HBM4內存大單被瓜分！

芯東西（公眾號：aichip001）
作者 ZeR0
編輯 漠影

芯東西2月13日報道，HBM戰局連生變數，美光科技周三剛披露已提前一個季度開展HBM4產品的量產和商業出貨，三星就在昨日推出業界首款商用HBM4。

這給全球HBM霸主SK海力士不斷施加新壓力。

SK海力士曾放話將保持HBM4芯片“壓倒性”的市場份額，計劃使HBM4的生產良率與HBM3E芯片相近，并在最新一季的財報電話會議中強調自己積累的量產經驗和客戶信任度都“短時間內難以趕上”。

美光科技計劃在2026年全面推出HBM4。在周三的一場行業會議上，美光科技CFO Mark Murphy透露，美光已開展HBM4產品的量產和商業出貨，這比去年12月財報會議上披露的“第二季度”提前了一個季度。

他強調說，美光HBM4產品的數據處理速度超過11Gbps，公司“對HBM4產品的性能、質量和可靠性非常有信心”。

周四，三星宣布自家HBM4已開始量產，并已向客戶交付商用產品，預計其HBM產品銷量在2026年將達到2025年的3倍以上，并正積極擴大HBM4的產能；其HBM4E樣品預計將于2026年下半年開始發放，而定制HBM樣品將根據客戶的具體規格于2027年開始交付。

產品規格方面，三星HBM4采用第六代10nm級DRAM工藝1c DRAM和4nm邏輯工藝，可提供高達11.7Gbps的穩定處理速度，比業界標準的8Gbps提升約46%，比其前代產品HBM3E的最高引腳速度9.6Gbps提升22%。與HBM3E相比，其每個堆棧的總內存帶寬提高至2.7倍，最高可達3.3TB/s。

英偉達將在今年3月的GTC大會上發布新一代旗艦AI計算平臺Vera Rubin，預計將進一步點燃HBM搶位戰。

在今年1月底到訪中國臺灣期間，英偉達創始人兼CEO黃仁勛透露，英偉達與所有主要的HBM供應商都有合作，今年非常依賴這些合作伙伴來滿足飆升的需求。

早先有韓媒援引消息人士報道，英偉達將其HBM4需求的約70%分配給了SK海力士。但是這一爆料數據近期又有變化。

據韓媒2月9日報道，三星將于2月開始量產并向英偉達交付HBM4，英偉達于去年12月初步將HBM4需求的約50%分給SK海力士，三星和美光則各分到20%左右。

市場研究機構Counterpoint Research此前預計，2026年全球HBM4市場中，SK海力士、三星、美光的市占率分別為54%、28%、18%。

另據TrendForce集邦咨詢最新研究，三大存儲芯片原廠的HBM4驗證程序已進展至尾聲，預計將在2026年第二季度陸續完成。其中，三星預期將率先通過驗證，SK海力士、美光隨后跟上。

去年6月，美光向重點客戶交付了36GB、12層封裝的HBM4樣品。該HBM4基于其成熟的1β DRAM工藝，采用2048位接口，每個內存堆棧的讀寫速度超過2.0TB/s，性能比上一代產品HBM3E提升超過60%，能效提升超過20%。

三星HBM4產品同樣采用12層堆疊技術，容量從24GB到36GB，還計劃通過采用16層堆疊技術，將容量擴展至最高48GB。

三星在核心芯片中集成了先進的低功耗設計方案。與上一代HBM3E相比，其HBM4通過采用低電壓硅通孔（TSV）技術和電源分配網絡（PDN）優化，將能效提升40%、熱阻降低10%、散熱能力提高30%。

雖然數據中心市場對先進HBM的需求，但幾家存儲芯片巨頭未必有足夠動力去全力投入HBM4生產，因為通用DRAM產品的價格也在飆升。

國際投資銀行高盛披露，今年通用DRAM的價格為每Gb 1.25美元，或每GB 10美元（1GB=8Gb）。這個價格與當前HBM市場的旗艦產品12層HBM3E（第五代HBM）產品并沒有顯著差異。由于通用DRAM無需像HBM那樣采用頂尖封裝技術，因此其利潤率據稱要高得多。

隨著存儲供應持續緊張，AI基礎設施產業的主導地位正在發生變化，存儲芯片大廠們將掌握更高的議價權。