群聯(lián)CEO預警：存儲短缺預計持續(xù)5年 大量消費電子企業(yè)或?qū)⒌归]

全球NAND Flash控制芯片龍頭群聯(lián)電子（Phison）CEO潘健成日前在媒體訪談中分析，由AI爆發(fā)所引發(fā)的存儲芯片供應(yīng)危機預計將持續(xù)至2030年，而2026年底前，大量消費電子廠商將因無法獲得內(nèi)存供應(yīng)而被迫停產(chǎn)甚至倒閉，其表示這一判斷并基于當前DRAM與NAND Flash市場已徹底轉(zhuǎn)向“賣方主導”的殘酷現(xiàn)實。

潘健成透露，部分原廠甚至要求客戶預付未來三年的現(xiàn)金貨款，才能鎖定產(chǎn)能分配，這在半導體產(chǎn)業(yè)數(shù)十年歷史上前所未有。“現(xiàn)在不是你有沒有錢的問題，而是你有沒有被原廠‘需要’。”他坦言，作為行業(yè)資深人士，自己也不得不以“存儲乞丐”的姿態(tài)四處求援，只為確保關(guān)鍵客戶的訂單交付。

這場由AI驅(qū)動的“存儲饑荒”正以前所未有的速度吞噬消費電子產(chǎn)能。數(shù)據(jù)顯示，8GB eMMC存儲芯片價格從2025年初的1.5美元飆升至20美元，漲幅超1200%，車規(guī)級產(chǎn)品更逼近30美元，且“有錢也未必能買到”。潘健成直言：“系統(tǒng)制造商哪怕缺一顆料，整條產(chǎn)線就得停擺。”

更令人憂心的是結(jié)構(gòu)性失衡，智能手機中存儲成本已占BOM超20%，而服務(wù)器僅占5%-6%。面對利潤更高的數(shù)據(jù)中心客戶，原廠自然優(yōu)先保障英偉達、微軟、Meta等巨頭的訂單。以NVIDIA即將量產(chǎn)的Vera Rubin GPU為例，單顆需搭配20TB以上SSD，若出貨1000萬顆，僅此一項就將消耗全球去年NAND總產(chǎn)能的20%，這還未計入AI訓練所產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)存儲需求。

在此背景下，消費電子行業(yè)正滑向深淵。潘健成預測，2026年全球智能手機產(chǎn)量將銳減2億至2.5億臺，PC與電視出貨量也將大幅下滑。部分中低端品牌或直接退出市場，而幸存者則被迫延長產(chǎn)品生命周期——“未來一兩年，電子產(chǎn)品壞了不再扔，而是去修”。

值得注意的是，這場危機背后是供給側(cè)的“雙重枷鎖”，一方面，存儲原廠在經(jīng)歷2020–2024年慘烈虧損后擴產(chǎn)極度謹慎；另一方面，3D NAND堆疊層數(shù)突破300層后，設(shè)備調(diào)試與良率爬坡周期長達18–24個月，新建晶圓廠最快也要到2027–2028年才能投產(chǎn)。

然而，潘健成也指出一線希望，中國云端、地端及教育三大需求尚未啟動，一旦加入，將進一步推高缺口，但也可能倒逼國產(chǎn)替代加速，長江存儲、長鑫存儲雖短期內(nèi)難以填補全球10%–20%的供給缺口，但其技術(shù)進展正為供應(yīng)鏈提供緩沖。