【硬件資訊】HBM4羅生門！三星宣布完成量產(chǎn)，Nvidia為三星海力士放寬標準，美光辟謠邊緣化！

新 聞一： 三星宣布HBM4正式量產(chǎn)，4nm基礎(chǔ)裸片，速率達11.7Gbps，最高可至13Gbps

三星宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM4，并已向客戶發(fā)貨商用產(chǎn)品。其結(jié)合了4nm基礎(chǔ)裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，從量產(chǎn)初期就實現(xiàn)了穩(wěn)定的良品率和行業(yè)領(lǐng)先性能，無需額外重新設(shè)計，確保了三星在早期HBM4市場的領(lǐng)導地位。

三星表示，這次的HBM4沒有采用傳統(tǒng)的既有成熟設(shè)計，而是向前邁出了一大步，采用了最先進的制程節(jié)點。通過利用自身的工藝技術(shù)競爭力及優(yōu)化設(shè)計，三星能夠保證充足的性能提升空間，在客戶需要時滿足對方不斷增長的性能需求。

目前三星生產(chǎn)的HBM4速率達到了11.7Gbps，比起行業(yè)標準的8Gbps高出了約46%，是前一代HBM3E最高速率9.6Gbps的1.22倍，為HBM4的性能樹立了新的標桿。三星的HBM4還能進一步提高至13Gbps，有效緩解隨著AI模型不斷擴展而加劇的數(shù)據(jù)瓶頸。此外，HBM4單堆棧的總內(nèi)存帶寬是HBM3E的2.7倍，最高可達3.3TB/s。

通過12層堆疊技術(shù)，三星為HBM4提供了從24GB到36GB不等的容量。未來三星還將通過16層堆疊技術(shù)，將容量擴展到最高48GB。

HBM4的接口位寬為2048位，相比于過往的HBM翻倍，帶來了新的功耗和散熱問題。為此三星將先進的低功耗設(shè)計方案集成到核心芯片中，采用低電壓硅通孔（TSV）技術(shù)和電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）優(yōu)化，HBM4在功耗效率上相比于HBM3E提升了40%，同時熱阻降低了10%，散熱能力提升了30%。

三星HBM4為數(shù)據(jù)中心環(huán)境帶來卓越性能和能效還有高可靠性，助力客戶實現(xiàn)GPU吞吐量最大化，并有效管理其總體擁有成本（TCO）。

原 文 鏈接：https://m.ithome.com/html/920323.htm

這效率比想象的還快啊，而且正如我們預料的一樣，三星果然將自家的先進半導體生產(chǎn)技術(shù)用在了HBM內(nèi)存基板上。這也算是一種內(nèi)卷，我三星用了4nm，你們兩家跟不跟？不跟的話，你們性能不如我，跟的話，你們成本不如我，這已經(jīng)是三星的陽謀了啊！！

新 聞2：三星和SK海力士都面臨產(chǎn)能和良品率問題，
英偉達或放寬HBM4規(guī)格要求

隨著新一代Vera Rubin平臺進入量產(chǎn)階段，SK海力士和三星都將向英偉達供應(yīng)HBM4。三星在昨天就已官宣量產(chǎn)HBM4，采用了4nm基礎(chǔ)裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，并已向客戶發(fā)貨商用產(chǎn)品，領(lǐng)先于SK海力士和美光。

據(jù)TrendForce報道，性能是HBM4至關(guān)重要的指標，不過產(chǎn)能和良品率決定了下一代AI加速器是否能夠按時提供穩(wěn)定供應(yīng)，而今年整體HBM4供應(yīng)動態(tài)大概率主要取決于英偉達的采購策略，也就是訂單的分配情況。按照最近一段時間的說法，SK海力士將占據(jù)Vera Rubin平臺大部分HBM4訂單，份額可能在60%至70%，超過了之前50%的預期。

雖然SK海力士延續(xù)了HBM3E時代的強勢，拿到了過半的HBM4訂單，但是早期的可靠性評估顯示，SK海力士提供的HBM4想達到11Gbps級別速率有些困難，而SK海力士也一直在做改進。三星在英偉達的HBM4資格測試中處于領(lǐng)先位置，有著不錯的性能表現(xiàn)，可是1cnm DRAM芯片的良品率約為60%，短時間內(nèi)也無法大幅提高產(chǎn)能，即便三星加速擴大生產(chǎn)線，也不足以滿足英偉達整體HBM4的需求。

市場已經(jīng)更多地將關(guān)注點放到了英偉達的整體采購策略上，如果堅持11.7Gbps的規(guī)格，可能很難采購足夠數(shù)量的HBM4用于Vera Rubin平臺。有業(yè)內(nèi)人士透露，英偉達可能放寬HBM4規(guī)格要求，除了11.7Gbps，還將采購速率降一檔的10.6Gbps產(chǎn)品，以降低存儲器制造商的生產(chǎn)難度，從而確保HBM4的穩(wěn)定供應(yīng)。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104213.html

不過現(xiàn)在看來，其實供需市場已經(jīng)倒掛了。此前，內(nèi)存廠商都是靠著大客戶來支撐，但現(xiàn)在大客戶已經(jīng)需要反過來兼容內(nèi)存廠商的問題了。Nvidia還不是一般的大客戶，可想而知其他客戶的處境了……估計三星海力士就算使用降級片交付，大家也只能笑呵呵的接受了……

新 聞3： 美光駁斥被邊緣化的傳言，HBM4已提前一個季度量產(chǎn)，速率超過11Gbps

近日有報道稱，美光在HBM4供應(yīng)上出現(xiàn)了一些問題，導致落后于三星和SK海力士，英偉達可能會對原先規(guī)劃的訂單進行調(diào)整，將部分美光的訂單轉(zhuǎn)交給三星，三星的份額將從20%升至30%，而美光則相反，從30%降至20%。外界猜測，如果美光的HBM4問題嚴重，甚至可能被排除在HBM4供應(yīng)商名單之外。

據(jù)TrendForce報道，近日在公開活動中，美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Mark Murphy駁斥了美光被英偉達邊緣化的傳言，稱這些報道都是“不準確的”，表示美光已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，并向客戶發(fā)貨。

按照Mark Murphy說法，實際情況應(yīng)該是HBM4生產(chǎn)提速，量產(chǎn)時間從第二季度前移至第一季度。同時Mark Murphy還強調(diào)，美光的HBM4良品率與預期相符，正在按計劃推進，可以提供速率超過11Gbps的產(chǎn)品。

美光的HBM4采用了1? (1-beta) DRAM工藝制造，為2048-bit接口，每個堆棧的帶寬超過了2.0 TB/s，性能比上一代產(chǎn)品提高了60%以上，同時還內(nèi)置自檢（MBIST）功能。與美光的上一代HBM3E產(chǎn)品相比，這次HBM4的功率效率提高了20%以上。

隨著英偉達Vera Rubin平臺進入量產(chǎn)階段，三星、SK海力士和美光在HBM4的爭奪戰(zhàn)也變得愈發(fā)激烈。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104180.html

那其實大家可以看到，市場中心的明星已經(jīng)是三星和SK海力士了，第三大DRAM廠商的美光怎么樣了？？美光也很糾結(jié)自己被邊緣化的事情，專門發(fā)信息回應(yīng)自己并未邊緣化，目前也已經(jīng)完成了HBM4的量產(chǎn)準備，不知道美光能拿出什么樣的成績了！

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