北京
英特爾的ZAM內存方案近期獲得了廣泛關注，英特爾出人意料地發布了該技術的原型機，并作出了前景廣闊的承諾。
英特爾及其合作伙伴正研發Z型角內存，以解決現有方案的散熱與計算限制
盡管英特爾已退出DRAM業務數十年，但該公司近期與軟銀子公司Saimemory攜手，踏入了一個全新領域——推出名為Z型角內存（ZAM）的解決方案，旨在打破HBM的壟斷地位。盡管，但英特爾顯然加快了步伐，向全球展示了其原型機。
據日本媒體PCWatch報道，英特爾在2026年日本英特爾連接大會（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介紹了ZAM技術，其核心重點的是Z型角架構如何緩解現有解決方案面臨的性能與散熱限制。
英特爾院士、英特爾政府技術部門首席技術官約書亞·弗萊曼，以及英特爾日本公司首席執行官恩保誠出席了此次大會。在此之前，ZAM僅存在于研究論文和新聞稿中；而此次，英特爾迅速展示了原型機，并闡述了ZAM的未來發展方向。對于不了解該技術的人來說，這款內存解決方案的核心亮點的是采用了交錯互連拓撲結構——該結構將裸片堆疊內部的連接線路設計為對角線分布，而非傳統的垂直向下鉆孔連接。據英特爾介紹，ZAM最大的優勢體現在散熱性能上。
目前，英特爾在ZAM項目中扮演的具體角色尚未明確界定，但根據大會上發布的營銷資料顯示，該公司將負責“初始投資與戰略決策”。關于Z型角內存項目相較于HBM的具體表現，目前已有多項相關說法，但在初期討論中，我們有望看到以下幾方面的提升：
功耗降低40%-50%
通過Z型角互連簡化制造流程
單芯片更高存儲容量（最高512GB）
英特爾有望進軍新市場，這一動態頗具看點。從項目發布會上核心高管的出席陣容不難看出，這款以內存為核心的項目，旨在進軍HBM市場并參與競爭。
西門子EDA直播報名(3月19日）
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