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2月22日，露笑科技（002617）在其官方公眾號發(fā)布喜報：旗下合肥露笑半導體材料有限公司（以下簡稱“合肥露笑”）接連傳來捷報。
繼8英寸導電型碳化硅襯底實現(xiàn)關鍵技術突破后，公司又在半絕緣型碳化硅領域取得關鍵性進展，首次制備出12英寸碳化硅單晶樣品，完成從長晶到襯底全流程工藝的開發(fā)測試。
公司稱，這標志著合肥露笑構建“導電+半絕緣”全品類產(chǎn)品矩陣的技術突破，預示著在大尺寸賽道上形成決勝未來的關鍵力量。
碳化硅材料作為第三代半導體的核心基石，根據(jù)應用場景的不同，主要分為導電型和半絕緣兩大類型分支。
露笑科技稱，合肥露笑已制定新的產(chǎn)業(yè)化路徑，計劃在現(xiàn)有合肥基地一期項目發(fā)展的基礎上，緊鑼密鼓地籌劃擴產(chǎn)項目。計劃布局的新產(chǎn)線重點聚焦于8英寸導電型碳化硅襯底及12寸半絕緣型襯底的規(guī)模化生產(chǎn)，旨在快速響應新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能、消費電子及工業(yè)控制等領域對高性能碳化硅材料日益增長的市場需求。
來源：露笑科技官微、e公司
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責編：何予
校對：趙燕
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