MicroLED搭上光通信快車

短短半年時間，MicroLED 完成了一次令人矚目的賽道跨越。

半年前，談及MicroLED，它還是AI眼鏡等消費電子終端中備受矚目的新型顯示方案；如今，它已強勢闖入光模塊賽道，完成了從顯示領域技術儲備，到AI數據中心光互連關鍵技術的突破，從新型顯示賽道的“潛力選手”，一躍成為AI算力時代光通信領域邁向更高帶寬的突破口。作為微米級無機自發光技術，MicroLED的價值已逐步轉向光互連與CPO光模塊領域，憑借低功耗、高密度、高可靠性的天然優勢，打破傳統光銅互連的取舍困境，為高速算力互聯提供了全新的解決方案。

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MicroLED是什么？

MicroLED全稱Micro Light Emitting Diode（微發光二極管，又稱μLED），是一種微米級無機半導體自發光技術，行業通用標準將其定義為單顆邊長＜100μm（主流量產規格＜50μm）的無機LED發光芯片，可作為獨立可尋址單元，通過精準集成實現高效光電轉換。其極簡結構去除了傳統顯示技術的冗余層，核心優勢集中于光電性能的極致優化，為光互連、CPO光模塊應用奠定基礎。

MicroLED的發光原理與傳統LED一致，基于氮化鎵（GaN）等第三代無機半導體材料的P-N結電致發光：給芯片施加正向電壓時，半導體內部的電子與空穴復合，釋放出光子實現電能到光能的轉化。

在顯示應用中，其單個顯示像素由紅、綠、藍三顆獨立的微米級LED芯片組成，每顆芯片都能被驅動電路獨立控制通電狀態與發光亮度。不發光的像素可完全斷電關閉，實現真正的純黑顯示，徹底規避了LCD的漏光問題；同時極簡的結構設計，去除了LCD的背光、液晶層、偏光片，以及OLED的有機發光層，大幅提升了光效、穩定性與集成度，也讓其具備了跨賽道應用的潛力。

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打破光銅取舍困境，MicroLED解鎖1.6T+超高速互連新可能

當前AI算力的爆發式增長，對數據中心的互連帶寬、傳輸距離、功耗與可靠性提出了前所未有的嚴苛要求。然而傳統互連方案始終無法擺脫“光與銅”的根本性取舍困境，難以適配算力升級的需求。

具體來看，銅纜鏈路雖具備能效高、可靠性強的優勢，但傳輸距離存在天然短板—— 無源銅纜傳輸距離不足 2 米，有源銅纜也僅能提升至 5-7 米，且隨著帶寬速率提升，信號衰減、電磁干擾與串擾問題會急劇加劇，無法適配長距、高速的傳輸場景；傳統光鏈路雖能實現更長的傳輸距離，卻要以高功耗、低可靠性為代價，單個通信用激光器功耗達數十至數百毫瓦，大規模陣列化部署會帶來難以承受的功耗與散熱壓力，同時多激光器封裝的復雜性會推高故障率，且無法通過冗余設計提升可靠性。在 1.6T/3.2T 及以上更高速率場景下，這種非此即彼的取舍困境愈發凸顯，成為制約算力網絡規模擴展的關鍵瓶頸。

而 MicroLED 光模塊憑借其材料與架構的天然優勢，實現了長距傳輸、低功耗、高可靠性的三者兼得，成為替代銅纜、互補傳統激光方案的理想光源，尤其在 AI 數據中心共封裝光學（CPO）場景中展現出極強的應用價值。與傳統激光器方案相比，MicroLED 光模塊的核心優勢集中體現在五個方面：

第一：極致低功耗，破解高速場景散熱痛點

MicroLED 作為面發射光源，采用 “寬而慢（WaS）”的創新架構，摒棄了傳統方案 “少數高速通道” 的設計思路，轉而通過海量低速通道并行傳輸實現高帶寬。該架構的本質是，通過并行低速通道替代串行高速通道。例如實現800G帶寬，可通過400個單通道速率2G的通道并行完成，單通道發光功耗極低。IEEE旗下光子學領域頂刊的最新研究數據顯示，基于MicroLED的短距光互聯方案，單通道功耗可降至傳統VCSEL方案的1/10、硅光方案的1/5，同時光引擎集成密度可提升3倍以上，從根源上解決了高頻場景下的功耗與散熱痛點。

第二：超高可靠性，逼近銅纜級穩定標準

MicroLED芯片尺寸可做到10微米甚至更小，能夠在單光模塊內實現大規模陣列化集成，輕松部署冗余芯片。例如400個通道即可滿足800G傳輸需求，實際可部署500顆芯片，即便10%的芯片出現故障，仍能穩定保障800G帶寬傳輸，這種冗余設計讓其可靠性逼近銅纜，徹底解決了傳統激光器方案多通道部署故障率同步攀升的行業痛點。

第三：超強帶寬擴展性，適配1.6T/3.2T算力演進需求

MicroLED光模塊的帶寬提升可通過“增加通道數”與“提升單通道速率”兩條路徑線性擴展，無需對核心架構進行顛覆性調整。800G、1.6T甚至3.2T的超高速率需求，均可通過靈活調整通道規模輕松滿足，完美適配AI算力網絡帶寬持續升級的需求。

