化合物半導體，最新預測

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由于化合物半導體在功率、射頻和光子學方面具有明顯的性能優勢，因此其發展勢頭持續強勁。

在2026年的展望中，襯底和開放式外延片層面的增長情況進行了重新評估，盡管短期內面臨價格壓力和應用時機調整，但n型SiC和InP仍將引領強勁的長期增長。預計CS襯底市場總額將從2025年的12.9億美元增長到2031年的27.9億美元（年復合增長率14%），而開放式外延片市場將從11億美元增長到23.9億美元（年復合增長率14%）。

功率應用領域占據主導地位，其中n型碳化硅(SiC)憑借電動汽車電氣化、800V架構以及8英寸晶圓的加速普及而推動增長，盡管產能過剩和汽車行業增速放緩短期內會對價格構成壓力。功率氮化鎵(GaN)的應用范圍已從消費級快速充電擴展到汽車和數據中心，但其外延晶圓市場規模仍小于碳化硅。

射頻市場保持穩定，主要由手機領域的砷化鎵（GaAs）和電信及國防領域的氮化鎵（GaN）主導，短期內增長空間有限，但向6G時代穩步邁進。光子學市場發展勢頭最為強勁，主要受人工智能數據中心和帶寬升級的推動，加速了磷化銦（InP）的普及、6英寸平臺和高速激光器的應用。

LED 技術仍然成熟且價值較低，而 MicroLED 的普及將在本世紀晚些時候在更現實的預期下重新開始，首先應用于可穿戴設備和 AR 領域。

可擴展平臺和應用塑造化合物半導體的未來

化合物半導體在眾多終端應用中發揮著關鍵作用。在汽車市場銷量巨大、人工智能數據中心快速擴張以及移動、消費和電信領域需求穩定增長的推動下，各種材料的供應鏈正在重塑。電力電子是增長最強勁的驅動力，這得益于自2020年代初以來對功率碳化硅(SiC)的大量投資以及近期在功率氮化鎵(GaN)領域的戰略舉措。

碳化硅（SiC）的增長得益于產能規模的擴大以及晶圓尺寸從6英寸向8英寸的過渡，新的中國晶圓和外延片供應商的加入提升了成本競爭力，并滿足了開放市場對8英寸晶圓的需求。功率氮化鎵（GaN）正朝著混合型IDM和無晶圓/代工廠模式轉變，一些代工廠退出市場，而新的廠商則憑借其內部外延技術進入市場；IDM廠商將GaN視為數據中心滲透的戰略性技術。

移動和電信射頻市場保持穩定，GaAs 和 GaN 增長溫和，市場重點在于整合而非擴張。

受人工智能數據中心的推動，光子學展現出強勁的發展勢頭，加速了高速激光器向 6 英寸 InP 的過渡。

LED和microLED技術已趨于成熟和集中，垂直整合至關重要，尤其是在microLED進軍高端可穿戴設備領域之際。更大的襯底尺寸加劇了純化合物半導體廠商和硅晶圓廠之間的競爭，而中國廠商則繼續構建端到端的化合物半導體供應鏈，以滿足國內外的需求。

根據市場動態進行調整，以適應不同的應用場景

化合物半導體（SiC、GaN、GaAs、InP）在功率、射頻、光子學和顯示等領域不斷擴展，日益推動著超越硅的系統級創新。

該行業的路線圖由晶圓尺寸縮小、產能建設以及在襯底和外延方面的成本降低努力所定義。

SiC 不斷縮小尺寸，達到 6 英寸，并加速采用 8 英寸，新的方法旨在降低成本并提高材料利用率。

GaN 受益于與 CMOS 兼容的 GaN-on-Si 技術，推動晶圓尺寸增大，從而提高可擴展性和降低成本。

在射頻和光子學領域，平臺過渡仍然緩慢（GaAs 保持標準化，InP 向 6 英寸方向發展），而 MicroLED 的發展勢頭正在增強，有望在未來十年實現快速增長，襯底的演進是關鍵的推動因素。

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（來源：編譯自Yole）

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