COB元器件推拉力測(cè)試怎么做？推拉力測(cè)試機(jī)選型指南+實(shí)測(cè)演示

近期，我們接待了一位來自微電子封裝行業(yè)的客戶，他們主要從事COB（Chip on Board）元器件的封裝與鍵合工藝，需要全面評(píng)估芯片粘貼強(qiáng)度、金線鍵合強(qiáng)度和金球焊接質(zhì)量。針對(duì)這個(gè)需求，小編今天就和大家分享一下，如何使用推拉力測(cè)試機(jī)來進(jìn)行COB元器件的焊接質(zhì)量檢測(cè)，同時(shí)詳細(xì)講解測(cè)試參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)分析方法，為有同樣需求的朋友提供可靠性依據(jù)。

圖片源自網(wǎng)絡(luò)

一、測(cè)試原理

推力測(cè)試原理：將推刀以設(shè)定剪切高度對(duì)準(zhǔn)芯片/金球側(cè)面，以恒定速度水平推進(jìn)，直至芯片/金球從基板上脫落或失效，系統(tǒng)記錄最大推力值，評(píng)估芯片粘貼/金球焊接強(qiáng)度。

拉力測(cè)試原理：將金線鉤針置于金線下方，以恒定速度向上拉起，直至金線斷裂或鍵合點(diǎn)失效，系統(tǒng)記錄最大拉力值，評(píng)估金線鍵合強(qiáng)度。

1. 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

- MIL-STD-883 微電子器件測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)

- GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序

- JESD22-B117A 焊球剪切測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

- ASTM F1269 金線鍵合強(qiáng)度測(cè)試方法

- IPC-TM-650 印制板組件測(cè)試方法

三、測(cè)試設(shè)備

Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)

四、測(cè)試流程

步驟一：設(shè)備與試樣準(zhǔn)備

- 檢查推拉力測(cè)試機(jī)水平狀態(tài)及傳感器安裝情況

- 確認(rèn)各傳感器在校準(zhǔn)有效期內(nèi)

- 在顯微鏡下觀察COB元器件的芯片粘貼、金線鍵合及金球形貌，確認(rèn)無可見缺陷

- 調(diào)整顯微鏡焦距，確保清晰觀察測(cè)試區(qū)域

步驟二：參數(shù)設(shè)置

- 推芯片測(cè)試：傳感器DS200kg，量程50kg，破壞性模式

- 金線拉力測(cè)試：傳感器WP100，量程100g，破壞性模式

- 金球推力測(cè)試：傳感器BS250，量程250g，破壞性模式

步驟三：推芯片測(cè)試

- 將COB試樣固定于夾具中，調(diào)整推刀至芯片側(cè)面

- 設(shè)置合適的剪切高度，以恒定速度水平推進(jìn)

- 系統(tǒng)自動(dòng)記錄最大推力值

- 重復(fù)測(cè)試

步驟四：金線拉力測(cè)試

- 將試樣固定于夾具中，調(diào)整鉤針至金線下方

- 以恒定速度向上拉起金線，直至斷裂或失效

- 系統(tǒng)自動(dòng)記錄最大拉力值

- 重復(fù)測(cè)試

步驟五：金球推力測(cè)試

- 將試樣固定于夾具中，調(diào)整推刀至金球側(cè)面

- 設(shè)置合適的剪切高度，以恒定速度水平推進(jìn)

- 系統(tǒng)自動(dòng)記錄最大推力值

- 重復(fù)測(cè)試

步驟六：數(shù)據(jù)與失效分析

- 測(cè)試結(jié)束后，系統(tǒng)自動(dòng)顯示最大力值并保存測(cè)試數(shù)據(jù)

- 根據(jù)視頻回放和斷口形貌，觀察失效模式

- 整合數(shù)據(jù)、曲線和影像，導(dǎo)出完整測(cè)試報(bào)告

芯片推力測(cè)試結(jié)果

金線拉力測(cè)試結(jié)果

金球推力測(cè)試結(jié)果

以上就是科準(zhǔn)測(cè)控小編關(guān)于COB元器件推拉力測(cè)試的相關(guān)介紹了，希望對(duì)您有幫助。如您還有COB元器件推拉力測(cè)試、芯片剪切測(cè)試、金線拉力測(cè)試或推拉力測(cè)試機(jī)應(yīng)用等方面的疑問或需求，歡迎隨時(shí)通過私信或留言與科準(zhǔn)測(cè)控聯(lián)系。我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您提供專業(yè)的測(cè)試建議與定制化服務(wù)方案。