室、新一代DRAM鍵合計劃,反復驗證了ZAM技術的底層科學原理。此次獲得日本官方扶持,將推動這項技術快速落地并走向全球,同時鞏固美日科技合作。
值得關注的是,英特爾早年曾是全球內存行業頭部廠商,后續市場份額被日本存儲廠商逐步擠壓,最終退出內存賽道。如今局勢反轉,昔日行業對手正全力助力英特爾重返內存市場。
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