廣東
4月3日消息，據韓國媒體The Elec報道，三星的首條8英寸氮化鎵（GaN）晶圓生產線預計最快將于2026年二季度進入量產階段，初期收入預計將保持在1000億韓元以下。
報道指出，三星已建立起涵蓋除芯片設計外所有內容的綜合GaN解決方案生態系統，并具備獨立生產GaN外延晶圓生產能力。
此外，三星計劃在今年內啟動碳化硅（SiC）功率半導體代工線的運營。該公司在碳化硅細分領域具備端到端能力，包括設計，能夠在不同電壓范圍內補充氮化鎵技術。
此前報道還披露，三星已投資約1000億至2000億韓元的先進工藝設備，包括Aixtron的MOCVD系統，以支持硅鎵和氮化鎵晶圓的加工。
編輯：芯智訊-林子
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