三星加速第七代HBM研發

公眾號記得加星標??，第一時間看推送不會錯過。

三星電子正在加速研發其第七代高帶寬內存（HBM）“HBM4E”。據報道，該公司計劃下個月完成首個達到預期性能指標的HBM4E樣品的研發。在此基礎上，三星計劃在完成內部驗證后向客戶交付該產品。此前，三星已正式宣布業界首款量產的第六代HBM（HBM4）上市，此舉旨在鞏固其在下一代HBM市場的領先地位。

據業內人士16日透露，三星電子計劃下月生產首批HBM4E芯片樣品。該公司計劃在下月中旬之前，由其晶圓代工部門生產出HBM4E的“大腦”——邏輯芯片樣品，該芯片的性能相比上一代產品有了顯著提升——并將其交付給內存部門。計劃是將這些樣品與HBM4E DRAM封裝在一起。據悉，三星電子將向英偉達提供經過內部評估并達到預期性能標準的樣品。

此前，三星電子在今年3月舉行的NVIDIA年度開發者大會“GTC 2026”上展示了HBM4E的實物樣品。然而，業內普遍認為該產品僅僅是用于展示的樣品。三星電子似乎尚未生產出能夠滿足NVIDIA等客戶性能要求的真正意義上的樣品。

三星電子計劃加速HBM4E的研發，以鞏固其在下一代HBM市場的領先地位。此前，三星宣布，憑借先進的制造工藝，該公司已成功實現HBM4的量產出貨，領先于競爭對手。三星解釋說，其在HBM4邏輯芯片和HBM4 DRAM方面均采用了優于競爭對手SK海力士和美光的工藝，從而擁有性能優勢。據悉，該公司目前正全力提升盈利能力。

三星電子在HBM4E的邏輯芯片上采用了與HBM4相同的4nm制程工藝，并在DRAM芯片上采用了10nm級第六代（1c）工藝。雖然由于采用了新的工藝細節來提升部分性能，因此并非完全相同的工藝，但與首次在HBM4E中使用先進制程工藝和1c DRAM的競爭對手相比，其技術穩定性被評估為更高。

與此同時，據報道，SK海力士也在全力投入HBM4E的研發。據悉，SK海力士計劃將比HBM4先進一代的DRAM應用于HBM4E，并優先考慮在邏輯芯片上應用臺積電的3nm工藝。此前，SK海力士在HBM4邏輯芯片上采用了臺積電的12nm工藝，在HBM4上則采用了10nm級的第五代（1b）DRAM。雖然當時SK海力士的重點在于利用HBM4成熟的工藝來保證業務穩定性，但該公司似乎已經制定了在HBM4E性能方面取得優勢的戰略。

一位半導體行業官員表示：“雖然由于英偉達人工智能芯片 Vera Rubin 系列（包括 HBM4 和 HBM4E）的發布略有延遲，三星電子的產量有所調整，但該公司正專注于下一代市場，以避免重蹈上一代市場被競爭對手搶走的覆轍。”

（來源：編譯自chosun）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第4378內容，歡迎關注。

加星標??第一時間看推送

求推薦