韓媒：HBF芯片將取代HBM，但這次中國企業早有布局

雖然最近一年多以來，DRAM芯片火爆，DDR4、DDR5等內存更是漲個不停，翻倍又翻倍的漲。但實際上，真正最為賺錢，核心技術門檻更高的還是HBM芯片。

HBM芯片屬于DRAM一種，但是比DDR內存更高級，它是DDR內存的堆疊版，這要性能更強，密度更高，帶寬更大，時延更低，也是AI芯片必不可少的。

目前全球的HBM內存，幾乎被三星、SK海力士、美光壟斷，SK海力士最強，三星次之，美光排在第三名。至于中國企業，在HBM這一塊，確實落后不少。

所以不黑不吹，在HBM芯片領域，中國依然得依賴國外，這個也是事實。

但是近日，在HBM領域處于統治地位的韓國，卻有專家認為，未來會有另外一種技術取代HBM，它就是HBF。

HBF與HBM只有一個字母的區別，但實際上區別非常大。

HBM是DRAM內存的一種，這種是用于讀取密集型場景，當內存用的。而HBF則不一樣，它是當儲存數據的閃存用的，是NAND閃存一的種。

HBF是一種堆疊式的NAND閃存芯片，相比于現在的NAND，它是一種更為立體的結構。

對比HBM，HBF的速度約為HBM的80%-90%，容量卻是其8-16倍，功耗降低40%，能以更低成本實現處理量擴展，被視為緩解HBM瓶頸的“中層內存”。

所以專家們認為，未來在AI以及數據中心中，HBM和HBF會組合在一起，甚至HBF的作用可能會更大，因為它容量大。

不過，一旦HBF流行起來，那么中國企業這次就不會這么落后了，因為中國企業早有布局。

前面提到過，HBF是多層堆疊式的NAND，所以HBF的核心，其實就是一種混合健合技術，將存儲部分、數據讀取部分，分開又健合在一起。

而中國企業長江存儲，基于晶棧Xtacking，在混合健合技術方面，是全球最領先的，混合健合專利更是全球最多的企業之一，連三星、SK海力士等，都要找長江存儲要專利授權。

所以一旦當HBF芯片流行起來，那么中國企業這次也能夠走向時代的舞臺，不會像HBM這樣落后于全球的水平了。

因為HBF也是采用堆疊方式，基于混合健合技術，而長江存儲的晶棧Xtacking，本來就是一種混合健合技術，長江存儲有大量的專利積累，連三星、SK海力士等，都要找長江存儲買專利的。