廣東
據臺媒Digitimes近日報道，三星電子已經啟動公開招標，將清理其位于韓國和中國西安半導體工廠的123臺閑置的舊設備，以精簡其NAND Flash業務流程，加速向200層以上NAND Falsh轉型。
報道稱，三星此次出售的設備包括中國西安工廠的86臺設備和韓國的37臺設備，主要為90-65納米工藝范圍內的成熟制程設備，也包括部分8英寸晶圓設備。
韓國媒體The Guru指出，三星此次將出售的閑置設備主要包括存儲晶圓制造過程中使用的工具，例如用于在晶圓上形成電路的核心制造設備，包括金屬薄膜成型、沉積、蝕刻、熱處理、清洗和檢測等。值得注意的是，此次出售的是貫穿整條生產線的通用設備，而非僅限于特定工藝步驟的設備。
隨著高密度、高容量、高性能產品在存儲器行業的占比不斷擴大，存儲晶圓廠進行產線升級，并清理利用率相對較低的設備、提高生產效率已成為一種持續的趨勢。
業內人士解釋說：“最近，存儲器行業正在進行重組，以同時考慮產品進步和運營效率。”他補充道：“各公司正在靈活調整其生產策略以適應市場狀況?！?/p>
而此次設備交易的關鍵背景則是三星西安工廠NAND Flash產線的工藝升級。此前消息顯示，三星電子已停止了西安生產現有的128層（V6）生產線，目前正集中精力量產236層（V8）NAND。
此外，三星電子還計劃在2026年前推出286層（V9）生產線，并制定未來推出400層以上超高層產品的路線圖。這被解讀為，在長江存儲的積極擴產和競爭之下，三星電子決心提升其在中國大陸生產的產品的技術優勢。
資料顯示，中國西安工廠是三星唯一的海外存儲芯片生產基地，對該公司全球供應鏈至關重要，生產了該公司約40%的NAND Flash。
編輯：芯智訊-浪客劍
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