DRAM持續緊缺，要漲到2028年？

2月13日消息，隨著全球云服務科技大廠紛紛斥巨資掀起人工智能（AI）數據中心建設熱潮，推動了對于DRAM的巨大需求，但由于現有產能有限，引發了整個DRAM市場的持續供不應求、價格飆升。

據Counterpoint Research的數據顯示，今年一季度DRAM價格已上漲了80%至90%。多家DRAM廠商均表示，二季度DRAM價格將進一步上漲，2026年的產能已經售罄，甚至2027年的產能也已經售罄，合約價格則都是需要逐季確定。不少業者甚至認為DRAM緊缺、漲價的態勢將延續到2028年。

三星電子、SK海力士和美光這三大DRAM原廠為了利益最大化，甚至將更多的產能和資源投入到了數據中心所需的HBM產品當中，這也加劇了消費類DRAM的供應緊缺。

那么存儲芯片的供不應求、價格上漲何時才能緩解呢？

IEEE Spectrum采訪了多位經濟學家和存儲器專家，認為如今的局面是 DRAM 行業歷史上長期存在的繁榮與衰退周期，以及規模空前的 AI基礎設施建設相互碰撞的結果。除非 AI 領域出現重大崩盤，否則新增產能和新技術需要數年時間才能使供應與需求相匹配，價格也可能依然居高不下。

DRAM短缺的根源

內存和存儲行業的觀察人士一致認為，DRAM 行業周期性極強，既有巨大的繁榮期，也有衰退期。存儲和內存專家、 Coughlin Associates總裁Thomas Coughlin解釋說，由于新建晶圓廠的成本高達 150 億美元甚至更多，企業極不愿擴張，可能只有在繁榮時期才有資金進行擴張。但建設這樣一座晶圓廠并使其投入運營可能需要 18 個月或更長時間，這實際上意味著新增產能的到來遠遠晚于最初的市場需求高峰期，導致市場供過于求，價格下跌。

Thomas Coughlin表示，上一輪存儲芯片繁榮周期的可以追溯到新冠疫情期間引發的芯片供應恐慌。他指出，為了避免供應鏈中斷并支持向遠程辦公的快速轉型，超大規模數據中心巨頭——例如亞馬遜、谷歌和微軟大量購入DRAM和NAND，推高了價格。

但隨后供應趨于穩定，數據中心擴張在2022年放緩，導致DRAM和NAND價格暴跌。Thomas Coughlin表示，這場衰退持續到2023年，甚至導致三星等大型內存和存儲設備公司減產50%，以試圖防止價格跌破制造成本。這是一種罕見且相當無奈的舉措，因為企業通常需要滿負荷運轉才能收回成本。

Thomas Coughlin指出，在2023年末開始復蘇之后，“所有DRAM和NAND公司都非常謹慎地對待再次擴大產能的問題。因此，2024年和2025年的大部分時間里，幾乎沒有對新的產能進行投資。”

新投資的匱乏與2025年新建數據中心需求的激增形成了鮮明對比。根據Data Center Map的數據顯示，目前全球有近2000個新建數據中心正在規劃或建設中。如果這些數據中心全部建成，全球數據中心供應量將增長20%，而目前全球數據中心數量約為9000個。

如果目前的建設速度持續下去，麥肯錫預測，到2030年，企業將在數據中心建設上投入7萬億美元，其中5.2萬億美元將用于AI數據中心。該公司預測，在這5.2萬億美元中，約3.3萬億美元將用于服務器、數據存儲和網絡設備。

迄今為止，AI數據中心熱潮的最大受益者無疑是GPU制造商英偉達。其數據中心業務的收入從2019年第四季度的不足10億美元飆升至2025年10月結束的季度的510億美元。在此期間，其AI GPU所需的HBM容量越來越多。最近發布的B300使用了8個HBM芯片，每個芯片由12個DRAM芯片堆疊而成。競爭對手對HBM的使用也與英偉達的做法大體相同。例如，AMD的MI350 GPU也使用了8個12層堆疊的HBM芯片。

根據SemiAnalysis預計 ，HBM 的成本通常是其他類型DRAM的三倍，并且占AI加速器總成本的 50% 甚至更多。

由于需求旺盛，HBM在DRAM制造商的收入中所占比例越來越高。美光報告稱，HBM和其他云相關內存產品在其DRAM收入中的占比將從2023年的17%增長到2025年的近50%。

美光科技首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 在去年12月向分析師表示，該公司預測HBM市場總規模將從2025年的350億美元增長到2028年的1000億美元，這一數字將超過2024年整個DRAM市場的規模。這一數字比美光此前的預期提前了兩年達到。他表示，在可預見的未來，整個行業的需求將“大幅超過供應”。

