SK海力士：存儲價格將繼續上漲

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據《金融時報》報道，SK海力士目前的動態隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存庫存僅夠維持約四周。隨著人工智能（AI）服務的進步，需求不斷增長，而供應仍然有限，分析師預計今年內存價格的上漲趨勢將持續。一些人認為，市場已經進入了供應商主導的階段。

據美國金融博客 Zero Hedge 21 日報道，SK 海力士最近在與高盛研究人員（包括 Guinee Lee）的討論中分享了這一情況。

李指出，SK海力士預計“大量投資將繼續持續，因為客戶在開發人工智能服務方面取得了顯著進展”。他補充道：“雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置，這可能會抑制需求，但由于供應擴張能力有限，價格上漲趨勢可能會持續下去?！?/p>

他還指出，“整個行業潔凈室空間短缺加劇了供應限制，并為價格上漲創造了有利環境。”與此同時，他分析道，“客戶認識到短期內大幅擴大產能困難，因此像過去那樣為了確保銷量而重復下單的可能性很低?！?/p>

具體而言，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量，這被視為進一步增強了該公司作為供應商的議價能力。李先生解釋說：“穩健的庫存管理和緊張的供需環境有利于就長期合同進行磋商?！彼a充道：“目前DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業務的擴張。”

該公司工藝升級路線圖也與此前預期基本一致。李表示：“1c納米工藝將從2026年起主要應用于DRAM，并從2027年起全面應用于HBM?！彼€指出，“對DRAM和HBM的資本支出重點與此前的預期一致?！?/p>

會議主要紀要 (Key Takeaways)

1. 受實際需求和供應緊張驅動，內存價格年內可能持續上漲 海力士認為，在 AI 客戶強勁需求的推動下，當前的內存價格上漲趨勢可能貫穿全年。公司預計，隨著 AI 客戶在 AI 服務方面取得實質性進展，他們將繼續保持相當大的投資規模。 盡管公司承認 PC 和移動端客戶潛在的“規格降低（despeccing）”可能會對內存需求造成壓力，但由于供應增長有限，公司仍預計價格將保持上漲軌跡。 公司提到，全行業無塵室空間有限是導致供應緊張和內存價格環境有利的原因之一。公司認為內存訂單出現實質性“重復下單（double-booking）”的可能性較低，因為客戶意識到短期內內存產能無法顯著增加，因此他們認識到重復下單不會帶來更多配額，反而會進一步推高價格。

2. 健康的庫存水平和增強的供應商議價能力促使長期合同討論增加 海力士強調，今年沒有客戶能夠完全滿足其內存需求，因此所有終端市場的需求滿足率仍處于較低水平。結果是，海力士認為服務器客戶的庫存水平正達到健康狀態，而 PC/移動端客戶的庫存水平呈下降趨勢。 考慮到供應商方面的庫存也很精簡（我們認為海力士持有的 DRAM 和 NAND 正常庫存水平約為 4 周，并預計該水平將在全年下降），我們認為供應商的議價能力（leverage）將繼續增強。 在此背景下，公司正在與主要客戶討論多年期合同。雖然討論已取得一定進展，但海力士總體持謹慎態度，試圖最大化未來的需求穩定性。

3. 當前傳統 DRAM 供需緊張可能為 2027 年的 HBM 業務帶來更有利的條款 雖然認識到需求的潛在上行空間，但海力士提到，鑒于今年的 HBM 已售罄且滿足客戶需求的生產已分配完畢，要在 2026 年對 HBM 和傳統 DRAM 之間的生產計劃進行實質性更改將很困難。 雖然公司可能會堅持 2026 年的原定產能分配計劃，但我們認為，對于 2027 年，公司的 HBM 業務可能有更大的上行空間，因為我們認為它將能夠反映當前傳統 DRAM 顯著的供需緊張狀況。

4. 2026 年 1c nm 產能爬坡主要針對傳統 DRAM，HBM 主要從 2027 年開始 海力士今年將專注于在 M15X 工廠提升 1b nm DRAM 產能，主要用于支持 HBM3E 和 HBM4 的供應。鑒于公司計劃從 HBM4E 開始使用 1c nm 工藝，該節點用于 HBM 的大規模產能爬坡可能會在 2027 年完成。 同時，由于公司預計全年對 DDR5 和 LPDDR5（包括 SOCAMM）的需求強勁，其可能會進行大規模的技術遷移（而不是增加新的晶圓產能），以增加其傳統 DRAM 的 1c nm 位元供應，并預計到今年年底，超過一半的傳統 DRAM 將采用 1c nm 節點。

5. 資本支出指引及對 DRAM/HBM 投資的關注與高盛預測基本一致 雖然海力士提到今年的資本支出計劃仍在討論中，但其繼續預計支出將比去年有所增加，同時計劃繼續堅持資本支出紀律。公司預計今年的資本支出中，晶圓廠設備（WFE）的組合與去年相比不會有太大差異。 雖然公司已恢復了部分 NAND 投資，主要是為了遷移到 321層 3D NAND，但仍預計 NAND 資本支出的比例將保持穩定，因為資本支出的重點仍將放在 HBM 和傳統 DRAM 上。 我們認為公司對資本支出的看法與我們的觀點基本一致，因為我們預計公司今年的總資本支出將同比增長 36%，達到 38 萬億韓元，并預計 NAND 的占比今年將保持在低雙位數百分比，與去年相似。

（來源：半導體行業觀察綜合）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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