第四：全生態兼容，無縫對接現有網絡架構

MicroLED光模塊無需改變現有行業生態，可直接適配OSFP、QSFP等標準接口，兼容PCIe、VSR/MR等主流電氣主機接口，以及以太網、InfiniBand、NVink、CXL等主流協議，無需對服務器、交換機等現有硬件進行任何改動，即可直接替代現有光銅鏈路，支持銅纜與光纜混合部署，大幅降低了技術落地的門檻與成本。

第五：天然適配CPO異構集成，契合下一代光互連趨勢

MicroLED具備微米級發光尺寸、高調制帶寬、低閾值電流、二維陣列化集成的天然優勢，與CPO（共封裝光學）的異構集成需求深度匹配。不同于傳統激光器需要復雜的溫控與波長穩定設計，MicroLED結構更簡單、集成度更高，可直接與交換芯片、ASIC芯片實現共封裝，無需高速信號轉換，為下一代高密算力互連提供了極簡、高效的解決方案。

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國際廠商領跑：加速MicroLED光互連產業化落地

憑借在光互連領域的突破性技術價值，MicroLED已吸引全球產業鏈上下游企業密集布局，國際龍頭企業率先發力，紛紛加碼技術研發與產業化落地，推動行業快速從實驗室技術驗證走向商用落地階段。

科技巨頭微軟率先完成核心架構的原型驗證，推出了名為MOSAIC的架構（全稱MicroLED Optical System for Advanced Interconnects，用于先進互連的 MicroLED 光學系統）。該架構基于“寬而慢”設計理念與 MicroLED 光源，實現了長距離、低功耗、高可靠的信號傳輸，目前已完成原型機驗證，順利通過以太網、InfiniBand 協議棧測試，同時確認了與 NVlink、CXL 等新型協議的兼容性。仿真數據顯示，量產級模塊的傳輸距離可突破 50 米，且功耗相比傳統光鏈路實現大幅下降。

晶圓代工龍頭臺積電則與美國初創公司Avicena 達成深度合作，聯合生產基于 MicroLED 的互連產品，以光通信替代傳統電連接，主打低成本、高能效的核心優勢，精準匹配 GPU 集群的高通信需求，直擊 AI 算力場景下的互連瓶頸。

芯片設計廠商聯發科自主攻克了MicroLED 光源技術，研發出全新有源光纜（AOC）解決方案，預計將于今年4月的光纖通信大會（OFC）上正式亮相；同時其推出的新一代定制化 ASIC 設計平臺，可提供異質整合電子與光學訊號的傳輸界面解決方案，精準瞄準 AI 與高速運算市場。

面板領域的友達光電，憑借30 年的玻璃制程經驗，結合自身成熟的 MicroLED 巨量轉移技術，正式切入 AI 數據中心短距離光通信市場，實現了顯示技術向光通信領域的跨界延伸。

此外，專業互連技術企業Credo Technology 通過收購 Hyperlume 強化自身光互連技術能力，與微軟等企業協同推進 MicroLED 光互連技術的研發與落地，進一步拓展了技術的應用場景邊界。

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國內企業發力：全產業鏈多點突破，同步追趕

在國際廠商加速技術落地的同時，國內產業鏈企業也快速跟進，在核心芯片研發、模塊量產、場景驗證等多個環節實現多點突破，與國際廠商共同推動 MicroLED 光互連技術的產業化進程。

在核心技術突破與產業化落地方面，國內多家企業已取得階段性成果。兆馳股份面向 MicroLED 光互連 CPO 技術的光源芯片已完成研發，進入樣品驗證階段，其 400G 與 800G 并行光收發模塊已實現小批量生產，率先實現了部分產品的產業化突破；三安光電聯合清華大學、中國移動，在 MicroLED 光電器件與高速光通信領域取得重大突破，成功研制出具備高速調制能力的 MicroLED 光源器件，經測試其 3dB 調制帶寬預計超過 7GHz，NRZ-OOK 數據傳輸速率有望突破 10Gb/s，完成了關鍵技術的核心驗證；利亞德已向中科院提供 MicroLED 光模塊產品，用于替代原有傳統光傳輸方案，目前方案處于研發驗證階段，實現了場景試點的初步落地；新相微則與京東方華燦簽署戰略合作協議，雙方將共同攻堅 MicroLED 光互連技術和光模塊的研發與生產，目前正將已有的 MicroLED 產品技術拓展至智算中心光互連場景，同步開展場景系統與性能指標的評估分析工作。

與此同時，也有多家廠商正開展技術可行性評估與前期布局，為后續技術落地蓄力。洲明科技表示，公司 MicroLED 光互連技術正處于技術可行性評估及研究階段，將結合技術成熟度曲線與市場需求變化，動態規劃該技術方向的研發路徑與資源配置；聚燦光電也已在 MicroLED 領域開展相關技術布局，目前處于技術探索與積累階段，尚未應用于 CPO 領域，后續將根據技術成熟度靈活調整推進節奏。

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結語

從顯示領域的技術深耕，到光互連賽道的跨界突破，MicroLED 正在 AI 算力時代打開全新的增長空間。隨著全球產業鏈企業的持續加碼，技術研發的不斷突破與產業化進程的持續提速，MicroLED 有望徹底改寫數據中心互連領域的技術格局，成為支撐 AI 算力持續升級的核心底層技術之一。