解碼2026年內(nèi)存市場的關鍵趨勢與博弈 | VIP洞察周報

人工智能正以前所未有的力量重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)格局，而內(nèi)存市場正處于這場變革的風暴眼。從HBM的競賽到通用DRAM的短缺，一場由AI/數(shù)據(jù)中心需求主導、供給端持續(xù)緊繃的“超級周期”正以前所未有的強度和確定性展開。未來一年的市場軌跡、價格走勢與產(chǎn)業(yè)贏家，已成為全球科技與資本關注的焦點。

愛集微VIP頻道近日上線大和資本發(fā)布的報告《2026年全球內(nèi)存市場展望》。本報告以詳實的數(shù)據(jù)與清晰的邏輯指出：2026年將是內(nèi)存超級周期的延續(xù)與深化之年，行業(yè)盈利有望迎來爆發(fā)式增長，并系統(tǒng)性地揭示了各細分市場的增長邏輯、核心廠商的機遇與潛在風險，為理解這一輪產(chǎn)業(yè)浪潮提供了全景式指南。

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核心發(fā)現(xiàn)：需求爆發(fā)、供給約束與明確的企業(yè)賽道

一、整體市場趨勢：量價齊升，超級周期貫穿2026

報告預測，在AI/數(shù)據(jù)中心需求的強力驅(qū)動與通用內(nèi)存供給約束的雙重作用下，2026年內(nèi)存市場將持續(xù)繁榮。

市場規(guī)模激增：預計2026年DRAM市場規(guī)模將達到2750億美元，同比增長94%；NAND市場規(guī)模同比增長102%。

價格強勢上行：通用內(nèi)存價格上漲趨勢將貫穿2026年，其中2025年四季度服務器DRAM平均售價（ASP）環(huán)比漲幅將超 50%，NAND價格則從2025年三季度起進入上升通道，2026年一季度供給進一步收緊將推動價格加速上漲。

二、細分市場亮點：HBM領跑，服務器與NAND供需緊平衡

HBM市場：持續(xù)高增長，技術代際遷移啟動

受ASIC人工智能芯片規(guī)格升級驅(qū)動，2026年HBM市場規(guī)模將達591億美元，同比增長49%，位元出貨量增42%。

2026年下半年將開啟向HBM4的遷移，由英偉達Rubin GPU平臺引領。三星有望憑借先進技術重獲份額，縮小與領頭羊SK海力士的差距。

服務器與數(shù)據(jù)中心：需求引擎全速運轉(zhuǎn)

四大云服務提供商（亞馬遜、谷歌等）2025年資本開支同比增長54%，且增速仍在加快，強力拉動服務器DRAM與存儲需求。

AI服務器CPU對LPDDR5的廣泛采用導致移動DRAM供應短缺，進而傳導至全品類內(nèi)存價格的反彈。

NAND市場：供給策略保守，短缺支撐價格

2026年第一季度NAND行業(yè)庫存將進一步收緊，供給短缺加劇。

強勁的數(shù)據(jù)中心存儲需求與HDD供應不足帶來的替代需求，共同支撐NAND價格持續(xù)上漲。

主要廠商資本開支聚焦HBM與DRAM，對NAND投資保持保守策略，進一步限制供給增長。

產(chǎn)業(yè)前瞻與審慎觀察

報告重申對三星電子、SK海力士、美光科技、鎧俠、南亞科技的“買入”評級，并大幅上調(diào)多家目標價，凸顯對行業(yè)盈利彈性的強烈信心。

報告亦清醒地指出了三大核心下行風險：1）數(shù)據(jù)中心電力基礎設施擴建延遲（周期超4年）；2）IT企業(yè)融資問題可能引發(fā)的泡沫破裂；3）內(nèi)存價格持續(xù)大漲導致終端設備BOM成本壓力，抑制智能手機、PC等需求。

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