存儲芯片，新競爭

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低功耗動態隨機存取存儲器（LPDDR）正在人工智能（AI）內存市場嶄露頭角。它作為一種替代方案備受關注，有望彌補僅靠高帶寬內存（HBM）難以解決的AI瓶頸問題，同時還能提供更高的能效。三星電子和SK海力士已發布新一代LPDDR產品，加入這場爭奪市場份額的競爭。

據業內人士2月24日透露，三星電子和SK海力士分別在2月15日至19日（當地時間）于美國舊金山舉行的“ISSCC（國際固態電路會議）2026”上公布了其LPDDR6的研發成果。ISSCC被認為是半導體設計領域最負盛名的會議。

三星電子和SK海力士均展示了符合JEDEC（聯合電子設備工程委員會）標準的LPDDR6內存，其最大傳輸速度可達14.4Gb/s。與上一代LPDDR5X（最大傳輸速度10.7Gb/s）相比，速度提升約35%。LPDDR6預計將于今年下半年上市。

三星電子著重提升了能效。該公司設計的大多數電路即使在超低電壓下也能正常工作，與LPDDR5相比，讀取功耗降低了27%。在最低電壓（0.97V）下，其傳輸速度達到了12.8Gb/s，并通過結構優化，增強了在實際使用環境中的穩定性。

SK海力士還應用了“高效模式”來降低功耗。該公司在保持12.8Gb/s傳輸速度的同時降低了功耗。SK海力士表示，該產品在低電壓環境下可提供10.9Gb/s的傳輸速度，即使在最高傳輸速度（14.4Gb/s）下也能保持穩定的性能。此外，該公司還展示了僅使用所需功率的電源控制技術。

傳統上，LPDDR主要用于智能手機等對能效要求較高的移動設備。然而，隨著人工智能基礎設施的普及，其應用范圍近年來不斷擴大。LPDDR能夠彌補HBM單條內存無法解決的容量不足，同時又具備出色的能效，因此備受關注。通過使用LPDDR，可以擴展系統級內存容量，提高數據中心的能源效率，并降低總體擁有成本（TCO）。

具體來說，推理人工智能會生成稱為“鍵值緩存”（KV緩存）的臨時數據來維護對話上下文。隨著上下文長度的增加，KV緩存容量會迅速增長，這可能導致GPU（圖形處理器）中安裝的HBM內存容量不足，從而造成瓶頸。因此，目前正在探討一種將HBM的高帶寬與LPDDR的高容量和低功耗特性相結合的設計方案。

此外，與標準DRAM相比，LPDDR具有更高的功耗和空間效率，能夠在不大幅修改現有系統結構的情況下擴展內存容量。三星電子和SK海力士還通過在LPDDR6中集成“元數據”區域來提高數據管理效率，從而提升人工智能的計算效率。

例如，英偉達的GH200系統將安裝在Grace CPU（中央處理器）中的LPDDR5X內存與安裝在Hopper GPU（圖形處理器）中的HBM3E顯存連接起來。英偉達計劃于今年下半年發布的Vera CPU預計將配備1.5TB（太字節）的LPDDR5X內存。

根據美光科技的研究，將LPDDR5X內存容量從512GB擴展到1.5TB，可以在實時推理環境中將首次令牌響應時間（TTFT）縮短高達98%。隨著內存容量的增加，重新計算的次數可以減少，從而提高初始響應速度。

一位業內人士表示：“僅靠 HBM 無法滿足所有快速增長的內存需求，”他補充道，“由于服務器 DRAM 和 LPDDR5X 的需求與 HBM 的需求同步增長，這將提高相關內存產品的整體盈利能力?！?/p>

（來源：編譯自businesskorea）

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