北京
三星最近在其Exynos 2600芯片中引入了全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術，此項創新被認為是半導體封裝領域的一次重要突破。HPB技術能夠將芯片的熱阻降低16%，顯著提升溫控表現，為處理器的高效運行提供了有力保障。這一設計無疑為未來的高性能芯片散熱方案樹立了新的標桿。
與此同時，高通也計劃在即將發布的驍龍8 Elite Gen6系列中應用同樣的HPB技術。根據最新的行業報道，該系列芯片在工程測試階段的主頻甚至有望達到5.0GHz或更高。這表明HPB技術的有效性已經得到了實測驗證，并且在支撐超高頻率穩定運行方面，將發揮至關重要的作用。
HPB技術的核心原理在于其采用了一種直接放置在硅晶圓上的銅制散熱塊。在傳統芯片設計中，DRAM內存芯片通常堆疊在SoC上方，這種結構可能形成熱阱，使核心熱量難以散發，迫使芯片依賴外部均熱板或石墨片進行散熱。而HPB通過將內存芯片移至處理器的側邊，釋放出的空間則被高導熱的銅塊覆蓋在核心上，從源頭上縮短了散熱路徑。
對高通而言，現有的被動散熱方案如VC均熱板已接近物理極限，單純增加散熱面積已無法有效抑制頂級核心的熱量。因此，引入HPB技術不僅提供了一種更高效的散熱解決方案，更預示著未來旗艦芯片將從依賴外部導熱轉向更精密的封裝內部熱管理，這將使驍龍8 Elite Gen6在高頻運行時能夠更加從容地釋放其強大性能。
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