DRAM或將長期供不應求

Mkecon Insights的經濟學家Mina Kim解釋說：“解決DRAM供應問題有兩種方法：一是創新，二是建設更多晶圓廠。隨著DRAM規模化變得越來越困難，業界轉向了先進封裝技術……而這實際上就是使用更多的DRAM。”

三星、SK海力士、美光三家公司占據了全球DRAM和NAND市場的大部分份額，而且這三家公司都在籌建新的晶圓廠和生產設施。然而，這些舉措不太可能對降低價格產生實質性影響。

美光正在新加坡建設一座HBM晶圓廠，預計將于2027年投產。同時，該公司正在對其從中國臺灣PSMC收購的一座晶圓廠進行改造，該晶圓廠也將于2027年下半年投產。然而，這些設施大多將專注于生產英偉達AI GPU 所需的HBM，而非消費類電子產品所需的標準DRAM。至于，美光今年1月在美國紐約州動工興建的一座DRAM晶圓廠，則是要等到2030 年才能全面投產。

SK海力士正積極在韓國清州（Cheongju）和美國印第安納州建設新的HBM 工廠，這兩處設施預計都要等到2028 年底才能完工投產。該公司甚至為了滿足AI 客戶巨大且驚人的需求，將原本的2027 年設廠計劃提前了三個月，并承諾投入超過5,000 億美元建設四座新晶圓廠，更宣布投資近130 億美元于新的封裝設施。可預見的是，這一切重心皆在于AI。

三星位于韓國平澤（Pyeongtaek）的新晶圓廠預計于2028年開始量產。

由于這些擴建項目在未來幾年內無法發揮作用，因此需要其他因素來增加供應。“緩解供應緊張的途徑包括現有DRAM領先企業逐步擴大產能、先進封裝工藝的良率提升以及供應鏈的多元化，”全球電子協會（前身為IPC）首席經濟學家肖恩·杜布拉瓦克（Shawn DuBravac）表示。“新建晶圓廠會起到一定作用，但更快速的提升將來自工藝學習、更高的DRAM堆疊效率以及存儲器供應商和AI芯片設計商之間更緊密的合作。”

那么，一旦這些新工廠自2027年陸續投產，DRAM價格就會下降嗎？別抱太大希望。

“一般來說，經濟學家發現價格下降的速度遠比上漲的速度慢得多，而且下降的幅度也小得多。如今DRAM芯片不太可能成為這一普遍規律的例外，尤其是在AI計算需求如此旺盛的情況下，”Mina Kim說道。

與此同時，一些正在研發中的技術有望使HBM成為更大的硅片消耗者。HBM4標準可以容納16個堆疊的DRAM芯片，而目前的芯片僅使用12個芯片。實現16個芯片的堆疊高度很大程度上取決于芯片堆疊技術。如何有效地將熱量傳導至由硅、焊料和支撐材料組成的HBM“層疊結構”是限制芯片堆疊高度以及重新定位封裝內HBM以獲得更高帶寬的關鍵因素。

SK海力士聲稱，其名為先進MR-MUF（回流焊注塑成型底部填充）的制造工藝能夠帶來導熱優勢。展望未來，一種名為混合鍵合的芯片堆疊技術有望通過將芯片間的垂直距離幾乎降至零來提升導熱性能。2024年，三星的研究人員證明，他們能夠利用混合鍵合技術制造出16層高的芯片堆疊，并表示20層芯片堆疊并非遙不可及。

然而，更多層數堆疊的HBM的推出，無疑將會消耗更多的DRAM產能，這對于緩解DRAM供應緊缺問題并沒有幫助。

英特爾首席執行官陳立武上周在思科人工智能峰會上談到他對DRAM市場的看法時表示：“到2028年之前，（存儲芯片的供應緊缺）情況都不會有所好轉。”

值得一提的是，由于NAND Flash同樣面臨產能排擠與減產策略，SSD 的價格也正在飆漲。市場消息指出，三星、SK 海力士和Sandisk 等大廠皆計劃在2026 年將NAND Flash芯片價格翻倍。

慧榮科技（Silicon Motion）的CEO甚至發出警告，表示機械硬盤（HDD）、DRAM、HBM 和NAND Flash在2026 年都將面臨嚴重短缺，這是前所未見的情況。

同樣，顯卡產品由于所需顯存（VRAM）供應的緊缺，也將面臨減產。傳聞英偉達由于顯存供應緊缺，計劃在2026年不再推出新產品，并且將削減高達40%的游戲顯卡產量，以保障對于利潤率更高的高端顯卡產品的供應。這代表著，未來的顯示卡不僅價格昂貴，甚至可能面臨缺貨。

編輯：芯智訊-浪客劍